Усилитель мощности

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

3707О5

Союз Саеетскик

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 11 V.1971 (¹ 1657917/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 15.I I.1973. Бюллетень № 11

Дата опубликования описания ЗХ.1973

М. Кл. Н 03f 3/20

Н 02h 3/08

Комитет по делам изобретений и открытий при Сосете Министров

СССР

УДК 621 375 026(088 8) Авторы изобретения

Ю. В. Клю ев, В. Т. Котов и Ю. А. Никифоров

Заявитель

УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ

Изобретение относится к усилителям мощH0lcTH и может быть использовано в выходных устройствах звуковоспроизводящей аппаратуры различного назначения.

Известные усилители мощности с защитой от короткого замыкания нагрузки, содержащие предоконечные и оконечные двухтактные каскады, одно плечо которых выполнено соответственно на транзисторах, включенных по схеме с общим коллектором, а другое — с общим эмиттером, и управляющий каскад, обладают высоким уровнем нелинейных искажений и небольшой выходной мощностью.

В предлагаемом усилителе, с целью уменьшения нелинейных искажений и увеличения выходной мощности, между коллектором транзистора оконечного каскада одного плеча и эмиттером транзистора управляющего каскада включен коллекторно-эмиттерный переход дополнительного транзистора, база которого подключена к средней точке резисторного делителя, включенного между соответствующим полюсом источника питания и выходной клеммой, при этом резистор делителя, подключенный к полюсу источника питания, зашунтирован цепью, состоящей из последовательно соединенных резистора и двух транзисторов разного типа проводимости, причем база транзистора типа и-р-и подключена одновременно через последовательную RC-цепочку к выходной клемме и через цепочку, содержащую последовательно соединенные диод и резистор, к базе транзистора типа р-n-p, а место соединения диода и резистора подключено к базе тр анзистора, эмиттерно-коллекторный переход которого включен между коллектором первого из дополнительных транзисторов и коллектором транзистора предоконечного каскада другого плеча усилителя.

На чертеже представлена схема предлагаемого усилителя.

На схеме приняты следующие обозначения: транзисторы 1, 2 предоконечного каскада;

15 транзисторы 8, 4 оконечного каскада; транзистор 5 управляющего каскада; дополнительные транзисторы б, 7, 8 и 9; полосы 10, 11 источника питания; стабилитроны 12, 18 и 14; диоды 15, 1б; конденсаторы 17, 18; резисторы

20 19 — 81.

У стройство работает следующим образом.

П|ри подаче на вход положительной полуволны сигнала и коротком замыкании нагрузки транзисторы 8 и 9 закрываются, так как

25 ток сигнала не поступает на базу через конденсатор 18 и резистор 28. Подключением высокоомного делителя резисторов 2б и 81 ограничивается ток базы транзистора б. Тем самым уменьшается ток эмиттера и коллектора

30 транзисторов б и 8 Таким образом, ток ко370705

3 роткого замыкания через транзистор 8 ограничен.

Однако в момент короткого замыкания нагрузки за счет переходного процесса, авязацного с рассасыванием неосновных носителей тока из области базы насыщенного транзистора 8, транзистор б может пропустить большой и мпульс тока, что представляет о пасность для выходного транзистора 8. Для того, чтобы уменьшить влияние этого процесса, резистор

80 включают в коллекторную цепь тра нзистора 8. От величины указанного резистора зависит уровень импульса тока. С увеличением тока коллектора транзистора 8 и, соответственно, тока базы транзистора б, последний, проходя через транзисторы 8 и 9, создает на резисторе 80 напряжение отрицательной обратной связи для транзистора 8 (для моменга време ни, когда транзистор 8 еще насыщен), которое препятствует увеличению тока базы транзистора б. Благодаря этому обеспечи вается ограничение и регулирование импульса тока короткого замыкания, проходящего через транзистор 8.

При подаче на вход отрицательной полуволны сигнала транзистор 7 запирается, так как ток полезного сигнала с полюса источника 10 питания через стабилитрон 18, резистор

29, полупроводниковый диод 1б, резистор 28 и конденсатор 18 не поступает, а коэффициенты усиления по переменному току транзисторов 2 и 4 выполнены низкими с помощью выбора резисторов 20 и 21. Бключением дио 12 15 шунтпруют отрицательный сигнал после короткого замыкания, так как анод диода 15 по отношению и его катоду оказывается под положителыным потенциалом из-за смещения общей точки соединения выходных транзисторов. Благодаря этому ток короткого замыкания через транзистор 4 ограничен.

Предмет изобретения

Усилитель мощности с защитой от короткого замыкания нагрузки, со держащий предоконечный и оконечный двухтактные каскады, одно плечо которых выполнено соответственщ но на транзисторах, включенных по схеме с общим коллектором, а другое — с общинам эмпттером, и управляющий каскад, отличаюи ийся тем, что, с целью уменьшения нелинейных искажений и у величения выходной мощд5 ности усилителя, между коллектором транзистора оконечного каскада одного плеча и э миттером транзистора упра вляющего каскада включен коллекторно-эмиттерный переход до полнительного транзистора, база которого

20 подключена к средней точке резисторного делителя, включенного между соответствующим полюсом источника питания и выходной клеммой, п ри этом резистор делителя, подключенный к полюсу и сточника питания, зашунтиро25 ван цепью, состоящей из последовательно соединенных резистора и двух транзисторов разного типа проводимости, причем база транзисто ра типа и-р-п подключена одновременно через последовательную RC-цепочку к выходч0 ной клеяме и через цепочку, содержащую последовательно соединенные диод и резистор, к базе транзистора ти па р-fl-p, а место соединения диода и резистора подключено к базе ч рапзпстора, эмиттерно-коллекторный переход

35 которого включен между коллектором первого из дополнительных пранзисторо в и коллектором транзистора предоконечного каскада другого плеча усилителя.

370705

Составитель Н. Дубровская

Техред Т. Курилко

Редактор Г. Полехова

Корректор И. Божко

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 1200/I Изд. Ко 299 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5