Электролит для легирования оксидной пленки кремния фосфором

Авторы патента:

H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)

Электролит для легирования оксидной пленки кремния фосфором, содержащий ортофосфорную и азотную кислоты, отличающийся тем, что, с целью улучшения свойств легированной пленки, в его состав введен этиленгликоль в качестве основного растворителя при следующем соотношении компонентов, об.%: Ортофосфорная кислота (уд. вес 1,68 г/см³) - 1 10^-4 - 10 Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см³) - 1 10^-2 - 5 10^-1 Этиленгликоль - Остальное

Полирующий раствор для антимонида индия // 521620

Способ изготовления полупроводникового прибора // 517279

Состав для удаления фоторезистов // 439035

Грабитель для выявления дислокаций в кремнии // 436409

Травитель для полупроводников // 385353

Способ получения контактных выводов // 384160

Виблио:>&?н/-. // 370682

Травитель // 369651

Всесоюзнаяh^trilt'"^ •••%/'>&;.' г lj&t nfittrlibu-it:x;ib-r s.^'; // 368777

Процесс плазмохимического травления поликремния до кремния // 2110114

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния

Способ непрерывной жидкостной химической очистки поверхности, преимущественно полупроводниковых пластин // 2118013

Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности

Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронно-циклотронным резонансом обработки конденсированных сред // 2120681

Состав разбавителя для смывания ненужного фоторезиста на пластине в процессе изготовления полупроводниковых устройств (варианты) и способ смывания ненужного фоторезиста (варианты) // 2126567

Устройство для шлюзования // 2133521

Способ электрохимической обработки полупроводниковых пластин // 2133997

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур // 2133998

Способ непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139593

Установка для химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139594

Способ просушивания кремния // 2141700

Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости