Способ изготовления запоминающей матрицы

ОПИCAНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

386443

Сова Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 14.11.1972 (М 1747966II18-24) М. 1(л. б 11с 11/02 с присоединением заявки ¹

Приоритет

Комитет по делам изобретеиий и открытий лри Совете Министров

СССР

Опубликовано 14Х1.1973. Бюллетень № 26

Дата опубликования описания 17.IX.1973

УД1 681Ë27.66(088.8) Авторы изобретения

Ю. В. Остапенко, В. В. Бушин, T. П. Боровских и io. П. Панев

Ордена Ленина институт кибернетики AH Украинской ССР

Заявитель

СПОСОБ ИЗГО 1 ОВЛЕ11ИЯ ЗЛПОМИ11А1ОЩЕЙ 1т1АТРИЦЪ|

Предлагаемое изобретение относится к области вычислительной техники, а именно к технологии изготовления интегральных запоминающих матриц.

Известен способ изготовления интегральной запоминающей матрицы посредством многослой ной печати, удаления изолятора между ячейками с последующим формированием конфигурации сетки и нанесением на сетку проводников изотропного магнитного материала с прямоугольной петлей гистерезиса.

И нтегральная запоминающая матрица изготавливается в следующей последовательности.

Сначала методом многослойной печати, из пластика и проводящих слоев получается система проводников задаиной конфигурации, образующая правильно чередующиеся перекрестия между проводниками, которые служат в дальнейшем основой для образования запоминающих элементов. Части пластика между перекрестиями проводников удаляются, и в результате образуются отверстия.

Оставшемуся пластику е заключенными в нем проводниками придается форма решетки, составленной из пересекающихся под прямыми углами цилиндров равного диаметра и с осями, расположенными в одной плоскости. Получившаяся кон струкция покрывается путем химического осаждения тонкой магнитной пленкой, получаемой вэсстановлс пем никеля и кобальта из гипофосфита.

Известный способ имеет следующие недостатки: трудоемкость процесса изготовления

5 матри цы, нетехнологичность; необходима операция удаления пластика В прои«ежуткax х«ежду проводниками и операция придания заданной формы перекрестиям решетки; плохие эксплуатационные характеристики матриц из10 за того, что в матрице и меется сильная емкостная связь между ортогональными проводниками пз-за сплошного магнитного по крытия системы проводников.

Целью изобретения является упрощение и

15 удешевление изгстовления, ул «п«еппе экс. плуатационных характе1м:стпк.

Поставленная цель достигается тем, что диэлектрик, например эпоксидную смолу, onлав20 ляют до образования уголщений нужной конфигурации в перекрестиях проводников. l loлучен«Ч ю матрицу nol py «(ы!От в раствор парафина, образовавшуюся пленку парафина покрывают слоем эпоксидHо, iмолы, оплав25 ляют эпоксидную смолу, растворяют парафин и производят травление магнитного материала.

Предлагаемый способ пзготовлс«п я интегральных запоминающих матриц состоит в

30 следующем.

386443

Из изслирова нных и перпендикулярных I; ким неизолироваиных проводников сплетается сетка. Эта сетка электрофоретическп покрывается слоем эпоксидной смолы с отвердителем. После оплавления при температуре

100 — 120 С под действием сил поверхностного натяжения смола стягивается к узлам сетки, образуя утолщения в перекрестиях, В зависимости от толщины нанесенного слоя смолы утолщения мсгут иметь выпуклую или вогнутую форму поверхности. Для за поминающих элементов наиболее подходящей является поверхность без какого-ли бо изгиба.

Сформированная таким образом подложка полимеризуется при повышенной температуре.

Слой полимера металлизируется. На металлизированную поверхность методом электролитического осаждения наносится слой магнитного материала с прямоугольной петлей гистерезиса.

Металлическое покрытие на участках между узлами сетки устраняется следующим образом, Сетка окунанием покрывается тончайшим слоем парафина, затем электрофоретически покрывается слоем эпоксидной смолы. После подогревания смола собирается в узлах сетки, оголяя проводники между перекрестиями (междоузлия), и после этого, подвергается полимеризаци и. С поверхности участков, не закрытых полимером, парафин удаляется, и оба металла стравливгются. Магнитный материал с прямоугольной петлей гистерезиса остается только в узлах сетки.

Пример изготовления матрицы по предлагаемому способу.

Сплетается сетка из изолированных и перпендикулярных к ни м неизолированных проводников. На нее методом электрофореза наносят суспензию состава; твердая фаза 20 /о0/ нный раствор эпоксидной смолы 3 — 41 в ацетоне и 5% отвердителя по отношению к количеству смолы, в качестве дисперсионной среды используется изопропилсвый спирт. Суспензия готовится 30",о-ной концентрации по отношению к твердой фазе. Осаждение проводится при напряжении 600 в, расстояние между электродами 20 мм, время осаждения 2 иин.

Толщина осажденного слоя 20 — 50 мк. После оплавления при температуре 90 — 100 С под действием сил поверхностного натяжения смола собирается в узлах сетки, образуя поверхность нужной конфигурации, затем полимеризуется при температуре 120 С в течение 1 час, После полимеризации этот слой металлизпруют химическим методом из раствора состава, г/л: сернокислого никеля 30, уксуснокислого натрия 10, гипофосфита натрия 10. Толщина металлического слоя 2 як, Перед металлнзацией поверхность полимера активируется

2%-ным раствором хлористого палладия: на металлизированн ую поверх ость электролитическим методом наносят слой магнитного ма10 териала с прямоугольной петлей гистерезиса.

Состав электроли тической ванны, г/л:

i>,ЗО, 7НгО 340

NiClz. 6Н О 15

ГеЬО,. 7Н О 5 — 12

15 НзРОз 30 сахарин 0,8 лимонная кислота 5 — 7

Осаждение производится при плотности

8 иа/см, время осаждения 20 яин. Толщина

20 осажденного слоя 3 мк.

Для разделения магнитного слоя заготовку покрывают тонким слоем парафина. Для этого ее окунают в раствор парафина в бензине. Парафин обволакивает проводники. Тол25 щина слоя парафина зависит от концентрации приготовленного раствора. Оптимальной является толщина до 1 ик.

Слой парафина электрофоретпчсски покрывается эпоксидной смолой Э-41 из суспенЗ0 зии, описан ной выше. Толщи на слоя Э-41

05 — 1 мк. После оплавления смола стяги>

1 вается в узлы сетки, оголяет пара(рпн в междоузлпях, который затем растворяется в бензине. Открывшиеся участки магнитного мате35 риала стравливаются хлорным железом.

Предмет изобретения

Способ изготовления запоминающей мат40 рицы, за ключающийся в нанесении слоя магнитного материала с прямоугольной петлей гистерезиса на систему проводников, покрытых диэлектриком, отличающийся тем, что, с целью упрощения и удешевления изготов45 ления, улучшения эксплуатационных характеристик, диэлектрик, например эпоксидную смолу, оплавляют до образования утолщений нужной конфигурации в перекрестиях проводников, полученную матрицу погружают в ра50 створ парафина, образовавшуюся пленку парафина покрывают слоем эпоксидпой смолы, оплавляют эпоксидную смолу, растворяют парафин и производят травление магнитного материала.