Усилитель мощности

Й .н

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт, свидетельства №вЂ”

Заявлено 02.Vl I l.1971 (№ 1689525/26-9) Ч,Кл. Н 03f 3/20

Н 03f 1/02 с присоединением заявки №вЂ” осударственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

П риоритет—

Опубликовано 22.Vill.1973. Бюллетень ¹ 34

Дата опубликования описания 24.1.1974

Ъ ДК 621.375.026 (088.8) Авторы изобретения

В. М. Кибакин и H. Б. Нетяшин

Заявитель

УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ

Изобретение относится к области радиотехники.

Известны усилители мощности с трансформаторным током и и-ным количеством источников питания, выполненный по двухтактной схеме на транзисторах в каждом плече.

Однако известные усилители обладают не достаточно большой выходной мощностью.

С целью увеличения выходной мощности база каждого последующего транзистора предлагаемого усилителя через последовательно соединенные дополнительную вторичную обмотку входного трансформатора и диод подключена к эмиттеру предыдущего транзистора.

На чертеже представлена схема предлагаемого усилителя мощности.

Усилитель представляет собой двухтактный каскад, в каждом плече которого содержатся и последовательно включенных транзисторов. Каждая двухтактная пара транзисторов Т,— Т1, Те — T2, ... ҄— Т„подключе на к своему последовательно включенному источнику питания через диоды Д1 — Д1,...

Д. — Д„ .

Нагрузка усилителя включена в эмиттеры транзисторов Ti — Ti .

Для возбуждения используется входной трансформатор T„имеющий од ну первичную обмотку, и 2и-вторичных, намотанных 2и-фи2 лярно. Причем обмотки возбуждения к транзисторам Т и T подсоединяются через резисторы R; и RÄ- непосредственно к базе и эмиттеру соответственно транзисторов Т и

Т1 .

Цепи возбуждения последующих транзисторов выполнены иначе: у оста IbHblx вторичных обмоток один конец подсоединен к базе соответствующих транзисторов, а другой через диоды Д„" и Д„", которые обеспечивают защиту базовых цепей от обратных перенапряжений, к эмиттеру предыдущего транзистора, считая от нагрузки.

В исходном состоянии все транзисторы закрыты, прн этом напряжение на участке эмиттер-коллектор каждого транзистора не

Е + t g - E; ...4, превышает величину + " ", где л

Еь Е2 ... Е „— напряжение соответствующих источников питания, и — число источников.

В случае, если имеет место разброс сопро тивленнй запертых транзисторов, наличие диодов устраняет во ложность перенапряжений на участке коллектор-эмиттер.

С появлением и ростом входного сигнала

«а обмотках % ь % е . М7„наводится одинаковое по амплитуде напряжение сигнала. Однако возрастание входного сипнала приводит зо к появлению базового тока лишь транзистора

394915

Т по цепи: база транзистора T> — резистор

R < — переход эмиттер-база транзистора T> .

Токи баз остальных транзисторов отсутствуют, так как их цепи включают в себя сопротивление участка коллектор-эмиттер предыдущего транзистора (считая от нагрузки) .

Работа одного плеча усилителя происходит следующим образом (другое плечо работает аналогично).

С увеличением входного сигнала открывается только транзистор Ть который работает в активном режиме. Через плечо нагрузки протекает ток от источника Е по цепи: диод Дi — коллектор-эмиттер транзистора T — нагрузка.

При подходе транзистора Т к режиму насыщения сопротивление участка коллекторэмиттер снижается, чем обеспечивается проте кание базового тока транзистора Т>.

Как только динамическое сопротивление участка коллектор-эмиттер транзистора Т, станет равным сопротивлению R< то базовые токи транзисторов Т> и Т> становятся одинаковыми, следовательно, их коллекторные токи также равны. Коллекторный ток транзистора Т2 в момент достижения транзистором Т режима насыщения скачкообразно достигает значения коллекторного тока транзистора Т,.

Дальнейшее увеличение входного сигнала при водит к синхронному возрастанию коллекторных токов транзисторов Ti и Т>, причем транзистор Т2 работает в активном режиме, и транзистор Т, — в режиме насыщения. Ток через одно плечо нагрузки протекает уже от двух последовательно соединенных источни- ков Е, + Е> по цепи: диод Д.. — коллекторэмиттер транзисторов Т2 и Т, — — плечо нагрузки.

Поскольку напряжение на нагрузке, возрастая, становится больше Е,, то диод Д1 отключаетсяя.

При подходе транзистора Т2 к режиму насыщения сопротивление участка коллекторэмиттер транзистора Tg уменьшается, что обеспечивает возмо>кность протекания базового тока транзистора Т,. После дости>кения тра зистором Тг режима, близкого к насыш щению, ток транзистора Тз скачкообразно достигает величины тока транзистора Тg, процесс протекает аналогично.

С уменьшением входного сигнала процессы протекают в обратной последовательности.

Величины напряжения каждого из элементов источника питания выбираются исходя из условия обеспечения равномерной мощности рассеяния на каждом из транзисторов.

Предмет изобретения

Усилитель мощности с трансформаторным входом и и-ым количеством источников питания, выполненный на транзисторах одной

25 проводимости по двухтактной схеме, содержащий в каждом плече и-ое количество транзисторов, соединенных последовательно по постоянному току, причем база первого транзистора каждого плеча соединена с эмиттером з0 этого транзистора через последовательно соединенные резистор и вторичную обмотку входного трансформатора, от,1ичаю цийся тем, что, с целью увеличения выходной мощности, оазя каждого последующего транзис35 тора через последовательно соед:щепные дополнительную вторичную обмотку входного трансформатора и диод подключена к эмиттеру предыдущего транзистора.

Составитель H. Дубровская

Редактор T. Морозова Техред Л. Богданова Корректор Е. Миронова

Заказ Vo бО(4 Изд. № !857 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, K-35, Раушскан иаб., д. 4/5

Загорская типография