Термостабилизированный усилитель
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 24.XI.1971 (№ 1717536/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 05.IV.1973. Бюллетень № 17
Дата опубликования описания 30.V.1973
М. Кл. Н 03f 1/30
Номитет оо иеоав ивобретеиий и открытий ори Совете осииистроэ
СССР
УДК 621,375.122 (088.8) Авторы изобретения
Г. П. Балан, В. Я. Баржин, А. А. Зеленков, Г. В. Кошарновский, Ю. П. Рондин и В. И. Яременко
Заявитель
ТЕРМОСТАБИЛИЗИРОВАННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
Устройство может быть использовано в различной радиотехнической аппаратуре большой мощности.
Известен термостабилизированный усилитель на транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, в коллекторную цепь которого включена нагрузка, а в цепь базы — элемент связи с предыдущим каскадом.
Цель изобретения — обеспечение постоянства коэффициента передачи в широком диапазоне температур. Достигается она тем, что в предлагаемом усилителе последовательно с элементом связи включена зашунтированная блокирующим конденсатором термобатарея, один спай которой имеет непосредственный тепловой контакт с корпусом транзистора, а другой — с окружающей средой через теплоизолирующую прокладку.
Принципиальная схема термостабилизированного усилителя изображена на фиг. 1, конструктивное выполнение термобатареи — на фиг. 2.
Транзистор т включен по схеме с общим эмиттером. В коллекторную цепь его включена нагрузка 2, а в цепь базы введен элемент связи 8 с предыдущим каскадом; последовательно с элементом связи включена зашунтированная блокирующим конденсатором 4 термобатарея 5, через которую проходит постоянная составляющая тока базы транзистора.
Спай б термобатареи имеет непосредственный тепловой контакт с корпусом 7 транзистора, спай 8 — с окружающей средой через теплоизолирующую прокладку 9.
5 При работе усилителя из-за рассеиваемой в транзисторе мощности между корпусом транзистора и окружающей средой возникает разность температур, которая вызывает появление на полюсах термобатареи 5 термоэ.д.с.
10 300 10 — в/град (при одном термоэлектрическом модуле). Эта термоэ.д.с. используется для обеспечения <необходимого смещения на базе транзистора 1. С ростом температуры окружающей среды потери в транзисторе растут и
15 его температура повышается, в результате чего разность температур увеличивается и термоэ.д.с. батареи изменяется, что приводит к изменению смещения на базе транзистора.
Изменяющееся смещение определяет режим
20 работы транзистора, обеспечивая постоянство либо положения рабочей точки либо коэффициента передачи, причем стабилизация режима работы транзистора происходит и в случае непостоянства .нагрузки усилителя.
25 Изменение активного сопротивления термобатареи и тока базы транзистора настолько незначительно, что мало влияет на работу усилителя. Достоинством данного термостабилизированного усилителя является исклюЗ0 чительно малый расход энергии в цепи термо376866
Предмет изобретения усилитель на схеме с общим цепь которого базы включен
Термостабилизированный транзисторе, включенном по эмиттером, в коллекторную включена нагрузка, а в цепь
Фиг. 7
Составитель Г. Челей
Техред T. Курилко
Корректоры: Л. Царькова и М. Гарцевич
Редактор Б. Федотов
Заказ 1505/2 Изд. № 382 Тираж 780 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 стабилизации и весьма высокая стабильность коэффициента передачи. элемент связи с предыдущим каскадом, отличающийся тем, что, с целью обеспечения постоянства коэффициента передачи в широком диапазоне температур, последовательно с элементом связи включена зашунтированная блокирующим конденсатором термобатарея, один спай которой имеет непосредственный тепловой контакт с корпусом транзистора, а другой — с окружающей средой через теплоизо10 лирующую прокладку.
