Патент ссср 420100

<щ 420100

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 23.03.72 (21) 1762292/26-9 с присоединением заявки (32) Приоритет

Опубликовано 15.03.74. Бюллетень № 10

Дата опубликования описания 15.08.74 (51) М. Кл. Н 03k 3/281

Государственный комитет

Совета Министров СССР ва делам изобретений н открытий (53) УДК 621.373.531.1 (088.8) (72) Автор изобретения

Ю. Н. Ерофеев (71) Заявитель

Ф

МУЛЬТИ ВИБРАТОР

Изобретение относится к области импульсной техники. Мультивибратор может быть использован, например, в качестве генератора тактовых импульсов, синхронизирующего устройства, задающего генератора импульсов, Известен мультивибратор на двух транзисторах разного типа проводимости с коллекторно-базовыми RC-связями. Такой мультивибратор имеет высокое значение скважности выходных импульсов, однако требует наличия двух разнополярных источников питания и отличается значительным разбросом длительности импульсов и нестабильностью частоты их повторения.

Целью изобретения является повышение стабильности частоты повторения и длительности импульсов. Это достигается тем, что между точками соединения резисторов и конденсаторов коллекторно-базовых RC-связей включен диод.

На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого мультивибратора.

Мультивибратор выполнен на транзисторах

1 и 2 разного типа проводимости с коллекторно-базовыми RC-связями, одна из которых образована резистором 3 и конденсатором 4, а другая — резистором 5 и конденсатором 6, и содержит коллекторные нагрузки 7 и 8 (резисторы), резистор 9 и диод 10. Диод включен между точками соединения резисторов 3, 5 и конденсаторов 4, 6. Мультивибратор выполнен симметричным.

После включения источника питания эмиттерные переходы транзисторов смещаются в прямом направлении. Выбором величины сопротивления резистора 9 добиваются того, что оба транзистора начинают работать в активном режиме, что обеспечивает мягкий режим возбуждения. При наличии достаточно боль10 шого (большего 1) коэффициента усиления в петле обратной связи процесс включения транзисторов развивается лавинообразно и заканчивается насыщением транзисторов.

После насыщения транзисторов тока базы Уо

15 каждого транзистора складывается из тока

Jp, протекающего через резистор 9, и тока У, заряда конденсатора коллекторно-базовой RCсвязи, т. е. Уо= У(+Ус.

Цепь заряда конденсаторов представляет

20 собой импульсный мостовой элемент, образованный резисторами и конденсаторами коллекторно-базовых RC-цепей с диодом в одной диагонали и источником питания в другой.

Конденсаторы 4 и 6 заряжаются независимо, 25 каждый с постоянной времени О =С(г+го), где С вЂ” емкость конденсатора, r — сопротивление резистора коллекторно-базовой RCсвязи, го — входное сопротивление насыщенного транзистора. Обычно го((г и 61 — — Сг.

30 Когда каждый из конденсаторов зарядится

420100

Предмет изобретения

Составитель Г. Челей

Редактор T. Юрчикова Техред Л. Богданова Корректор И. Позняковская

Заказ 1910/14 Изд. № 1389 Тираж 811 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушскач наб., д. 4/5

Типография, пр, Сапунова, 2 до напряжения, равного половине напряжения источника питания, отпирается диод 10 и ток заряда конденсаторов практически скачком падает до нуля, поэтому через время т=0,70> импульсная составляющая базового тока У, скачком уменьшается до нуля и остается только составляющая 1в, Составляющая коллекторного тока при этом равна Е/2ã. При выполнении условия /4)2Вмr, где Яв — сопротивление резистора 9, В„,— коэффициент усиления транзисторов по току, тока базы /в недостаточно для насыщения транзисторов. Тогда при любом значении В(Вм через время т транзисторы выходят из режима насыщения, происходит лавинный процесс запирания и формирование импульса заканчивается.

Транзисторы закрываются и далее транзистор

1 удерживается в запертом состоянии напряжением, накопленным на конденсаторе 6, а транзистор 2 — напряжением, накопленным на конденсаторе 4. Запирающее напряжение уменьшается от Е/2 до нуля за время tr„где р — 1п 2 =. 0,35CR6

Период колебаний определяется выражением

T=tр+т — tð, скважность—

Так как )В„, то q)В„+1.

2r

Период генерируемых колебаний можно изменять величиной сопротивления резистора 9 путем его увеличения относительно минимального значения Я в„,„„= 2B„r.

Таким образом, зависимость длительности импульсов от разброса значений коэффициен10 та усиления транзисторов по току исключается. Исключается также зависимость периода колебаний, поскольку начальное напряжение на конденсаторах всегда фиксируется на уровне половины напряжения источника пи15 тания.

20 Мультивибратор на двух транзисторах разного типа проводимости с коллекторно-базовыми RC-связями, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности частоты повторения и длительности импульсов, между

25 точками соединения резисторов и конденсаторов коллекторно-базовых RC-связей включен диод.