Патент ссср 369635
369635
О П И C A Н И Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 03.1V.1971 (№ 1643825/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 08.II.1973. Бюллетень № 10
Дата опубликования описания 16.IV.1973
М. Кл. Н 01с 13 00
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 621.396.692:
: 621.316.86 (088.8) Авторы изобретения
В. Ф. Иванов, А. В. Никитин, М. И. Самойлович, А. А. Фотченков, В. П. Бутузов, К. Ф. Ворожейкин, Г. Н. Безруков и В. А. Лаптев
Заявитель
Всесоюзный ордена Трудового Красного Знамени научноисследовательский институт синтеза минерального сырья
ОБЪЕМНЫЙ РЕЗИСТОР
Предлагаемый резистор относится к классу полупроводниковых резисторов, применяющихcs. в микромодульных схемах радиоэлектронной аппаратуры, автоматики и электротехники.
Известен объемный резистор, например, для микромодульных схем, состоящий из полупроводникового монокристалла с алмазоподобиой структурой и — р ниже проводимости.
Однако известные объемные резисторы имеют большую величину температурного коэффициента сопротивления, а также низкие точности изготовления и механическую прочность.
С целью уменьшения температурного коэффициента сопротивления и повышения точности изготовления в предлагаемом резисторе на участок поверхности монокристалла нанесена соединяющая электроды токопроводящая пленка, например, металлическая.
На чертеже показан предлагаемый объемный резистор.
Резистор содержит тугоплавкий монокристалл 1, электроды 2 и токопроводящую пленку 8.
Основным элементом резистора служит монокристалл 1 синтетического алмаза, легированный бором. Рабочие грани кристалла снабжены металлическими электродами 2. Для вжигания электродов могут применяться различные известные сплавы.
Между электродами на поверхность кристалла нанесена катодным распылением токопроводящая пленка 8 (толщиной от десятых долей до нескольких десятков микрон).
Таким образом, предлагаемый резистор является резистором объемно-поверхностного действия, значение сопротивления которого (Я) определяется выражением для двух параллельно соединенных сопротивлений
10 г а у па
Ф
Ra +Raа где Яа — омическое сопротивление алмаза;
R, — омическое сопротивление пленки.
При повышении температуры изменение сопротивления ЛЯ = ЫА+Лйпп, где Ил+
+Ыпл I (ЛЯ,а,, так как изменения сопротивления полупроводника и металла с темпе20 ратурой имеют взаимно противоположные знаки. Следовательно, при изготовлении полупроводникового резистора его омическое сопротивление и ТКС можно регулировать путем изменения толщины наносимой пленки.
25 На макетных образцах резисторов, изготовленных из синтетического алмаза марки CAN, получены электрические характеристики: температурный уход сопротивления — не более
2 — 3% в интервале температур 20 — 200 С;
30 максимальная рассеиваемая мощность — не
369635
Предмет изобретения
Составители О. Обухова
Техред Л. Грачева
Корректоры: Е. Талалаева и E. Денисова
Редактор М. Афанасьева
Заказ 824/7 Изд. Ко 1239 Тираж 780 Подписное
ЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, ®-35, Раушская наб., д. 4, 5
Типография, пр. Сапунова, 2 менее 500 мат; частотная устойчивость — до
50 мгц.
Объемный резистор, например, для микромодульных схем, состоящий из полупроводникового монокристалла с алмазоподобной структурой и — р тыла проводимости, снаб>кс., ного электродами, отличающийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента сопротивления и повышения точности изготовления резистора, на участок поверхности монокристалла нанесена соединяющая электроды токопроводящая пленка, например, металлическая.
