Патент ссср 402059

0 И

ИЗОБРЕТЕНИЯ союз Советскйх

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕйЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹.Ч. Кл. G 11c 11102

Заявлено 14.Х.1970 (№ 1489377/18-24) с присоединением заявки ¹

Государственный комитет

Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий

Приоритет

Опубликовано 12.Х.1973. Бюллетень ¹ 41

Дата опубликования описания 4.III.1974

УДК 681 327 66(388 8) Авторы изобретения

А. В. Осипов и Ю. И. Шойфер

Заявитель

МАГНИТНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в ЗУ на слоистых ферритовых матрицах.

Известны магнитные накопители, содержащие два внешних фсрритовых слоя и средний слой, разделяющий две системы ортогонаlbных проводников, расположенных между внешними слоями, причем все три слоя выполнены из фсррита с прямоугольной петлей гистерезиса. Для записи информации в ЗУ такого типа по одной из систем проводников подают токи, амплитуда которых не должна превышать порогового тока пор: с Р где H, — коэрцитивная сила ферритового материала, р — периметр прямоугольника, ограничивающего поперечное сечение проводника, и равньш p=2(a+b)I, а а и Ь вЂ” соответственно ширина и высота проводника.

Разброс геометрических размеров проводников приводит к дисперсии токов 1„,р, которая снижает однородность характеристик накопителя и, следовательно, приводит к усложнению ЗУ.

С целью устранения этого недостатка предложенное устройство дополнительно содержит на сторонах пластины ферритовый слой из низкокоэрцитивного материала с прямоугольной петлей гистсрсзиса.

H3 IePTP Kf изооРажс H 3131 IIIITIII III накопитель.

5 Он содсржит три фсрритовых слоя. На внешний ферритовый слой 1 нансссна сисTcì3 проводников 2. Второй IIIIvLIII

5 вторым, а слой 3 — третьим. Общая структура отожженной матрицы монолитна. После

20 прессовки отжига c.fkfff 1, 3 и 5 имеют прямоугольную петлю гистсрсзиса. Изготовление внешних фсрритовых слоев 1 и 3 из низкокоэрцитивного QeppIIT;I, а среднего из высококоэрцитивного феррнта дает

I„, Н,.р+Н, 2.1, где H, — коэрцитивная сила среднего фсрритового слоя 5, Н, — коэрцитивная сила внешних фсрЗО ритовых слоев 1 и 3, 41.12359

Для того, чтобы статические и импульсные характеристики устройства определялись параметрами высококоэрцитивного материала пластины 5, его остаточная индукция должна быть ниже, чем у материала внешних слоев

1 и 3.

Магнитный накопитель, содержащий на сторонах ферритовой пластины из высококоэрцитивного материала с прямоугольной петлей

l5 гистерезиса соответственно две системы проводников, причем в каждой системе проводники параллельны между собой, а проводники разных систем перпендикулярны друг к другу, отличающийся тем, что, с целью уп20 ращения, он содержит на сторонах пластины ферритовый слой из низкокоэрцитивного материала с прямоугольной петлей гистерезиса, Составитель Г. Милославский

Редактор Л. Утехина

Техред 3. Тараненко

Корректор Н. Учакина

Заказ 421/14 Изд. № 98

ЦНИИПИ Государственного когиитета по дслаги изобретений и

Москва, Ж-35, Раушская

Типография, пр. Сапунова, 2

А — толщина разделительной пластины 5.

Так как коэрцитивная сила Н, на порядок больше величины Н,, а заданную толщину

Л пластины 5 тех1tîëoãè÷åски можно получить с достаточно высокой степенью точности, то в зависимости от допустимого технологического разброса геометрических размеров проводников 2 и 4 можно подбором толщины Л пластины 5 практически исключить влияние периметра проводника на амплитуду порогового тока.

Из приведенной формулы следует, что использовапие низкокоэрцитивного материала при изготовлении слоев 1 и 3 и высококоэрцитивного при изготовлении пластины 5 приводит к уменьшению порогового тока

1пар гтс 2Л

7пор гтс р и, следовательно, к упрощению устройства.

Предмет изобретения

Тираж 576 Подписное

Совета Министров СССР открьггнй наб., д. 4/5