Установка для скрайбироваиия полупроводниковых

 

1=оюз Советских

Соцналнстнчеекнх

Мслублнк

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К ABTOPCKQMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

>М Кл, Н 01! 7/0)8

Заявлено 01.Xl.1971 (_#_ 17100)31/26-25) с присоединением заявки ¹-Йсудерстаенный комитет

Сааета Министров CCCt) IIII делам изооретони

II tt t lI 1II)I I)I II

Приоритет—

0113б)ликовяпо 05.Х 1073. !бюллетень № 45

УДК 621.328(088.8) Дата опуолпковаиия описания 21.H.1074

Авторы изобретения

Н. И. Фейтиилв, А, 1О l(I)tt<)HAattч, А. А. ВедеГ)и11клв it «1. И. Зяйдель

Заявитель

Ус)1АНОВКА ДЛЯ С. КРАЙВИРОВАН1ИЯ ПОАУПРОВОДНН1КОВЫХ

ПЛАС1И Н

1;) Меланизм перемещения 2 устройства со» мещения включает в себя корпус 11 (фпг. 2) с паправля1ощпмп призмами 1, по которы)1 перемещается горизонтальная карсп<а 18 11о средством ручки 14, винта !5 и гайки !6. Го ризо11тял1>пяя кяреткя 18 имеет папряв, III to

1цис, по которым перемеп(ястся вертикальная каретка 17 с II3llp3131Hþùè)lè призмами !8.

ГIо паправля1ощим скалкам 19 гo1)113oll2 ) тальпой каретки 18 перемещается ползупок

20 с пальцем 21 и сухарем 22, взапмодсйс1вующим с наклонным пазом каретки !7 и вызывающим вертикальное ее веремея(ецш .

Перемещение ползунка 20 осуществляется по30 средством ручки 28, винта 2.! и гайки 25.

Изооретепие относится к электронной техи пкс.

Известна установка для скрайбироваиия полупровод11иковых пластин, содержащая координатный стол с шаговым приводом, резец с мехапизмом крепления, вакуумный патрои, механизм ориентации полупроводиикоBoff пластины, устройство совмеще11ия полупроводниковой fl;13cTIIlli>I с линией скрайбироваиия, выполненное и виде бипокуляриой оптической системы с разнесенными полямп зрения. Эта система сложна по конструкции, так как иеобходим механизм угловой ориентации всего устройства совме1цепия.

Целью изобретения является упрощение (стаповкп для скрайбпровапия полупроводниковых пластин и улу ппепие условий работы оператора.

Поставленная цель достигается тем, что в механизме перемещения двупольиого оптического устройства совмещения полупроводниковой пластины с линией скрайбироваиия в одной из кареток выполнен наклонный паз, взаимодействующий с пальцем ползуна другой каретки. Обе каретки мехапизма перемещения имеют привод от винтов, расположенных па одной оси.

IIa фиг. 1 1юказапа предложеппая устаиовка, общий вид; на фиг. 2 — механизм перемещения двупольцого оптического устройства, Установка для скрайбпровяпия полупро11о1(пиковых пластин (фпг. 1) содержит устройство совмещения 1 полупроводниковой пластины с линией скрайбироваппя, мсхя;) цизм перемещения 2 устройства совмещения, резец с механизмом крепления 8, координат пый стол 4, вакуумпый патрон 5, механизм ориентации 6 полупроводниковой пластины механизм 7 подъема и опускания резца.

111 Устройство совмещения 1 содержит объективы 8 и 9, установленные в блоке 10, кото рый может поворачиваться вокруг всртпк;1 11.

1Ой ОСИ. Э

406245

Каретка 17» верх»ей части имеет паз, в котором перемещается и фиксируется оптическое устройство совмещения 1.

Установка работает следующим ооразом.

I1ept3o«aчальп0 настраивают д»упольпос устройство co»ilclllcIIHII 1 (фиг. 1) опюситс. п.по линии реза, для чего на вакуумном патропс 5 закрепляют пробную пластинку и проводят па пей резцом JlHIIHfo. После этого перемещают ручкой 28 (фиг. 2) ползу» 2(7, палец 21 которого, г3запмодсйствуя с паклоппым пазом, IICpcìå»Iàñò каретку 17 с устройством совмещения 1 в вертикальном направлении, тем самым изобра>ке»ие !lac!patt»ают па резкость.

Затем перемещают устройство совмещения 1 I3 верхнем пазу каретки 17 механизма перемещения 2 до тех»op, пока на экране

tte появится изображение линии реза от двух объсктпво» 8 и 9 (фиг. 1), после чего устройство сов>!сн!спия 1 фиксируют в пазу. Пово13 ач ива!О блок 10 Oб bCKTII13013 BOIке»ия линии

1эезя О !. двх х Объек и»ОВ 8 и 9 пя экрапе устройства COI33ICIIILIIIIH 1.

После этого перемещают ручкой 14 (фиг. 2) каретку горизонтальных перемещений

18 до тех пор, пока совмещенное изображеItH0 линии реза пе совпадет с визир»ой линией на экране устройства совмещения 1. После совпадения пробную пластинку спимают с вакуумного патрона 5 и закрепля3от обрабатываемую.

Механизмом ориентации 6 совмеща!от место реза с визирной линией на экране устройства совмещепия 1, после чего включается автоматический цикл, производят

О скрайбироваппе в одном направлении„По окончании вакуумный патрон 5 с пластинкой разворачивается»а 90 . Производится линейное совмещение места рсза с визирной линией tta экране устройства совмещения 1, и

10 цикл повторяется в другом направлении. По окончании цикла пластинку снимают и пода-! от па операцию разламывания.

Предмет изобретения

Уста!ювка для скрайбировапия полупроB01IIIHIcoBblY плястип, содер>кящяя коордипят-! ый стол с шаговым приводом, резец с ме2() ха»измом крепления, вакуумный патрон, механизм ориентации полупроводниковой пласпшы, двупольпое оптическое устройство совме!цепия полупроводниковой пластины с линией скраибирования и механизм переме!це2;l пия устройства совмещения, состоящий из двух взаимно псрпепдикулярпых кареток, отличаю!Чаяся тем, что, с целью упрощения копструкции установки и улучшепия условий работы оператора, в одной из кареток выполнен наклонный паз, взаимодействующий

30 с пальцем ползупа другой каретки, причем обе каретки имеют привод от винтов, расположепцых па одной осп.

406245

771

Г7 ZZ

Составитель Ю. Цветков

Техред Л. Богданова Корректор В. Брыксииа

Редактор Т. Орловская

Заказ 667/4 Изд. М 250 Тираж 780 Подписное

ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 7К-35, Раушская наб., д, 4/5

Маяоярослааецкая городская типография Кол ясного областного вправления издательств, полиграфии и книжнОЙ торговли

Установка для скрайбироваиия полупроводниковых Установка для скрайбироваиия полупроводниковых Установка для скрайбироваиия полупроводниковых Установка для скрайбироваиия полупроводниковых 

 

Похожие патенты:

В птб // 406244

Тиристор // 401274

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх