Пьезокерамический элемент памяти

 

%nial 1, В- ..: .. :1

4)б ooi з .:= . )!. -.д

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Респуйлнк

Х АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ.,ф Ь вЂ” дьс) @

I6l) )l D ttTei Ho ;IBT. свид-ву (22) Заявлено 11.10.74 (2!) 2068921/24 с присоединением заявки Хе

ГосУдарстеенный комитет (23) IIIl„o ит

Совета Министров СССР по делам изобретений Опубликовано 15.05.76. Бюллетень М 18 (5!)М. Кл.-" 6 11С 11/00 (53) УДК 681.327 (088.8) и открытий

Дата опубликования описания 11.08.76 (72) Автор изобретения

В. С. Никандров (7!) Заявитель (54) ПЪЕЗОКЕРАМИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Формула пзобретсния

Изобретение относится к запоминающим устройствам.

Известен пьезокерамический элемент памяти, содержащий жестко соединенные в единый биморф первую пьезокерамическую пластину с на несенными на ее грани сплошными электродами, подключенными к входным шинам, и вторую пьезокерамическую пластину, на внешней грани которой расположены считывающие электроды. Однако известный элемент характеризуется неравномерностью выходных сигналов по амплитуде, что затрудняет его использование в запоминающих устройствах.

С целью получения одинаковых по величине выходных сигналов, считывающие электроды предложенного элемента памяти выполнены в виде пластин различной площади.

На чертеже изображен предложенный пьезокерамический элемент, две проекции.

Элемент содержит жестко соединенные в единый биморф первую пьезокерамическую пластину 1 с нанесенными на ее грани сплошными электродами 2 и 3, подключенными к входным шинам 4 и 5, и вторую пьезокерамическую пластину 6, на внешней грани которой расположены считывающие электроды 7, подключенные к выходным шинам 8 элемента. Электроды ", выполнены в виде пластин различной площади, причем возрастание площади пластин происходит от центра пластины 6 к ее краям.

5 Пластина отполяризована по толщине так, как показано на чертеже соответствующим вектором поляризации Р. Пьезокерамика пластины 6 под каждым считывающим электродом 7 отполяризована так, чтобы направ10 ление вектора поляризации Р соответствовало коду «О» илп «!». При подаче на шины 4 и 5 пластины 1 входного электрического импульса весь бнморф испытывает под его действием изгиб, что вызывает механические на15 пряжения в пластине 6 за счет прямого пьезоэффекта и, следовательно, приводит к появлению электрического сигнала между считывающими электродами 7 и электродом

3, фаза которого соответствует коду «О» или

20 «!».

25 Пьезокерампческий элемент памяти, содержащий жестко соединенные в единый бимофр первого пьезокерамическло пластин . с нанесенными на ее грани сплошными электродами, подключенными к входным шинам. и вто30 рую пьезокерамическую пластин . на внешнеи гд dн и кото!)ОЙ p2cIIoëожоны сч и ыв а I< !öI!е электроды, подключенные к выкодным шинам элемента, о тл ич а ющий си тем, что, с цс;II)Io пол !енин одинаковык цо всли !Цнс шя одных сигналов, считывающие электроды выполнены г, виде пластин различной площади.

Составитель В, Рудаков

Редактор Л. Тюрина Техрсд А, Камышникова Корректоры: В. Петрова и О. Данишева

Заказ 1833/6 Изд. № 152 Тираж 723 Подписное

ЦНИИПИ Го" óäàðñòâåííîãî комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, у1(-35, Раушская наб., д. 4, 5

Типография, пр. Сапунова, 2

Пьезокерамический элемент памяти Пьезокерамический элемент памяти 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур

Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии

Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии

Изобретение относится к элементам автоматики и вычислительной техники, в частности к магнитным тонкопленочным запоминающим и переключаемым элементам

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для обработки информации в вычислительных системах
Наверх