Патент ссср 410494

 

О и ЫЙА.итае

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

410494

Союз Советских

С эциалистиыеских

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 15.Х.1971 (№ 1705930/26-25) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 05.1.1974. Бюллетень № 1

Дата опубликования описания 12Х.1974

М. Кл. Н 011 7/68

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий уДК 621.382(088.8) Авторы изобретения

И, М. Глазков, Г. П, Кузьмичев, Е. E. Онегин, О. К. Твердов и В. Ф. Волос

Заявитель

УСТАНОВКА ДЛЯ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КОНТАКТНЫХ

РАМОК К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ КРИСТАЛЛАМ

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов, в частности оборудования для присоединения контактных рамок, выполненных на ленте, к контактным площадкам кристалла интегральных схем, диодных матриц, транзисторов, собираемых ленточным способом.

Известна установка для присоединения контактных рамок к полупроводниковым кристаллам, содержащая лентопротяжный механизм, ловители, рабочий столик, сварочную головку и держатель кристалла. Контактная рамка фиксируется ловителями над рабочим столиком. Держатель кристалла вручную устанавливается над поверхностью рабочего столика таким образом, чтобы боковые стороны центрирующего отверстия для кристалла совпали с краями выводов контактной рамки. После этого полупроводниковый кристалл устанавливают в центрирующее отверстие держателя кристалла. Боковые стороны центрирующего отверстия скошены для приема и удержания кристалла, имеющего скошенные боковые грани, причем кристалл располагается лицевой стороной вниз. Сварочная головка опускается и приваривает сварочным инструментом контактную рамку к кристаллу. Рабочий столик служит жестким упором, а необходимое для сварки нагружение обеспечивается сварочной головкой.

Недостатками описанной установки являются следующие: ограниченность сферы ее применения (установка приспособлена только для работы с кристаллами, имеющими скошенные

5 боковые грани), низкая точность совмещения кристалла с контактной рамкой; присоединение кристалла к контактной рамке лицевой поверхностью вниз, т. е. «вслепую», что снижает выход годных изделий.

10 Цель изобретения — повышение производительности и выхода годных изделий.

Эта цель достигается тем, что установка содержит устройство совмещения контактных рамок с полупроводниковыми кристаллами, O

15 состоящее из трех независимых прижимов, расположенных на расстоянии, кратном шагу ленты, один из которых закреплен жестко на корпусе, а другой выполнен подвижным для перемещения ленты к третьему (центрально20 му) прижиму. Под этим прижимом расположены закрепленные на салазке с вертикальной осью штыри-ловители, между которыми размещен рабочий столик, смонтированный

Hа микроманипуляторе. Столик выполнен в

25 виде подпружиненной снизу каретки с вертикальной осью и снабжен двумя упорами, один из которых предназначен для регулировки расстояния между кристаллом и контактной рамкой при их совмещении, а другой является

30 ограничителем хода рабочего столика при за410494

65 хвате кристалла автооператором из кассеты— накопителя.

Сварочная головка содержит упор, регулирующий опускание сварочного инструмента, производящего при этом отгибку выводов ниже плоскости контактной рамки.

Такая конструкция обеспечивает автоматическое базирование контактных рамок независимо от неточйости подачи ленты на шаг с одновременной автоматической подачей ориентированных кристаллов с необходимым зазором на рабочий столик для совмещения кристалла с контактной рамкой.

На фиг. 1 схематично показана предложенная установка; на фиг. 2, а — подача кристалла на рабочий столик; б — совмещение кристалла с контактной рамкой; в — присоединение контактной рамки к кристаллу.

Установка для присоединения контактных рамок к полупроводниковым кристаллам содержит механизм 1 подачи ленты с контактными рамками; рабочий столик 2, установленный на микроманипуляторе 3; устройство 4 совмещения контактных рамок с кристаллами, автооператор 5, кассету — накопитель 6, сварочную головку 7, привод 8.

Устройство 4 совмещения контактных рамок с полупроводниковыми кристаллами содержит три независимых прижима 9, 10, 11, расположенных на расстоянии, кратном шагу ленты; прижим 9 закреплен жестко на корпусе, а прижим 10 выполнен подвижным для перемещения ленты к центральному прижиму 11. Под прижимом 11 расположены штыри-ловители

12, закрепленные на вертикально перемещающейся салазке 13. Между штырями-ловителями 12 размещен рабочий столик 2, смонтированный на микроманипуляторе 3 и выполненный в виде вертикально перемещающейся каретки, приводимой в движение приводом 8 через рычаг 14. Для создания нагружения при сварке рабочий столик 2 снабжен снизу пружиной 15. Ход рабочего столика 2 ограничен двумя упорами 16 и 17, один из которых 16 служит для регулировки расстояния между кристаллом и контактной рамкой при их совмещении, а другой (упор 17) является ограничителем хода рабочего столика 2 при захвате кристалла из кассеты-накопителя 6 аВтооператором 5. Сварочная головка 7 снабжена упором 18, регулирующим опускание сварочного инструмента 19. Визуальный контроль совмещения кристалла с контактной рамкой осуществляется оператором при помощи проектора 20.

Контактные рамки привариваются к кристаллам следующим образом. Перед запуском установки механизм 1 подачи ленты настраивают таким образом, чтобы перфорационные отверстия ленты несколько не доходили до оси штырей-ловителей 12. После этого осуществляется,наладочный цикл: подача кристалла на рабочий столик 2 и проверка совмещения контактной рамки (устройство совмещения 4) без последующей сварки.

Механизм подачи ленты 1 подает лепту на шаг, после чего отрезок натянутой ленты зажимается прижимами 9 и 10. Зажим механизма 1 разжимается, и механизм возвращается в исходное положение. Подвижный прижим 10 перемещает конец отрезка ленты к центральному прижиму 11 таким образом, чтобы перфорационные отверстия ленты оказались по другую сторону оси штырей-ловителей 12 и образовалась свободная петля на ленте, чем обеспечивается свобода перемещения базируемой контактной рамки. Установленные на подвижной салазке 13 штыри-ловители 12 входят в перфорационные отверстия ленты, и центральный зажим 11 осаживает и зажимает совмещенную контактную рамку. После этого прижимы 9 и 10 разжимаются, прижим 10 возвращается в исходное положение, а лента вытягивается в обе стороны от зоны ловления, чем устраняется погрешность подачи ленты на шаг.

Одновременно с совмещением контактной рамки производится подача кристалла. Рабочий столик 2 рычагом 14 от привода 8 доводится до упора 17 и автооператор 5, захватив кристалл из кассеты-накопителя 6, устанавливает его на рабочий столик 2 (фиг. 2а), Затем автооператор 5 уходит к кассете-накопителю

6, рычаг 14 отводится в нейтральное положение, а рабочий столик 2 под действием пружины 15, обеспечивающей необходимое нагружение при сварке, поднимается до упора 16, который устанавливает необходимый зазор между совмещенной контактной рамкой и кристаллом, а оператор при помощи микроманипулятора 3 совмещает контактные площадки кристалла с выводами контактной рамки по экрану проектора 20.

После этого оператор включает автоматический цикл, за время которого производится сварка совмещенной контактной рамки и кристалла и подача следующей контактной рамки и кристалла. Сварочная головка 7 опускается до упора 18, который ограничивает опускание сварочного инструмента 19 ниже плоскости контактной рамки (фиг. 2, в), отгибающего выводы кбнтактной рамки. Рабочий столик 2 отходит от упора 16, чем обеспечивается необходимое для сварки нагружение, и включается ультразвуковая сварка. После окончания сварки сварочная головка 7 поднимается, позволяя просматривать зону сварки под проектором 20. Штыри-ловители 12 выходят из перфорационных отверстий, центральный прижим

11 освобождает ленту, которая перемещается на шаг, и производится очередное автоматическое совмещение контактной рамки и загрузка кристалла аналогично описанному. В конце автоматического цикла оператор совмещает кристалл с контактной рамкой, и начинается новый цикл сварки.

Предмет изобретения

Установка для присоединения контактных рамок к полупроводниковым кристаллам, со410494 держащая лентопротяжный механизм для перемещения ленты с контактными рамками на шаг, фиксатор ленты, рабочий столик, сварочную головку, автооператор для загрузки кристаллов и механизм привода, о т л и ч а ющ а я с я зем, что, с целью повышения производительности и выхода годных изделий, она содержит устройство совмещения контактных рамок с полупроводниковыми кристаллами, состоящее из двух независимых прижимов, один из которых закреплен жестко на корпусе, а другой выполнен подвижным для перемещения ленты к фиксатору, под которым располоясны закрепленные на салазке с вертикальной осью штыри-ловители с размещенным между ними рабочим столиком, установленным на микроманипуляторе, выполненным в виде подпружиненной снизу каретки с вертикальной осью и снабженным двумя упорами, один из которых предназначен для регулировки расстояния между кристаллом и контактной рамкой при их совмещении, а другой является ограничителем хода рабочего столика при захвате кристалла автооператором из кассеты-н aKîïèòåëÿ.

410494

Составитель Н. Островская

Техред Т, Ускова

Редактор Т. Орловская

Корректор А. Дзесова

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 1067(9 Изд. Ла 333 Типаж 760 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Патент ссср 410494 Патент ссср 410494 Патент ссср 410494 Патент ссср 410494 

 

Похожие патенты:

В птб // 406244

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх