Виблио:>&?н/-.

Авторы патента:

А. Т. Андреев, Н. А. Иванова , Г. С. Комаишко ЕССЮЗНЛУ

H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВзтдЕТЕДЬСТВУ

Союз Советских

Содизлистическик

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 12 17.1971 (№ 1648453/26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 15.11.1973. Бюллетень ¹ 11

Дата опубликования описания 17.IV,.1973

М. Кл. Н 01l 7/50

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.382.002 (088.8) Авторы изобретения

А. Т, Андреев, Н, А. Иванова и Г. С. Комаишко

Заявитель

ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

СТРУКТУР

Предмет изобретения

14 вЂ” 25,2

3,6 вЂ” 18

0,034 вЂ” 0,1?

37,2 вЂ” 35,6

62,6 вЂ” 62,9

0,2 вЂ” 1,5

Изобретение касается полупроводниковой электроники и может быть использовано для травления р-и переходов кремниевых - полупроводниковых структур.

Известны кислотные травители на основе смесей плавиковой и азотной кислоты.

Известен также травитель, н котором вместо азотной кислоты в качестве окислителя введен перманганат калия вЂ” KMnO<.

Однако такие правители малопригодны прп т|равлении,конструкции, содержащей различные металлические элементы (контакты, припой, компенсаторы, крнсталлодержателп и т. д.), так как в этом случае, растворяются преимущественно металлы. Прп применении подобных травителей необходима защита металлических частей конструкции от разрушения, что значительно усложняет технологический п роцecc.

Цель изобретения вЂ” осуществление травления без защиты металлических элементов конструкциии.

Для этого в состав предложенного травителя, содержащего плавиковую кислоту, введены серная кислота и бихромат калия. Компоненты травителя .взяты в следующем соотношении, вес. %:

Плавиковая кислота

Серная:кислота

Бихромат калия

Оптимальный состав травителя имеет следующие концентрации, в г-экв/л:

Плавиковая кислота 21

Серная кислота 9

Бихромат калия 0,136

Предложенный туавитель опробован для травления поверхности фаски тиристоров, содержащих никелевые или алюминиевые контакты, вольфрамовые пли молибденовые компенсаторы.

Травитель для кремниевых полупроводниковых структур с металлическими элемента- ми, содержащий плавиковую тсислоту и бихромат щелочного металла, отличающийся тем, что, с целью осуществления травления без защиты металлических элементов конструкции, он содержит серную кислоту, в качестве бихромата щелочного металла применен бихромат калия, а компоненты взяты в следующем соотношении, вес. %:

Плавиковая кислота

Серная кислота

30 Бихромат .калия

Похожие патенты:

Травитель // 369651

Всесоюзнаяh^trilt'"^ •••%/'>&;.' г lj&t nfittrlibu-it:x;ib-r s.^'; // 368777

Всесоюзная iп д-ггут!''! t-vhs'ljs'' !?' :';tия i lu 1 ;ш-1 г;лjsи :<:;.• ifi/iitt библиотекатравитель // 342249

Автомат для химической обработки // 333633

Травитель для полупроводниковых материалов // 308470

Способ защиты поверхности карбида кремния при высокотемпературном травлении // 270080

Устройство для травления кремниевых фотоэлектрических преобразователей // 244515

Автомат для травления // 170123

Патент 159233 // 159233

Способ изготовления цинко-германиевого поверхностно- барьерного триода // 104970

Процесс плазмохимического травления поликремния до кремния // 2110114

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния

Способ непрерывной жидкостной химической очистки поверхности, преимущественно полупроводниковых пластин // 2118013

Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности

Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронно-циклотронным резонансом обработки конденсированных сред // 2120681

Состав разбавителя для смывания ненужного фоторезиста на пластине в процессе изготовления полупроводниковых устройств (варианты) и способ смывания ненужного фоторезиста (варианты) // 2126567

Устройство для шлюзования // 2133521

Способ электрохимической обработки полупроводниковых пластин // 2133997

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур // 2133998

Способ непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139593

Установка для химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139594

Способ просушивания кремния // 2141700

Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости