Импульсный генератор для электроэрозионной обработки
» т г. I
376876
ОllИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 22.1Ч.1971 (№ 1650299/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 05ЛЧ.1973. Бюллетень № 17
Дата опубликования описания ЗОХ.1973
М. Кл, Н 03k 3/02
Комитет по делам изобретений и открытии при Совете Министров
СССР
УДК 621.373.2(088.8) Автор изобретения
М. Ш. Отто
Экспериментальный научно-исследовательский институт металлорежущих станков
Заявитель
ИМПУЛЬСНЫЙ ГЕНЕРАТОР ДЛЯ
ЭЛЕКТРОЭРОЗИОННОЙ ОБРАБОТКИ
Изобретение относится к импульсной технике.
Известен импульсный генератор для электроэрозионной обработки, содержащий источник питания, два последовательно соединенных транзистора с резисторами в цепях коллекторов, подключенных последовательно с искровым промежужом и переключаемых с помощью импульсного трансформатора.
RC-цепи ухудшают частотную характеристику генер атора.
Цель изобретения — повышение рабочей частоты генератора. Достигается она тем, что в пр едл ага емом генераторе пар аллельно эмиттерно-базовому переходу тр анзистора, эмиттер которого непосредственно соединен с клеммой источника питания, включено низкоомное сопротивление, а к точке соединения коллекторного сопротивления этого же транзистора с эмиттером другого транзистора подключена через высокочастотный диод цепочка последовательно включенных диодов, шунтированных конденсаторами.
На чертеже представлена принципиальная схема устройства.
Генератор содержит последовательно соединенные транзисторы 1 и 2 с резисторами 3 и 4 в цепях коллекторов, подключенные последовательно с,искровым промежутком б и переключаемые с,помощью импульсного трансформатора б, низкоомное сопротивление
7, резисторы 6 и 9, высокочастотный диод 10, конденсаторы 11 и 12, диоды И и 14 и сопротивление 1о, служащее нагрузкой генератора при холостом ходе, искрового промежутка д.
11араллельно эмиттерно-базовому переходу транзистора 1, эмиттер которого непосредственно соединен с клеммой источника почитания, включено низкоомное сопротивление 7, а к точке соединения резистора D с эмиттером транзистора 2 через высокочастотный диод 10 подключена цепочка последовательно включенных диодов 13 и 14, шунтированных конденсаторами 11 и 12 соответственно. !
1ри подаче через импульсный трансформатор б импульсов запуска транзисторы 1 и 2 включаются синхронно. Поскольку эмиттернобазовый:переход транзистора 1 зашунтирован низкоомным сопротивлением 7, уменьша20 ющим величину импульса тока, открывающего транзистор 1, и снижающим вследствие этого степень насыщения транзистора по сравнению с транзистором 2, время,рассасывания неосно вных носителей заряда из Oб25 ласти базы у транзистора 1 меньше и он открывается раньше транзистора 2. При этом напряжение на его коллекторе начинает повышаться, и, когда абсолютная величина его становится больше напряжения на диоде 14 и
30 конденсаторе 12 (суммарное напряжение ста376876
Предмет изобретения
Составитель Г. Челей
Техред T. Курилко
Корректор Н. Стельмах
Редактор Б. Федотов
Заказ 1505/11 Изд. № 382 Тираж 780 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
3 билизации диодов 14 и 18 выбирается на 15—
20% больше напряжения питания, причем напряжения на обоих диодах одинаковы, высокочастотный диод 10, постоянная времени которого на несколько порядков меньше постоянной времени диодов 14 и 18, открывается.
Конденсатор 12 шунтирует транзистор 1 до момента, когда начинает закрываться транзистор 2.
Импульсный генератор для электроэрозионной обработки, содержащий источник питания, цепь из двух последовательно соединен1 !
1 !
I
1 !
1 ных транзисторов с резисторам и в цепях коллекторов, подключенных последовательно с искровым промежутком и переключаемых с помощью импульсного трансформатора, отличаюи1ийся тем, что, с целью повышения рабочей частоты генератора, параллельно эмиттерно-базовому переходу транзистора, эмиттер которого непосредственно соединен с клеммой источника питания, включено низкоомное сопротивление, а к точке соединения коллекторного сопротивления этого же транзистора с эмиттером другого транзистора подключена через высокочастотный диод цепочка последовательно включенных диодов, шунтированных конденcB Top GMH.
