Устройство для выращивания эпитаксиальных структур из газовой фазы

612316 ном гусгройстве, содержащем нагреваHCTDIHHKB H IIDQIICQVKH, BepТике ?ь-» ный трубчатый реактор со штуцерами для ввода и вывода газе, расположенный в нем блэк для резмец?ения подложек H установленный параллельно ему блэк д-гя размещения твердых источников, пр ?нем блоки закреплены на соосных IHToKax проводящих через ??х центр и связанных с приводами для вращения и перемеще= ния, блоки для крепления источников и подложек выполнены в виде дисков, пери ферийная часть которых выполнена ь виде плоских сплошных протиьэлежа??ь?х колец, параллельно которым размещены нагреватели, причем, кольцо для крепления источников пэ?шэсть о перекрывает кольцо для крепления подложек, а центральная честь каждого блоке, свободная

«л не соответствующей заданной ьеп?п?ыне, Разброс величин периодов H амплитуд B структурах достигает 20 aI неэднороднос Tb морфологии эпитаксиельных структур центральной области подложки и периферии при прохэждении оси вращения

Я через подложку зависит ог различия линейных скорэсTeй газо ?х llотoKов этих учесткэв при относительном вращении источника и подложки.

Следует отметить также, что в извес.?О ном устройстве в узком зазоре между вращающимися близко располэженными блоками подложек и источников ьозн?ц«а ют радиальные противоположно, направлен ные газовые потоки. Взаимодействие

Э ГИХ П ОТОКОЬ ПРИВОДИТ K ВОЗ(Ц?КН ОВЕНИ?О нежелательных газовых завихрений, обуславливающих иска?ке??не дыффузцонны « потоков веществ от источников рез..«эго состава к подложкам и приводящих ь р ?Д зультате этогэ K появпентпо пщ«альных неоднорбд??остей пареметрэь рестуншх эпитаксиальных структур, и ухудше?от воспроизводимэсть параметров от с-рук.туры к структуре, л „

Производительность такогo устройства за один процесс небольшая - одна подложкa: Увеличение диамстре реакторе„, для размещения ь нем большого к:;r,э?е. -,ве подложек при указанном респолэ?цен= .. 1 нагревателей, увеинчыьеег радиельн:1 градиент темгерегуэы, Эта -"..;; о редь, приводит к росту неэ ..брсд:. Ости параметров ьырещньаемых эпитаксиаль=нь?х структур.

??ель?э изобьетения HH««leTcH у е-:::::. =-, ние производительности устройства и повышение однородности параметров лучеемых элит«?ксиальных ству:с тур °

Достигается это тем, ITD:; извес ?(э

oT I»IecT крепления источник эь и и Одл.)жек, снабжена„.по крайней мере, одним сквознь?м отверстием, .соединжощим Яъем между двумя блоками с Осгальным обьемом реактора.

На фиг. 1 изображel?o предлагаемое устройство для вырешиьалыя эпыгексиальных сTpyKTyp из газовой фазы, в разрезе, не фиг. 2 — взаимное распэложение блэка источника и блока подложки с частичным ьь?резо?л; на феГ 3 блэк источника со стороны крепления Ilc TDH;II?Kýü на фиг.4блэк подло?ии со сToporlы 7 с пленяя под ( л ожее, Усгрсйс .во copeð >жиг кварцевый трубчатый реа«гор ., заключенкый в мегал=IrlleCГ гй Вэц ООХ Еж(ЕЕ,. ГП? ?«О «уХ 2 Heрк

:: H::I (11(1Е1ЛЕц 3 Н К»нжн??Л 4;. r Гафн Г ОВЫЙ

-"-ЫК О:-. . 7 ЬЬИ ПЛ(НЕБ .З ВИДЕ,;;; DC?« O ДК .КЕ с огверсгиями 8. песпэлэженными по экруи«н Ости и цен тра ль?; ои Области и закрепленн на штollc 9 сэецинеБнь?м с пьиьодом

10 ° Cpegcтва крег?лег?ия 6 Вь?пэлнены HB пример,. в виде cKD6. Над грефлтэьым блоком 5 устеноьлен нихромовый нагреватель

11, закпоче????ый в кверцеву-.о трубку 12„. которая выполнена ь виде плоской спире?IH. Кварцевая трубка 12 с нагревателем

1 1 через уплотнение (Ira фиг., Hе указ Ho) крепится к верхнему фленцу 3, Под гра . 1 гэзьпл олэкэкл: паве?1лел(ь(нэ егэ киж ней плоско -,и с«с ген овлен где<1?л го1ьь?й бл Ок

С ЭТВЕрС ГИЯМИ Я . Ва* т: ОЛ С(ха Н НЬП»П?

Окружности в центра(?ьной Области. На

? рафитовом блоке «3 пэ пер;-;ф» Оии Оазме. жены годлэжки 14,. гредстье крепы?ен?я

-. - .-.(Пня(ются, ?«елример, ь ьчде скоб или углублений, Што?ы". 9 и 15 через уплэтне.а.:.-.. - .. B верхнем 3 и никнем 4 фланцах выводятся к приводBM 1 О длЯ врагцен1 я

«осевого перемещения блоков 5, 13. Под блоком 13 размещен нихрэмэьый нагреватель 1 7„зекл?оченный и кьерцеву?о трубку 18, которая выполнена ь ьнде плоской

cHира л1.- и через улл этне ния крепи тся фланцу 4. i3 верхнем фланце 3 имеется штуцер 19 для ввода ь реактор газовой смеси„в ??ижнем флащ е-штуцер 20 для вывода газа, Б кожухе 2 имеются дьа с?литровых окна 21 и 22, pacIIoложенные не одg.oé эси.

Устройство ребогае следу?ощим обра3 с(м.

Иа блоке 13 пэ перл рык с помощью

1 средств крепления размешею г подл ожки

14 из арсенида гBII;«(lul, а на блэке 5 крепят скобами 6 источники 7 (В и Г ), гличающиеся по cocãaâó таким образом,