Формирователь импульсов на моп-транзисторах

1426125

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советски»

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 11.02.72 (21) 1746407/26-9 с присоединением заявки (32) Приоритет

Опубликовано 15.03.74. Бюллетень № 10

Дата опубликования описания 15.08.74 (51) М. Кл. Н 03k 19!08

Н 031с 19/00

Н 031< 3/26

Гасударс теанный камите1

Саввта Министраа СССР

Ао делам иэааретенин и атнрытий (53) У Д1, 681 325.65 (088.8) (72) Авторы изобретения

А. Г. Солод, С. И. Яровой и С. В. Высочина (71) Заявитель (54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ

НА MOll-ТРАНЗИСТОРАХ

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для формирования импульсов.

Известен формирователь импульсов на

МОП-транзисторах, содержащий входной инвертор с динамической токостабилизирующсй нагрузкой, выходной двухтактный усилитель и смещающий конденсатор.

С целью уменьшения длительности спада выходного импульса в предлагаемый формирователь на МОП-транзисторах введен дополнительный двухтактный усилитель, затворы транзисторов которого соединены параллельно с затворами транзисторов выходного усилителя, и дополнительный транзистор, исток которого подключен к стоку нагрузочного транзистора входного инвертора, а затвор и сток — к полюсу источника питания, причем одна обкладка смещающего конденсатора подключена к выходу дополнительного усилителя, а другая — к средней точке соединения дополнительного транзистора и входного ннвертора.

На фиг. 1 приведена принципиальная электрическая схема предлагаемого формирователя; на фиг. 2 — временные диаграммы работы формирователя.

Формирователь содержит входной инвертор

1 на транзисторах 2, 3 и 4. Динамической стабилизирующей нагрузкой инвертора 1 является транзистор 2. К выходу формирователя подключен выходной двухтактный усилитель на транзисторах 5 и 6. Параллельно затворам транзисторов 3 и 4 включены затворы транзи5 сторов 7 и 8 соответственно, образующих дополнительный двухтактный усилитель. Затвор и сток транзистора 9 соединены с полюсом источника питания. а исток подключен к истоку транзистора 3. Одна обкладка смещающего

10 конденсатора 10 подключена к выходу двухтрактного усилителя на транзисторах 7 и 8, а другая — к средней точке соединения транзистора 9 и входного инвертора 1. Выходом формирователя является клемма 11, а вхо15 дом — клемма 12, Формирователь работает следующим образом.

В момент 1а (исходное состояние) на выходе формирователя (клемма 11) возникает от20 рицательный потенциал, который открывает транзисторы 4, 5 и 6, при этом в точке а устанавливается низкий потенциал, близкий к потенциалу земли (фпг. 2, U,„). В точках б и в также устанавливаются низкие потенциалы

25 (фиг. 2, U;„U„), так как транзисторы 5 и 7 заперты низким напряжением, поступающим на их затворы с выхода открытого транзистора 4. конденсаторы 10 и 13 в исходном состоянии

30 заряжены до напряжения, равного потенциа420125

Предмет изобретения

Йсл

gf2

-Vp

Составитель Ю. Еркин

Техред Л. Богданова

Редактор T. Морозова

Корректор Л. Чуркина

Заказ 1858/13 Изд. № 1396 Тираж 811 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, %-35, Раушская наб., д. 4)5

Типография, пр. Сапунова, 2 лам в точках г и д (фиг. 2, U„U ). Полярность напряжения на обкладках конденсаторов 10 и 13 указаны на фиг. 1.

При подаче на входную клемму 12 в момент t> положительного перепада напряжения транзисторы 4, 6 и 8 закрываются. Отрицательный потенциал в точке а нарастает, что приводит к повышению потенциала в точке г.

Когда напряжение U, достигнет порогового напряжения открывания транзистора 7, последний начинает проводить, и напряжение в точке в (фиг. 2, U„) также начинает повышаться, что в свою очередь, приводит к повышению напряжения в точке д (фиг. 2, U ).

Когда напряжение U, достигнет порогового значения открывания транзистора 5, последний открывается, и в точке б начинает нарастать отрицательное напряжение Уб.

Скорость нарастания отрицательного напряжения на выходной клемме 11 при емкостной нагрузке 14 определяется зарядным током, протекающим через открытый транзистор 5.

Математически можно показать, что между током заряда емкости нагрузки 14 и эффективным напряжением, которое равно U,— U.-— с>б, СУЩЕСтВУЕт КВаДРатИЧНаЯ ЗаВИСИМОСтЬ (U> — напряжение отпирания транзистора 5), позволяющая получить значительное увеличение зарядного тока при увеличении эффективного напряжения.

Увеличение эффективного напряжения достигается благодаря тому, что скорость нарастания напряжения U, больше скорости нарастания напряжения Уб, t> (фиг. 2) — момент окончания входного импульса.

Формирователь импульсов на МОП-транзисторах, содержащий входной инвертор с динамической токостабилизирующей нагрузкой, выходной двухтактный усилитель и смещающий конденсатор, отличающийся тем, что, с целью уменьшения длительности спада выходного импульса, в него введен дополчи10 тельный двухтакт ый усилитель, затворы транзисторов которого соединены параллельно с затворами транзисторов выходного усилителя, и дополнительный транзистор, исток которого подключен к стоку пагрузочного транзи15 стора входного инвертора, и затвор и сток к полюсу источника питания, причем одна обкладка смещающего конденсатора подключена к выходу дополнительного усилителя, а другaÿ — к средней точке соединения допол20 нительного трапзистора и входного инвертора.