Материал для высокоомных резисторов
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВКДЕТЕЛЬСТВУ
349032
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 22.11.1971 (№ 1627749/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 23.VIII.1972. Бюллетень № 25
Дата опубликования описания 14.IX.1972
М. Кл. Н 01с 7/00 комитет по делам изобретений и открытий ори Совете Министров
СССР
УДК 621.316.86(088.8) Авторы изобретения
Заявитель
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ВЫСОКООМНЫХ РЕЗИСТОРОВ
Изобретение относится к технике изготовления резисторных элементов схем, а также резисторов пленочного типа.
Известен материал для высокоомных резисторов, содержащий хром и моноокись кремния.
Недостатком известного материала является большой разброс воспроизводимости сопротивлений и высокий температурный коэффициент сопротивления.
Целью изобретения является улучшения воспроизводимости сопротивлений и снижение коэффициента сопротивления.
Цель достигается введением в известный материал титана, а также тем, что исходные компоненты взяты в следующем соотношении (в вес. %): хром 15 — 40. титан 15 — 40, моноокись кремния 20 — 60.
Для получе|шя промежуточных значешш сопротивлений состав нс«одны« компонентов может изменяться. Для увеличения сопротивления увеличивают содержание SION, для
5 уменьшения сопротивления — уменьшают содержание SIO . Соотношение Сг и Ti изменяется в предела«от 1: 1 до 2: 1.
Предмет изобретения
1. Материал для высокоомных резисторов, содержащий «ром и моноокись кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости сопротивлений и получения
15 малого температурного коэффициента сопротивления, в него введен титан.
2. Материал по п. 1, отличающийся тем, что исходные компоненты введены в следующих соотношения«(в вес. %): «ром 15 — 40, титан
20 15 — 40, моноокпсь кремния 20 — 60,
