Патент ссср 429483

Авторы патента:

Я. М. Пинчук, Н. В. Богданова, В. В. Зайцев, Л. С. Рахленко

, В. И. Френкель

H01L21/288 - из жидкости, например способом электролитического осаждения

())) 429483

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 12.01.70 (21) 1393944/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 25.05.74. Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 25.10.74 (51) М. Кл. Н OIL 7/50

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР па делам изааретений и открытий (53) УДК 621.382(088.8) (72) Авторы изобретения

Я. М. Пинчук, Н. В. Богданова, В. В. Зайцев, Л. С. Рахленко и В. И. Френкель (71) Заявитель (54) РАСТВОР ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ НИКЕЛЯ

НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ

Предмет изобретения

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано при получении контактных слоев к полупроводниковым структурам.

Известно, что для создания омических контактов к полупроводниковым структурам используется химическое осаждение никеля из щелочных и кислотных растворов. Однако при осаждении из щелочных растворов имеют место неустойчивость покрытий при высоких температурах и неравномерность и несплошность покрытий.

Покрытия из кислых растворов, содержащих хлорид никеля, гипосульфит натрия, натриевые соли органических кислот и глицин, в целом, давая более качественные покрытия, не обеспечивают достаточной прочности и сплошности покрытия на полупроводниковых структурах.

Цель изобретения вЂ” разработка состава кислого раствора, обеспечивающего высокое качество покрытий на полупроводниковых структур ах.

Это достигается оптимизацией количества глицина в растворе.

Уменьшение количества глицина (15 г/л) по сравнению с вводимым в известных растворах (30 г/л) повышает в 2 вЂ” 3 раза стабильность раствора и обеспечивает высокое качество сцепления и сплошность получаемых покрытий.

5 Оптимальный состав раствора для получения покрытия на полупроводниковых структурах содержит (рН 5 вЂ” 5,5), г/л: хлорида никеля вЂ” 18 вЂ” 25, гипофосфита натрия вЂ” 25 вЂ” 85, янтарно-кислого натрия вЂ” 22 вЂ” 30, глицинавЂ”

10 до 15. Покрытие осуществляют при нагревании раствора до 90 вЂ” 95 С.

Предлагаемый раствор может найти применение для получения легирующих покрытий, причем содержание фосфора в покрытии до15 стигает 10%.

Раствор для осаждения слоев никеля на

20 полупроводниковые структуры, содержащий хлорид никеля, гипофосфит натрия, натриевую соль органической кислоты и глицин, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью улучшения прочности сцепления между полупроводнико25 вой структурой и контактными слоями и улучшения сплошности покрытия, количество глицина взято не более 15 г/л.

Способ лужения выводов полупроводниковыхприборов // 328518

Способ получения контактных выступов // 315229

Патент 156250 // 156250

Способ изготовления цинко-германиевого поверхностно- барьерного триода // 104970

Способ изготовления контактных медно-окисных выпрямителей // 22817

Способ формирования медных дорожек на диэлектрических подложках // 2295171

Изобретение относится к технологии формирования медных дорожек на диэлектрических подложках

Состав для электрохимического нанесения хромовых покрытий на кремнийсодержащие материалы // 2062525

Изобретение относится к области электрохимиии, в частности к получению хромовых покрытий на полупроводниковых материалах, в частности на кремнии -n и -p типа и силицидах 3d-переходных металлов

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2031479

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов Шоттки

Способ получения электропроводящего полимерного покрытия на подложке // 2035803

Изобретение относится к технологии производства электронной техники и касается нанесения активного диэлектрика или полупроводника на полупроводниковые подложки

Электрохимический способ получения тонких слоев сплава теллура с висмутом // 439862

Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности // 2539895

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано при изготовлении полупроводников. Композиция содержит по меньшей мере один источник меди и по меньшей мере одну добавку, получаемую путем реакции многоатомного спирта, содержащего по меньшей мере 5 гидроксильных функциональных групп, с по меньшей мере первым алкиленоксидом и вторым алкиленоксидом из смеси первого алкиленоксида и второго алкиленоксида. Способ включает контакт композиции для нанесения металлического покрытия с подложкой, создание плотности тока в подложке в течение времени, достаточного для осаждения металлического слоя на подложку. Технический результат: обеспечение заполнения отверстий нанометрового и микрометрового размера без пустот и швов. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 1 табл., 7 ил., 8 пр.

Способ электрической пассивации поверхности монокристаллического кремния // 2562991

Изобретение относится к технологии обработки кремниевых монокристаллических пластин и может быть использовано для создания электронных структур на его основе. Способ электрической пассивации поверхности кремния тонкопленочным органическим покрытием из поликатионных молекул включает предварительную подготовку подложки для создания эффективного отрицательного электростатического заряда, приготовление водного раствора поликатионных молекул, адсорбцию поликатионных молекул на подложку в течение 10-15 минут, промывку в деионизованной воде и сушку подложки с осажденным слоем в потоке сухого воздуха, при этом в качестве подложки использован монокристаллический кремний со слоем туннельно прозрачного диоксида кремния, с шероховатостью, меньшей или сравнимой с толщиной создаваемого покрытия, предварительную подготовку кремниевой подложки проводят путем ее кипячения при 75°C в течение 10-15 минут в растворе NH4OH/H2O2/H2O в объемном соотношении 1/1/4, для приготовления водного раствора поликатионных молекул использован полиэтиленимин, а во время адсорбции поликатионных молекул на подложку осуществляют освещение подложки со стороны раствора светом с интенсивностью в диапазоне 800-1000 лк, достаточной для изменения плотности заряда поверхности полупроводниковой структуры за время адсорбции. Техническим результатом изобретения является уменьшение плотности поверхностных электронных состояний и увеличение эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда на границах раздела «органический слой - диэлектрик» и «диэлектрик - полупроводник». 5 ил., 6 табл., 3 пр.

Полевой транзистор и способ изготовления полевого транзистора // 2631405

Предоставлен полевой транзистор, содержащий электрод затвора, предназначенный для приложения напряжения затвора, электрод истока и электрод стока, оба из которых предназначены для вывода электрического тока, активный слой, образованный из оксидного полупроводника n-типа, предусмотренный в контакте с электродом истока и электродом стока, и изолирующий слой затвора, предусмотренный между электродом затвора и активным слоем, при этом работа выхода электрода истока и электрода стока составляет 4,90 эВ или более, а концентрация электронов - носителей заряда оксидного полупроводника n-типа составляет 4,0×1017 см-3 или более. Изобретение обеспечивает получение полевого транзистора, электроды истока и стока которого имеют высокую устойчивость к процессу термообработки и обработке в окислительной атмосфере и имеют низкое удельное электрическое сопротивление, при этом транзистор не требует наличия буферного слоя. 5 н. и 10 з.п. ф-лы, 24 ил., 19 табл.