Способ получения покрытий вольфрама

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЮТИЛЬСТВУ (и) 449П6

Соез Со -=..;.скин

Сощталнстннеских

Респубттнк

I (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено24.01. 74 (21)I5022IG/22-I (51) М Кл.

С 23с И/00 с присоединением заявки

Гасударстаанвй каматат

Савата Мннастраа СИр аа делан нзааретенай и аткрнтнй (32) Приоритет—

Опубликовано05.Н. 74 Бюллетень № 47 (45}! Дата опубликования описания Б. Х2. 74 (Я} Ь ДК 669.056.

:669.276

088-8 : (72) Авторы изобретения

Г.Д.Кузнецов и А.А.Бабад-Эахря ин (71) Заявитель (54} СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЙ ЭОЛЬФРАЖА

Изобретение относится к области покрытиИ металлических изделий путем термического разложения соединений на их поверхности.

Известен способ получения покрытиИ вольфрама путем термического разложения хлорида вольфрама в тлеющем разряде. Однако отмечает ся невозможность получения покрытий с аксиальной текстурой /ЫО/, что снижает работу выхода электронов с эмитирующей поверхности.

По предложенному способу процесс осуществляют при температуре ЕВОО-7600оС расходе хлорида вольфрама K 2-2,5 г мнн, плотности тока 50.40 ма/см и йапряжкHmm горения разрща ХООТА-13000 в.

Это способствует получению покрытий с аксиальной текстурой

/ ПО/.

Энергетические параметры термиссионных преобразователей в конечном итоге определяются работой выхода электронов с эми- }

2 тирующей поверхности. Работа вы=хода электронов в значительной степени зависит от ориентации зерен / текстуры/ в поверхност— ном слое при их соответствующе1ь огранке. Наибольшая работа вы:о= да электронов наблюдается для текстуры / ИО/. Одним из путей создания необходимой эмитирующей поверхности катода ТЭП является нанесение на конструщио)ш поверхность изделия — катода вольфрамового покрытия.

Требуемый тип текстуры /ПО/, }s дающий наибольшую работу. выхода, получают лишь при определенном сочетании нескольких параметров процесса. Так увеличение расхода хлорида с 1,2 до 2,5 г/мин, 2о плотности тока с 50 до 80 ма/см2 и напряжения горения разряда с

I000 до ХЗОО в приводит к образованию вольфрамового покрытия с аксиальной текстурой /ИО/.

Изменение указанных параметров в большую или меньшую сторону

449П6 составитель Я Осина

6Филиппова текред Н.сенина

Бакан

Ивд. гй 559 Тираж Г!одиисиое

IIIIII!IIIII Государственного когннтета Совета Министров СССР о делан изобретений и открытий

Москва, 113035, Раушская нао., 4

I Iредириятие <Патент», Москва, .Г-59, Бережковская наб., 24

3 уменьшает степень совершенства текстуры /ПО/ и приводгт к появению ориентировки /I00/ или

Ш/ соответственно. Для исключения возможного влияния подложки на образование определенного . типа текстуры используют спеченные образцы из карбида циркония.

Аналогичные результаты получают и при иснользовании отожжеыных при I800 С молибденовых образцов, в которых обнаружена весьма слабо выраженная текстура /ПО/.

Перед проведением процесса образования вольфрамового покрытия с текстурой /ПО/ реакционный объем тщательно очищают и обезгаживают при температуре стенок

I50-200оС и разрежении IO мм рт,ст. Затем нагревают гексахлорид вольфрама и устанавливают требуемый его расход Я,2-2,5 r/ мин m давление 2-6 мм рт.ст./, Прикладывают высокое напряжение между покрываемым изделием — катодом и вспомогательным злектро4 дом, зажигают тлеющий рцзря;ц с необходимой плотностью /50-80ма/

mi и напряжением горения /I000-I300 в/. Температура на образце катодЕ поддерживается в пределах I300-I600oC. Длительность процесса IÎ-30 мин толщина осадков изменяется от 30-250 мк.

Таким образом, проведение процесса образованйя вольфрамового покрытия при указанных условиях обеспечивает формирование в слое аксиаяьной текстуры/ПО/.

ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕБ1Я

Способ получения покрытий вольфрама путем термического разложения хлорида вольфрама в тлеющем разряде, о т л и ч а ю щ и йс я тем,что, с целью получения окрытий с аксиальной текстурой

ПО/, процесс осуществляют йри температуре I300-1600оС, расходе хлорида вольфрама I 2-2,5 д/мин,, плотности тока 50-86 ма/си и напряжении горения разряда

I000- ЗОО в.