Способ поперечной резки полупроводниковыхслитков

 

:l ã, J "%

ОПИСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ (») 4345I9

Союз Советскм

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависи мое от а вт. свидетельства (22) Заявлено 16.02.73 (21) 1883854/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 30.06.74. Бюллетень № 24

Дата опубликования описания 12.11.74 (51) М. Кл. Н Oll 7/68

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (53) УДК 621.382(088.8) (72) Авторы изобретения

А. А. Иванов, Г. Ф. Скрипко и Ю. И. Шушпан (71) Заявитель

Ордена Трудового Красного Знамени институт сверхтвердых материалов АН Украинской ССР (54) СПОСОБ ПОПЕРЕЧНОЙ РЕЗКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

СЛИТКОВ

Известен способ резки полупроводниковых слитков, когда одновременно с радиальной подачей слитка на вращающийся инструмент происходит вращение слитка вокруг продольной оси; при этом резка начинается на периферии и заканчивается в центре слитка.

В результате такой резки в центре отрезаемой пластины остаются следы сколов и выступы, устранение которых увеличивает трудоемкость последующих операций, а также умень- 10 шает выход годной продукции.

Цель изобретения — увеличение выхода годной продукции на последующих операциях шлифования и раскроя пластин, улучшение ка- тб чества поверхности отрезаемых пластин наряду с увеличением диапазона диаметров разрезаемых слитков.

Цель достигается тем, что подача слитка на инструмент осуществляется в два этапа: сна- 20 чала осуществляется радиальная подача, которая прекращается после пересечения режущей кромкой продольной оси слитка, а затем слиток поворачивают вокруг своей продольной оси до окончания резки. 25

Предлагаемый способ резки поясняется схемой, показанной на чертеже.

Резка осуществляется следующим образом.

На абразивный отрезной круг 1 с внутренней режущей кромкой, приводимый во вращение, подают в радиальном направлении разрезаемый слиток 2. При осуществлении радиальной подачи слиток занимает положение, когда продольная ось О, слитка расположена относительно оси 02 круга 1 на расстоянии, большем радиуса R режущей кромки на величину б. Beëè÷ïíó б устанавливают экспериментально. При достижении такого расположсния слитка относительно отрезного крута радиальную подачу прекращают п дальнейшую резку осуществляют за счет поворота слитка 2 вокруг его продольной оси Оь

Предмет изобретения

Способ поперечной резки полупроводниковых слитков абразивным отрезным кругом, включающий вращение инструмента, радиальную подачу слитка на инструмент, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью увеличения выхода годных пластин и повышения качества поверхности, радиальную подачу слитка на инструмент прекращают после пересечения режущей кромкой инструмента продольной оси слитка, а затем осуществляют подачу слитка на инструмент путем поворота слитка вокруг продольной оси.

434519

Составитель О. Бочкин

Техред Н. Куклина

Корректор М, Лейзерман

Редактор И. Орлова

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 3019/15 Изд. Мю 1789 Тираж 760 Подписно»

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Способ поперечной резки полупроводниковыхслитков Способ поперечной резки полупроводниковыхслитков 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх