Способ получения слоев двуокиси кремния

Авторы патента:

H01L21/20 - нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание

Способ получения слоев двуокиси кремния посредством окисления моносилана кислородом в потоке газа-носителя в горизонтальном трубчатом реакторе, отличающийся тем, что, с целью повышения равномерности слоев двуокиси кремния по длине реактора, процесс проводят при равномерно возрастающей температуре 0,3 - 3^oC/см по направлению движения газового потока в интервале температур 300 - 450^oC.

Способ получения полупроводниковой структуры // 668506

Способ изготовления электролюминесцентного экрана // 655257

Способ получения р-п структур // 639358

Способ осаждения слоев теллурида цинка // 625509

Устройство для выращивания эпитаксиальных структур из газовой фазы // 612317

Устройство для выращивания эпитаксиальных структур из газовой фазы // 612316

Устройство для эпитаксиального наращивания полупроводниковых материалов // 608376

Установка для получения покрытий осаждением из газовой фазы // 588579

Способ получения варизонных структур // 586758

Способ формирования пленки карбида кремния на подложке // 2100870

Способ нанесения пленок // 2102814

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных эпитаксиальных структур // 2102815

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Способ получения сплошной пленки с алмазоподобной структурой и устройство для его осуществления // 2105379

Способ изготовления интегральных схем // 2109371

Изобретение относится к области изготовления интегральных схем

Способ получения структуры "полупроводник на пористом кремнии" // 2123218

Изобретение относится к области электронной техники, преимущественно микроэлектронике и может быть использовано в производстве быстродействующих радиационно стойких цифровых и аналого-цифровых интегральных схем на изолирующих подложках

Способ получения структуры "полупроводник-на-изоляторе" // 2125323

Способ управления процессом получения эпитаксиальной полупроводниковой структуры // 2132583

Испарительный тигель // 2133308

Изобретение относится к полупроводниковой области техники и может быть использовано в молекулярно-лучевой эпитаксии для снижения плотности дефектов в эпитаксиальных структурах

Способ изготовления микромеханических приборов // 2137249

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии изготовления микромеханических приборов, в частности, микрогироскопов, микроакселерометров, микродатчиков давления, из кремнийсодержащих полупроводниковых структур