Пленочный магнитный запоминающий блок

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 05,1Ч.1971 (№ 1643237/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 20.lll.1973. Бюллетень № 15

Дата опубликования описания 5Х1.1973

М. Кл. G llс 11/14

Комитет по делам изобретеиий и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 681.327.66(088,8) Авторы изобретения

В. В. Китович, В. Н. Марковский, В. Г. Страхов, В. А. Теряев и Г. H. Переплетчиков

Заявитель

ПЛЕНОЧНЫЙ МАГНИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ БЛОК

Изобретение предназначено для запоминания и хранения информации и может быть использовано в вычислительной, импульсной и других смежных областях техники.

Известные магнитные блоки для оперативных запоминающих устройств на основе тонких магнитных пленок содержат магнитную матрицу, на которую наложена намагничивающая система, состоящая из адресных и разрядных проводников записи и считывания, выполненных печатным способом из фольгированного диэлектрика. На намагничивающую систему наложен замыкатель магнитного потока (кипер).

Недостатками известных блоков являются пали шс большой и неодинаковой по величине помехи от токов записи по всем разрядам изза неоднородности свойств замыкателя магнитного потока по его площади (например, магнитной проницаемости); значительная величина падения напряжения на проводниках и адресной помехи из-за большой отдаленности намагничивающей системы от металлической подложки; сложная конетрукция выводов адресных и разрядных проводников.

Предлагаемый блок отличается от известных тем, что магнитные матрицы, разрядные проводники записи и считывания и адресные проводники расположены с двух сторон от замыкателя магнитного потока, а выводы адресных и разрядных проводников записи и считывания выполнены в виде полосковых линий.

Адресные проводники целесообразно наносить непосредственно на изоляционный слой маг5 нитной матрицы.

Предпочтительным является также выполнение разрядных проводников записи и считывания из двустороннего фольгированного диэлектрика, на одной стороне которого располо10 жены разрядные проводники записн, а на другой — разрядные проводники считывания.

На фиг. 1 изображен предлагаемый пленочный магнитный запоминающий блок (корпус

15 не показа-; на фиг. 2 — магнитная матрица с адресными проводниками и шлейфом; на фиг. 3 — проводники считывания разрядного шлейфа; на фиг. 4 — взаимное расположение разрядных проводников записи и считывания;

20 на фиг. 5 — проводники записи разрядного шлейфа; на фиг. 6 — перекрестие проводников считывания; на фиг. 7 — взаимное расположение экрана (фольги) и разрядных проводников; на фиг. 8 — импульсная программа рабо25 ты магнитного блока.

Пленочный магнитный запоминающий блок содержит магнитные матрицы 1, намагничивающую систему, включающую адресные проводники 2 и адресные шлейфы 8, разрядный

30 шлейф 4, состоящий из разрядных проводни3

374659 ков 6 записи и проводников 6 считывания, замыкателя 7 магнитного потока.

Магнитная матрица 1 представляет собой подложку 8 с запоминающими магнитными элементами 9, На подложке поверх магнитных элементов и изоляционного слоя 10 расположены адресные проводники 2 П-образной формы, являющиеся частью «амагничивающей системы и расположенные так, что вход и выход каждого из проводников оказываюгся рядом. Адресные проводники 2 с подложкой 8 образуют систему полосковых ли«шй, расположенных над магнитными запоминающ«ми элементами 9. Продол>кен«ем полосковых линий являюгся адресные выводы II и 12, служащие для соединения матрицы 1 с элементами управления и выполненные в в«де шлейфа 8 на гибком фольгированном диэлектр«ке, например лавсане, путем склеивания прямого

11 и обратного 12 проводников, расположенных один над другим. Такое конструктивное выполнение выводов обеспечивает малое падение напряжен«я íà них и снижает адресную помеху в момент считывания с«гнала.

Разрядный шлейф (см. фиг. 1 — 7), выполнен на двустороннем фольгированном диэлектрике, например стеклотекстолите. С одной стороны диэлектрика расположены проводники 5 записи (см. ф«г. 5), с другой — проводники считывания 6 (см. фиг. 3), имеющие перекрестия 18 (см. фиг. 6), а выводы проводников 14 записи (см. фиг. 5) и считывания 15 (см. фиг. 3) вместе с экраном 16 из сплошного слоя фольги (см. фиг. 3, 5 и 7) образуют полосковые линии. Совмещение проводников считывания и записи производится автоматически при изготовлении шлейфа. В месте перекрестий 18 (см. фиг. 6 и 4) рабочая часть разрядного шлейфа 4 разделена на две симметричные петли (под рабочей частью разрядного шлейфа понимается место взаимного расположения проводников записи и считывания).

Проводники разрядного шлейфа 4 совмещены с магнитными элементами 9 с помощью технологических пятен 17 на матрице, расположенных поверх изоляционного слоя (см. фиг. 2). Разрядный шлейф 4 приклеен к подложке матрицы 8 липкой лентой 18 (см. фиг. 1). Разрядный шлейф с магнитными матрицами, разделенный в месте перекрестия 18 проводников считывания на две одинаковые части блока, сложен таким образом, что одна часть блока находится над другой, а между ними уложен замыкатель 7 магнитного потока, т. е. разрядный шлейф с матрицами согнут в месте перекрестия таким образом, что матрицы 1, адресные проводники 2 и разрядные шлейфы 4 расположены с двух сторон от замыкателя магнитного потока, что обеспеч«ва5

55 ет его одинаковое действие на обе части магнитного блока. Поэтому разброс параметров ."-амыкателя магнитного потока, например магнитной проницаемости, по площади, вызываемый его неоднородностью, не приводит к увел«чению помехи и оставляет ее одинаковой по всем разрядам.

Блок работает следующим образом.

В адресные проводники намагничивающей системы подается импульс тока 19 (см. фиг. 8). В момент действия передного фронта запоминающий элемент перемагничивается, в результате чего «а проводники 6 считывания

«авод«тся сигнал 20. Для записи информации в проводники 6 записи подается импульс тока 21, сдвинутый на половину длительности относительно адресного импульса. В момент действия импульса записи в проводниках считывания индуктируется напряжение от «мпульса записи (помеха) 22. Благодаря перекрестию прямых и обратных проводников считывания напряжения в петлях проводников считывания направлены навстречу один другому, в результате чего помеха от импульса записи взаимно компенсируется до величины, на порядок большей считанного сигнала. Так как замыкатель магнитного потока 7 уложен так, что матрицы 1, адресный 8 и разрядный

4 шлейфы расположены с двух сторон от него, он не изменяет величины помехи как по абсолютному значению, так и от разряда к разрядуу.

Предмет изобретения

1, Пленочный магнитный запоминающий блок, содержащий магнитные матрицы с размещенными на них разрядными проводниками записи и считывания и адресными проводниками, замыкатель магнитного потока, отличающиися тем, что, с целью увеличения быстродействия и упрощения конструкции блока, магнитные матрицы, разрядные проводники записи и считывания и адресные проводники расположены с двух сторон от замыкателя магнитного потока, а выводы адресных и разрядных проводников записи и считывания выполнены в виде полосковых линий.

2. Блок по п. 1, отличающийся тем, что адресные проводники нанесены непосредственно на изоляционный слой магнитной матрицы.

3. Блок по п. 1, отличающийся тем, что разрядные проводники записи и считывания выполнены из двустороннего фольгированного диэлектрика, на одной стороне которого расположены разрядные проводники записи, а на другой — разрядные проводники считывания.

374659

15 иг фиг Ф

УзеаХ

Узел1

Фаг. 7

Зана павии фиг Е

Фиг. 8

Составитель В. Рудаков

Техред Т. Ускова

Корректор О. Усова

Редактор Т. Иванова

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 1566, 6 Изд. № 450 Тираж 576 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 3(-35, Раушская паб., д. 4/5

Пленочный магнитный запоминающий блок Пленочный магнитный запоминающий блок Пленочный магнитный запоминающий блок Пленочный магнитный запоминающий блок 

 

Похожие патенты:

!^и5лиот;кл // 368644

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх