Элемент памяти

О П И-С-A" Н И Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

".-аявлено 16.Х1.1970 ()чЪ 1499038/18-24) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 20Л11.1973. Бюллстень X 15

М. Кл. С 1 1с 11/14

Комитет по делам изобретейий и открытий при Совете 1т1ипистров

СССР

УД К 681.327.66 { 088.8) Дата опубликования описания 21.VI.1973

Авторы изобретения

Б. H. Малиновский, Ю. С. Яковлев и A. A. Юрасов

Институт кибернетики АН Украинской ССР

Заявитель

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Изобретение относится к области запоми.нающих ус гройсов.

Известные элементы памяти содержат ,магнитные слои,,располаженные один над другим, изолированные числовую шину считывания и выходную шину, находящиеся между первым крайким и с редким магнитными слоями, изолированные числовую и разрядную IIIHHbI записи, расположенные между вторым крайним и средним магнитныли слоями.

Однако записанная информация инверсна по отношению к информации в разрядной шине за писи.

В предлагаемом элементе памяти для записи информации в прямом и инвероном коде по отношению к,и нформации в раз рядной шине записи между числовой и разрядной шинами застили помещена дополнительная шина, овделенная от них изоляционными слоями.

На рис. 1 изображена схема предлагаемого устройства, на фи г. 2 и 3 — изменение намагниченности ферромагнитных слоев, а также временные диагра м мьт при записи в элемент памяти инверсной и прямой информации по отношению и информа1ции в,разрядной ши не записи соответственно.

Устройспво состоит из первого крайнего

1, среднего 2 и второго край нето 8 магнитных слоев, числовой IHHHbI записи 4, дополнительной шины 5, изоляционного слоя 6 между шипами 4 и 5, изоляционного слоя 7 ,между шиной 4 и средним магнитным слоем, разрядной IIIHIHbI за писи 8, изоляционного слоя 9 между щи нами 5 и 8, числовой шины считывания 10, выходной шины 11, изоляционного слоя 12 между шинами 10 и 11.

В основу построения диаграмм (см. фиг.

10 2 и 3) положены за:кон непрерывнюсти магнитного .потока и закон пол ного така для разветвленных магнитных цепей.

Наличие импульса тока записи (любой полярности) в разрядной шине записи соответствует информации в разрядной шипе за писи «!», а его отсутствие — соответственно «О».

При считыва.нии информации по числовой шине считывания 10 падают импульс тока счи TbIIBBIIHH 1,, П ри этом первый крайний магнитный слой из размагниченного состояния намагничивается до насыщения в направлении, показаннохт на фиг. 2 и 3, в. Согласно за кону неттрерьпвности магнитного така, .магнитный поток первого крайнего магнитного слоя замьхкается через второй крайний,магнитный слой. Средний магнитный слой, размагничивается под действием собстЗС венного,размагничивающего поля.

374660

1.,E — 1„=1... а

В результате изменения намагниченности первого к1рай него магнитного слоя при действии IÄ, в выходной обмотке ll индуктируется выходной сигнал «1». Если элеменг памяти находится в исходном состоянии «О:> (см. фиг. 2 и 3, а), то под действием тока считывания намагниченность слоев не изменяется, и в выходной обмотке сигнал отсутствует.

Запись информации в инверсном коде по отношению к информации в разрядной шине записи. При записи «1» в числовую шину записи 4 после установления состояния намагниченгности (ом. фиг. 2, в) по дают импульс тока записи I„(см. фиг. 2, з). При этом в разрядную шину записи 8 импульс тока не подают (информация в разрядной шине записи соответствует «О», Ток 1 „ перемагничи вает второй крайний магнитный слой, вследствие чего магнитный IIQTQIK верхнего с.тоя замыкается через средний слой, а нижний магнитный слой размапничивается (см. фиг, 2, г). После установ1ки состояния в дополнительную шину записи 5 подают импульс ли нейного тока I,, (см. фиг. 2, з), который меняет Hапра вление пoTOKoiB в верхнем и среднем магнитных слоях на обратное.

Нижний магнитный слой при этом остается размапниченным (см. фиг. 2, e).

При записи «О» в числовую шину записи

4 подают ил пульс тока за писк 1 и одновременно в разрядную шину записи 8 — импульс разрядного тока 1„(информация в разрядной шипе записи равна «1»). Поля этих таков напра влены встречно, TQK что суммарное магнитное поле, воздействующее на верхний магнитный слой, равно нулю. Прн этом нама гниченность всех слое|в элемента не меняется (см. фиг. 2, д).

Линейный ток I, подают в шипу 5 после разрядного тока и он только подтверждает предыдущее состояние (см. фиг. 2, ж).

Запись информации в прямом коде по отношению к информации в разрядной шине записи. При записи «1» в числовую шину записи 4 подают импульс тока записи 1„ (см. фиг. 3, з). Одновременно в разрядную шину загписи 8 подают импульс разрядного тока 1„(информация в разрядной шине соответствует «1»), который направлен согласно с током I„, и примерно равен ему по длительности и амплитуде. В этот же момент времени в дополнительную шину записи 5 подают им пульс линейного така I.,E, амплитуда которого находится в соответствии с выражен,ием: длительность может быть равна или несколько больше длительности каждого из импульсов Ip I„. Направление тока I E противоположно на правлению токов lp и1„. Эквивалент.ное ма гнитное поле, воздействующее на верх5

2п

З0

35 ний магнитный слой, перемагничивает его, вследствие чего магнитный поток верхнего слоя замыкается через средний слой, а нижний слой размагничивается(см. фиг. 3, д).

После установки состояния в шину 5 подают второй импульс линейного тока I„„ которьш меняет на|правление потоков в верхнем и .среднем магнитных слоях на обратное. Нижний магнитный слой при этом остается размагниченным (см. фиг. 3, ж).

При записи «О» в числовую шину записи

4 подают импульс тока записи I„. Одновременно в шину 5 подают импульс линейного тока I » (см. фиг. 3, 3). Импульс тока 1,, в разрядную шину записи 8 при этом не подают (информация в разрядной шине записи равна

«О»). Магнитные поля токов 1,, и 1 >н направ лены встречно, так что суммарное магнитное поле, воздействующее на верхний магнитный слой, равно нулю. При этом намагниченност всех слоев элемента не меняется (см. фиг. 3, г).

Второй импульс линейного —,îêà ), ° подают в шину 5 после действия тока 1», и оп только подтверждает предыдущее состояние (см. фиг.

3, е).

Предлагаемый элемент памяти работает с полными токами считывания и записи. Минимальное значение токов 1,„, 1 Ip äîлжно быть больше суммы коэрцитивцой силы магнитного материала слоя и размагничивающего поля слоя. Для саморазмагничивапия магнитного слоя необходимо, чтобы размагничивающее поле превышало коэрцитивную силу магнитного материала слоя.

При этом конструкция элементов не налагает принципиальных ограничений на площадь магнитных слоев и ширину управляющи;; шин, что позволяет значительно снижать управляющие токи.

Для устранения полей рассеивания токоведущих шин, возникающих при подаче управляющих токов, на обе стороны элемента может быть помещена изолированная от элемента проводящая фольга, по которой осуществляется возврат токов.

Предмет изобретения

Элемент памяти, содержащий магнитные слои, расположенные один над другим, изолированные числовую ц ину считывания и выходную шину, находящиеся между первым крайним и средним магнитными слоями, изолированные числовую и разрядную шины записи, расположенные между вторым крайним и средним магнитными слоями, отличающийся тем, что,;ации в пря мом и инверсном коде по отношению к информации в разрядной шине записи, между числовой и разрядной шинами записи расположена дополнительная шина.

374660

0схааное состояние 1 йс.гМна состояние,0"

//сходное саста яние „1

//спчЬое состояние.0

Счиатыааиие,1 .Ьааср„0

Саюыаание„0

Записъ„1" рс

Iz>

ХР

Iz

-Ip

Та

Урр иг 2

Составитель В. Михеев

Техред Л. Грачева

Редактор Н. Джарагетте

Корректор Е. Михеева

Заказ 246/905 Изд. № 341 Тираж 576 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил пред. «Патент»

:— ц /

1

%c )

;С" Я7= /1с„

8 (Ъ, .г .— 7.

/ 1 1

r .

8 сч ф,7 „

,Ъ I

1 я1 Izó IÐ г ж : — 7 К=

/."тить Мание„0 Гчил ы3ание„1

3 с „0 3аписа,/

Ice