Резистивный материал
ОП ИСАНИ4Е
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
М,Кл. Н 01с 7. 00
Заявлено 17.Ъ 1.1971 (№ 1670932/24-7) с присоединением заявки ¹â€”
11р и о р итет—
Опубликовало 27.VII.1973. Бюллетень № 32
Дата опубликования описания 11.XI.1973
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
УДК 621.396.69:
:621.316.825 (088.8) Авторы изобретения
Э. А. Бондаренко, Б. П. Соколов, Ю. П. Юсов и О. М. Иванчик
Московский авиационный технологический институт
Заявитель
РБЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ
SnCl4 + 2НеΠ— - Sn02 + 4HCI
Изобретение относится к области резпсторостроения, в частности к технологии получения резистивных материалов для изготовления объемных резистивных.
Известен резистивный материал на основе полупроводниковых проводящих веществ, характеризующийся относительно высоким ТКС (например, для резисторов типа ТВО ТКС составляет величину порядка 8 — 10 ° 10 град ) и невозможностью на одном виде материала получать резисторы широкого диапазона номиналов.
Целью изобретения является возможность изготовления резисторов в широком диапазоне номиналов и уменьшение температурного коэффициента сопротивления.
Достигается это тем, что резистивный материал имеет зернистую структуру, зерна которой выполнены в виде кристалла проводящего вещества, заключенного в кристаллическую пленку полупроводникового вещества.
Прн получении сернистого цинка, содержащего внутри кристаллов частицы металла или сплава, металлический порошок в мелиодисперсной форме (размер частиц меньше
1 — 2 мк) вводится в водяной раствор сернокислого цинка в виде взвеси. Затем к этому раствору добавляется высаживающий раствор сернистого натрия или сернистого водорода.
При этом частички металла или сплава, являясь центрами кристаллизации сернистого цинка, заращиваются по всей поверхности кристаллической пленкой сернистого цинка.
Другим примером использования нзооретепия является изготовление резнстивного материала па основе порошка вольфрама и двуокиси олова.
На подогретый до 600 — 650 С противень насыпается порошок вольфрама и выдерживает1О ся до достижения им указанной температуры.
Далее на перемешиваемый порошок вольфрама с помощью пульверизатора напыляется спиртовой раствор SnC14. В результате гидролиза, протекающего по схеме:
15 на поверхности частиц осаждается Sno, являющаяся полупроводниковой пленкой. После20 дующая промывка полученного порошка в дпстпллированной воде и спирте, а также сушка позволяет использовать сго для изготовления резисторов, 23 Объемные резисторы,,изготовленные из описанного материала (вольфрам — двуокись олоьа), характеризуются ТКС, величина которого в интервале температур 18 — 250 С, составила 1,5 — 3,10 — 4 град —, а э. д. с. шумов зо 0,2 — 0,3 л кв, в.
392556
Составитель А. Артюшин
Техред Л. Богданова
Корректор Н. Аук
Редактор В. Торопова
Заказ № 5488 Изд. № 1784 Тираж 780 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий.Мооква, 5Ê-35, Раушская наб., д. 4/5Загорская типография.
Предмет изобретения
Резистивный материал, например, для изготовления объемных резисторов на основе полупроводниковых проводящих веществ, отличаю цийся тем, что, с целью обеспечения возможности изготовления резисторов в шпроком диапазоне номиналов и уменьшения температурного коэффициента сопротивления, он имеет зернистую структуру, зерна которой выполнены в виде кристалла проводящего ве8 щества, заключенного в кристаллическую пленку полупроводникового вещества.
