Патент ссср 401939

 

401939

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН И Я

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 16.111.1972 (№ 1759851/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 12.Х.1973. Бюллетень № 41

Дата опубликования описания 21.П.1974

Ч. Кл. G 01г 31/26

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий

УДК 621.382.3(088 8) Автор изобретения

И. Б. Бычковская

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ

ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ

В„= — — 1 б

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для измерения параметров транзисторов.

Известно устройство для измерения параметров транзисторов в импульсном режиме, в котором для подачи импульсов тока в цепи эмиттера испытуемого прибора использован генератор импульсов. В цепь эмиттера и базы включены сопротивления, параллельно которым через переключатель включен пиковый вольтметр. По вольтметру определяется ток эмиттера и ток базы. Статический коэффициент передачи тока В„определяется из соотношения:

Недостатком известного устройства является значительная (до 10%) погрешность измерений так как точность задания импульсного тока эмиттера испытуемого прибора ограничена невысоким классом точности существующих пиковых вольтметров.

Целью изобретения является повышение точности измерений.

Поставленная цель достигается тем, чlо, стабилизатор тока выполнен на транзисторе, включенном по схеме с общей базой на выходе источника постоянного напряжения питания эмиттера; формирователь импульсов содержит ключевой транзистор, коллектор которого соединен с эмиттером транзистора стабилизатора тока, и генератор управляющих имульсов, выход которого через резистор соединен с базой ключевого транзистора.

Принципиальная электрическая схема предложенного устройства представлена на чертеже.

Питание на эмиттер испытуемого транзисто10 ра 1 подается от источника постоянного напряжения 2 через стабилизатор постоянного тока на транзисторе 3. Транзистор 3 должен иметь ту же полярность, что и испытуемый, и должен пропускать ток в режиме усиления, рав15 ный максимальному, необходимому значению импульсного тока эмиттера испытуемого транзистора. Величина опорного напряжения транзистора 3 определяется стабилитроном 4, в цепь питания которого включено сопротивле20 ние 5. Импульсный режим обеспечивается формирователем импульсов, состоящим из транзистора 6, сопротивлений 7 и 8 и генератора управляющих импульсов 9, выход которого через сопротивление 8 соединен с базой транзи25 стора б. Коллектор транзистора 6 соединен с эмиттером транзистора 3. Переключатель 10 обеспечивает режим запирания транзистора 6.

На выходе стабилизатора тока 3 включен миллиамперметр постоянного тока 11, измеряю30 щий значение тока, установленное с помощью

401939

Составитель 3, Челнокова

Текред Л. Грачева

Корректор В. Жолудева

Редактор Т. Орловская

Заказ 267/9 Изд. М 128 Ти.раж 755 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва. Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 переменного сопротивления 12. Напряжение на коллектор испытуемого транзистора 1 подается от источника постоянного напряжения

13. Ток базы измеряется измерителем 14. При отсутствии испытуемого транзистора 1 выходной ток стабилизатора 3 замыкается через цепочку ограничительных диодов 15, 16, 17.

Устройство работает следующим образом.

На испытуемый транзистор 1 подаются напряжения питания: на эмиттер от источника 2, на коллектор от источника 13. Импульсный режим испытания обеспечивается периодическим запиранием и отпиранием стабилизатора тока 3 при помощи ключа на транзисторе 6.

При подаче на базу ключевого транзистора 6 импульсов запирающей полярности от генератора управляющих импульсов 9 через сопротивление 8 транзистор 6 запирается, а транзистор 3 отпирается, и в цепь эмиттера испытуемого транзистора поступает импульс тока. Амплитуда импульса тока равна величине выходного тока транзистора 3, установленной с помощью переменного сопротивления 12 по миллиамперметру постоянного тока 11. При этом транзистор 6 заперт с помощью переключателя 10. В паузе между импульсами транзистор

6 отпирается и находится в режиме насыщения, который достигается подбором величины сопротивления 8 в цепи его базы. При этом ток источника напряжения 2 замыкается через сопротивление 12 и транзистор 6, а между эмиттером и базой транзистора 3 приложено запирающее напряжение, равное падению папряжения на сопротивлении 5 в цепи питания стабилитрона 4.

Статический коэффициент передачи тока транзистора определяется из соотношения:

В„= — — 1. б

Описываемое устройство позволяет задавать режим испытания на импульсном токе по измерительному прибору постоянного тока высокого класса точности и уменьшить погрешность измерения.

Предмет изобретения

Устройство для измерения параметров транзисторов, например, статического коэффициента передачи тока в импульсном режиме, содержащее источники постоянного напряжения

2о питания эмиттера и коллектора, стабилизатор тока, формирователь импульсов, ограничительные диоды и измерительные приборы, отличаюи1ееся тем, что, с целью повышения точности измерений, стабилизатор тока выполнен на

25 транзисторе, включенном по схеме с общей базой на выходе источника постоянного напряженил питания эмиттера, формирователь импульсов содержит ключевой транзистор, коллектор которого соединен с эмиттером транзи80 стора стабилизатора тока, и генератор управляющих импульсов, выход которого через резистор соединен с базой ключевого транзистора.

Патент ссср 401939 Патент ссср 401939 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх