Пъезокерамический элемент памяти

Авторы патента:

G11C11 - Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением различных электрических или магнитных элементов памяти; элементы памяти для них (G11C 14/00- G11C 21/00 имеют преимущество)

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 515157 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 18.01.74(21) 1992836/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано25.05.76.Бюллетень № 19 (45) Дата опубликования описания 11.08.76

Государственный комитет

Соната Министров СССР па делам изобретений и открытий (53) УДК 681.32/7 (088.8) (72) автор изобретения

В. С, Никандров (71) Заявитель (54) ПЬЕЗОКЕРАМИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ стине 2 размещены считывающие электроды 5 с токоотводами 6.

На дно корпуса 7 кладется слой герметика 8, обладающего высокими эластичными свойствами, в который погружается пластина 1 с токоотводом 9. Затем пластина 2 заливается сверху компаундом (напри мер, эпоксидной смолой), который после поляризации жестко соединяет пластину 2 с корпусом, Элемент работает следующим образом.

При подаче на пластину 1 импульса электрического напряжения произойдет изгиб обе их пластин элемента памяти, причем наличие эластичного основания позволяет создать в пластинах высокие значения изгибающего момента. Однако изгибные колебания не будут длиться долго, так как высокая жесткость компаунда, в который погружена пластина 2, ограничит эти колебания практически за l/4 периода колебаний, что позволит сформировать импульс выходного напряжения.

Изобретение относится к запоминающим устройствам.

Известен пьезокерамический элемент памяти, содержащий пластину возбуждения и генераторную пластину, разделенные проводящей пластиной и помещенные в корпус.

В известном элементе пластина возбуждения жестко соединена с корпусом (например, при помощи эпоксидной смолы).

Бель изобретения вЂ” увеличение амплитуды выходных сигналов за счет повышения коэффициента трансформации электрического напряжения.

Для ее осуществления генераторная пла- 1я стина жестко соединена с корпусом элемента, На чертеже изображена конструкция предлагаемого элемента.

Элемент содержит пластину возбуждения 20

1, поляризованную вектором поляризации Р, и генераторную пластину 2, поляризованную в соответствии с хранимой информацией.

Пластины 1 и 2 разделены токопроводящей пластиной 3, имеющей токоотвод 4. На пла- 25 (51) М. Кл. Q 11C 11/00

515157

Составитель В, Рудаков

Техред Т. Курилко Корректор E. Рожкова

Редактор Е. Гончар

Заказ 55 38 Изл. № Д ТиРаж 723

Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 113035, Раушская наб., 4 филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 формула изобретения

Пьезокерамический элемент памяти, содержаший пластину возбуждения и генераторную пластину, разделенные проводяшей пластиной и помешенные в корпус, о т л и ч аю ш и и с я тем, что, с целью увеличения амплитуды выходных сигналов, генераторная пластина жестко соединена с корпусом элемента,

Запоминающее устройство // 515151

Устройство для неразрушающего считывания информации // 514344

Запоминающее устройство // 514343

Запоминающее устройство // 514342

Оперативное запоминающее устройство // 514341

Пьезокерамический элемент памяти // 514340

Устройство для считывания информации // 514339

Запоминающее устройство // 513650

Инжекционный элемент памяти // 513391

Способ изготовления моноп-ячейки памяти, ячейка памяти и матричный накопитель на ее основе // 2105383

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Накопитель запоминающего устройства // 2106022

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур

Элемент устройства памяти со структурой металл-изолятор- металл // 2108629

Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии

Элемент устройства памяти со структурой металл-изолятор- металл // 2108629

Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии

Магнитный инвертор // 2120142

Изобретение относится к элементам автоматики и вычислительной техники, в частности к магнитным тонкопленочным запоминающим и переключаемым элементам

Композиция материала запоминающего устройства, способ его изготовления, энергонезависимое запоминающее устройство, способ его изготовления, способ запоминания и воспроизведения двух независимых бит двоичных данных в одной ячейке памяти энергонезависимого запоминающего устройства // 2124765

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Электрически стираемая память // 2130217

Оптический цифровой страничный вычислитель квадратных корней с плавающей точкой // 2130638

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для обработки информации в вычислительных системах