Патент ссср 408454
Союз Советскин
-Соцкаякстическии
Республик
К АВТОРСКОУАУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Заявлено 21.Х11.1971 (№ 1727475/26-9) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет—
Опубликовано 10.XI1. 1973. Бюллетень № 47
Дата опубликования описания 18Х1.1974.
М. Кл. Н 031! 3/53
Н 02h 7/12
Государственный комите
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
УДК 621.316.9(088.8) Авторы изобоетения
В. В. Овчаренко, Н. А. Кушнир, H. П. Макарущен
А. И. Иванченко
Заявитель
1 с -?
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАЩИТЫ СИЛОВОГО ТРАНЗИСТОРА, РАБОТАЮЩЕГО В ИМПУЛЬСНОМ РЕЖИМЕ
Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для защиты сило вого транзистора, работающего, например, в устройстве для заряда конденсатора.
Известно устройство для защиты преобразователя, содер>кащее транзистор, стабилитроны, подключенные через резисторы IK источнику питания.
Однако в известном устройстве не преду;мотрена защита силового транзистора o перегрузки по мощности„превышающей допустимуюю.
Целью изобретения является .предот вращ;н ие:перегруз ки силового транзистора по мощ,ности, превышающей допустимую.
Для этого между, коллектором и стабилитроном включен диод с накоплением заряда (ДНЗ), анодом к коллектору, а параллельн:. стабилитрону через резистор подключен д >полнителыный источник, питания.
На чертеже приведена схема устройства ,для защиты 11ранзистора.
Устройство для защиты силового транзистора, работающего в импульсном режиме, содержит транзистор 1, дроссель-трансформатор ?, диод 8, накопительный, конденсатор 4, дополнительный источник питания 5, ДНЗ б, рези-стор 7, стабилитрон 8.
Устройство работает |следующим образом.
В течение некоторого интервала времени транзистор 1 открыт и .в дросселе-трансформ..!торе 2 линейно нарастает ток, так как в силу указанного направления включения обмоток диод 3 закрыт. После достижения маисималь5 ного значения тока коллектора (он же тэк дросселя), то есть после достижения максимальной за пасенной энергии в дро сселе-тран— форматоре 2, транзистор 1 закрьнается. При этом кзллекторное напряжение начинает быст10 ро возрастать.
Коллекторный же ток спадает гораздо ме,.iленнее и скорость его спада определяет я инерционностью транзистора. В течение этого времени и происходит выделение огромной
15 импульсной мощности, губительHOII для транзистора. После дости>кения коллекторным напряжением того уровня, при котороа! открывается диод, начинается передача энергии, запасенной в дросселе-трансформаторе 2, нако20,пительному конденсатору 4.
Предполагается, что ДНЗ б имеет время вкл!оченпя намного меньше, чем у транзисгора, и достаточно большой накопленный заряд.
При открытом транзисторе через него про25 текает до полнительный ток по цепи: положительный полюс дополнительного источни ..::: питания 5, транзистор 1 ДНЗ б, резистор 7, отрицательный полюс источника 5, так как на пряжение стабилизации стабилитрона
30 больше суммарного падения напряжения на
408454
Составитель М. Порфирова
Редактор А. Зиньковский Техред Т. Ускова Корректор А. Дзесова
Заказ 179 Изд. № 320 Тираж 768 Подписное.
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР,по делам изобретений - и открытий
Москва, >К-35, Раушская наб., д. 4 5
Типография ¹ 24 Союзполиграфпрома, Москва, 121019, ул. Маркса — Энгельса, 14 транзисторе, находящемся в состоянии насыщения, и ДНЗ б. Резистором 7 можно устанавливать необходимый прямой ток ДНЗ б.
Этот ток .выбирается примерно на порядо, меньше максимального тока транзистор .. ,В течение некоторого интервала времени в
ДНЗ б накапливается заряд. Сразу после запирания транзистора большой ток дроссел г ,протекает от источника E через стабилитрон
8, ДНЗ б, трансформатор 2. Током через резистор 7 можно пренебречь в силу его малости.
Таким образом, .после запирания транзистора через ДНЗ б протекает большой обратный ток.
ЭТИМ ТОКОМ «4ВЫтяГИ ВаЕтея» Заряд ИЗ ДНЗ б, наколленный при открытом транзисторе.
В это время (IBQ:Bðåìÿ обратного тока через
ДНЗ б) падение напряжения на транзисторе1 будет определяться падением напряжения на
ДНЗ б и напряжением с1". Если с1" .выбрагь ,порядка 3 — 5 в, то падение напря>кения на транзисторе 1 составит единицы вольт.
Таким образом, большая импульсная мощ-ность будет выделяться на ДНЗ б. Однако для
ДНЗ б это не представляет большой опасно сти, та к как время запира ния ДНЗ б на один5 .д ва порядка меньше, чем у силового транзистора 1.
Предмет изобретения
Устройство для защиты силового транзи сто1р ра, работающего в импульсном режиме, например, в устройстве для заряда конденсатора, содержащее стабилитрон, подключенный параллельно участку коллектор-эмитгер силpвого транзистора, отличающееся тем, что, с целью предотвращения перегрузки силового транзистора по мощности, превышающей д>пустимую, между коллектором и стабилитроном включен диод с накоплением заряда, анодом к коллектору, а параллельно стабилитрону через резистор подключен дополнительный. источник питания.
