Способ получения локального р—п перехода для полупроводниковых приборов

Авторы патента:

H01L21/04 - приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ п1 4345I6

Союз Советских

Социалистических

Респуб:,ии (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 01.11.66 (21) 1110114/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 30.06.74, Бюллетень № 24

Дата опубликования описания 12.11.74 (51) М. Кл. Н 011 7 00

Гюоударотвеииый комитет

Совета Министров СССР ио делам изобретеиий и открытий (53) УДК 621.382:537. .311.33 (088.8) (72) Авторы изобретения

Г. А. Зеликмаи и И. Л. Цитовский

I (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛОКАЛЬНОГО р вЂ” n ПЕРЕХОДА

ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Способ относится к производству полупроводниковых приборов.

Широко известен способ получения локального перехода с помощью маски из пленки

SiO . Однако этот способ использует только диффузию из газовой фазы и имеет такие трудоемкие операции, как фотолитография.

Предлагаемый способ позволяет получить переход сложной конфигурации при размерах отдельных деталей менее 3 вЂ” 5 мм.

Для этого нг те части пластины полупроводникового материала, где не должна пройти диффузия, предварительно наносят защитный материал, растворимый в тех растворителях, в которых высушенный диффузант нерастворим. После этого раствор диффузанта наносят на всю пластину, высушивают, а затем защитный материал снимают, промывая пластины в соответствующем растворителе.

В качестве защитного материала используют битум.

Способ заключается в следующем. На промытую и обезжиренную после шлифовки пластину с помощью маски из металла на участки, где не должна пройти диффузия, наносят слой битума, например БН-4, хорошо растворимого в органических растворителях, например в толуоле или четыреххлористом углероде.

Далее любым известным способом наносят раствор солей, содержащий диффузант (алюминий). Пластину сушат до полного высыхания раствора (температура сушки не выше

5 температуры растекания битума вЂ” около

40 С). После этого битум снимают кипячением в четыреххлористом углероде или толуоле, при этом соли остаются на пластине. Затем производится диффузия. Алюминий диффун10 дирует только в месте его нанесения.

Диффузант с большим давлением паров можно наносить на пластину и перед нанесением битума. В этом случае поверхностная концентрация несколько повышается. Кроме

15 того, можно использовать пар из двух малолетучих диффузантов.

Предмет изобретения

1. Способ получения локального р вЂ” и пере20 хода для полупроводниковых приборов путем диффузии с использованием защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью получения перехода сложной конфигурации при размерах отдельных деталей менее 3вЂ”

25 5 мм, на те части пластины полупроводникового материала, где не должна пройти диффузия. предварительно наносят защитный материал, растворимый в тех растворителях, в которых высушенный диффузант нерастворим, 30 после чего раствор диффузанта наносят на

434516

Составитель М. Лепешкина

Техред 3. Таранеико

Коррекгор О. Тюрина

Редактор В. Дибобес

Заказ 2904/11 Изд. № 1752 Тираж 7GO Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 7Ê-35, Раушская наб., д. 4, 5

Типография, пр. Сапунова, 2 всю пластину, высушивают, а затем защитный материал снимают, промывая пластины в соответствующем р а створ ител е.

2. Способ по п. 1, отл и ч а ю щ и и ся тем, что в качестве защитного материала используют битум.

Способ получения локального р—п перехода для полупроводниковых приборов

Способ ориентации микроминиатюрных деталей // 295160

Способ изготовления полупроводниковыхструктур // 265291

Способ получения полупроводникового прибора // 256083

Способ получения германиевых р-п переходов // 248086

Способ изготовления ,о—п-переходов // 237268

Способ получения p — я-переходов // 184979

Патент 161074 // 161074

Устройство для формовки точечных полупроводниковых приборов // 146884

Способ получения сплавного перехода кремний-алюминий // 109994

Способ изготовления гетероперехода на основе слоистого полупроводника // 2119210

Способ изготовления мощных полупроводниковых приборов // 2022399

Изобретение относится к производству мощных полупроводниковых приборов-транзисторов, тиристоров и других полупроводниковых приборов с высоковольтными p-n-переходами

Способ изготовления кремниевого планарного прибора // 496910

Способ изготовления р-п переходов // 555761

Способ стабилизации p-n-переходов // 633389

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при промышленном изготовлении интегральных микросхем и дискретных полупроводниковых приборов

Способ изготовления полевых транзисторов с затвором типа барьер шоттки // 814168

Изобретение относится к электронной технике, и может быть реализовано при изготовлении полевых транзисторов преимущественно на арсениде галлия и интегральных схем субнаносекундного диапазона и СВЧ-транзисторов

Способ изготовления выпрямительных элементов // 1103306

Способ уменьшения дефектности двухслойного диэлектрика в структуре проводник - нитрид кремния - окисел кремния - полупроводник // 1108962

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении логических и запоминающих интегральных схем на основе структуры проводник нитрид кремния окисел кремния полупроводник (МНОП)

Способ утоньшения фоточувствительного слоя матричного фотоприемника // 2536328

Использование: для изготовления полупроводниковых фотоприемников и для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Сущность изобретения заключается в том, что фоточувствительный элемент с «толстой» базовой областью утоньшается до нужной толщины (10-15 мкм) прецизионными бездефектными методами: безабразивной химико-механической полировкой с использованием сферического полировального диска вместо плоского для получения заданной вогнутости поверхности и химико-динамической полировкой до конечной толщины, при которой происходит компенсация вогнутости, полученной на стадии БХМП с формированием неплоскостности поверхности при размере МФП порядка 10 мм не хуже ±2 мкм. Технический результат: обеспечение возможности утоньшения базовой области фоточувствительного элемента с получением требуемой плоскостности. 7 ил.

Способ получения приборных графеновых структур // 2538040

Использование: для разработки наноразмерных приборов на основе гетероструктур с использованием слоев графена и мультиграфена. Сущность изобретения заключается в том, что выращивают на подложке-доноре слой графена, который затем покрывают вспомогательной для переноса графенового слоя пленкой. После этого на вспомогательной для переноса графенового слоя пленке создают натягивающую рамку, предотвращающую сминание при переносе, или наносят сплошную упрочняющую пленку, обеспечивающую механическую целостность и предотвращающую сминание при переносе. Отделяют графеновый слой, покрытый вспомогательной для переноса графенового слоя пленкой, от подложки-донора и осуществляют его перенос на подложку. После переноса графенового слоя, покрытого вспомогательной для переноса графенового слоя пленкой, на подложку осуществляют прижим к подложке. Технический результат: предотвращение ухудшения структур и электрофизических характеристик графеновых слоев. 16 з.п. ф-лы, 2 ил.