Патент ссср 374751

ОПИСАНИЕ 37475I

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 17,Ч.1971 (№ 1654642/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 20.ill.1973. Бюллетень ¹ 15

Дата опубликования описания 1Х1.1973

М, Кл. Н 03k 29/00

Н 03k 3/29

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР, УДК 621.374 (088.8) Авторы изобретения

Ю. А. Аверкин, В, П, Волкогон, Ю, И. Кузьмин, С. А. Моралев, А. А. Молчанов, Ю. М. Сикорский, В, Г. Табариый, Л. С. Ситников, Л. Л. Утяков и А. А. Цицивко

Заявитель

ФАЗО-ИМПУЛ ЪСНЪ|Й МНОГОУСТОЙЧ И ВЫЙ ЭЛ ЕМЕНТ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано, например, в казачестве фазо-им пульсной пересчетной декады, делителя частоты с управляемым коэффициентом деления.

Иввествн фазо-вмпульсный многоустойчивый элемент, содержащий усилитель-ограничитель, соединенный со входом емкостной накопительной ячейки, выход которой через компаратор соединен со схемой сброса, и источник напряжения компарации, состоящий из конденсатора и схемы его разряда.

Такой фазо-импульсный многсустойчивый элемент характеризуется зависимостью коэффициента деления от различного рода дестабилизирующих факторов (разброса параметров полупроводниковых элементов, изменения питающих напряжений и температуры окружающей среды), в длительности установки требуемого коэффициента деления и низкой

его надежности, вследствие чего гибриднопленочное исполнение фазо;им пульсного многоустойчивого элемента (ФИМЭ) оказывается невозможным.

Цель изобретения — сокращение времени установки коэффициента, повышение надежности при обеспечении возможности гибриднопленочного исполнения.

Для этого в предлагаемом устройстве транзистор компаратора подключен базой к накопительному конденсатору ем костной накопительной ячейки, эмиттером — к конденсатору источника напряжения компарации, и коллектором — к базе входного транзистора

5 одновибратора схемы сброса, причем параллельно выходному транзистору одновибратора подключен дополнительный транзистор, база которого соединена с шиной импульсов установки.

l0 На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого фазо-импульсного многоустойчивого элемента.

Устройство содержит усилитель-ограничитель 1, соединенный со входом емкостной накопительной ячейки 2, выход которой через компаратор 8 соединен со схемой 4 сброса, источник напряжения компарации, состоящий из конденсатора 5 и схемы б его разряда, схему 7 разряда накопительного конденсатора

8 емкостной накопительной ячейки и дополнительный транзистор 9. Компаратор 8 выполнен на транзисторе 10, схема 4 представляет собой одновибратор на транзисторах 11 и 12.

Транзистор 10 компаратора подключен базой к накопительному конденсатору 8, эмиттером — к конденсатору 5 источника напряжения компарации, а коллектором — к базе входного транзистора 11 схемы 4 сброса. Параллельно выходному транзистору 12 одноЗ0 вибратора подключен дополнительный тран374751 зистор 9, база которого соединена с шиной импульсов установки.

Устройство работает следующим образом.

Пусть в ФИМЭ установился коэффициент деления, равный К. Тогда при поступлении

К-го импульса на вход уровень напряжения на накопительном конденсаторе 8 превысит уровень напряжения на конденсаторе 5 источника напряжения компарации, транзистор 10 откроется по переходу база-эмиттер, и усиленный по току импульс поступит на конденсатор 10, подзаряжая его. При этом усиленный по напряжению импульс прикладывается к переходу база-эмиттер транзистора 11, схема 4 сброса срабатывает, и через схему 6 разряда конденсатор 5 подзаряжается.

В установившемся режиме заряд и разряд конденсатора 5 устанавливаются равными.

Задним фронтом одновибратора запускается схема 7 накопительного конденсатора 8.

Процесс установления требуемого коэффициента деления происходит следующим образом. Транзистор 9, открытый в течение всего периода установки, закрывается только в моменты появления на его входе коротких импульсов установки, поступающих на базу с частотой f, /К, где f, — тактовая частота, К— требуемый коэффициент деления Затем тран зистор 9 снова запирается, не оказывая влияния на работу ФИМЭ в установившемся режиме. В течение интервала времени между поступлением импульсов

f /К одновибратор на транзисторах 11 и 12, зашунтированный дополнительным транзистором 9, не срабатывает от сигналов, поступающих с выхода компаратора 8. Транзистор схемы 7 накопительного конденсатора 8 заперт, вследствие чего процесс накопления наФазо-импулысный многоустойчивый элемент, содержащий усилитель-ограничитель, соединенный со входом емкостной накопительной ячейки, выход которой через компаратор соединен со схемой сброса, источник напряжения компарации, состоящий из конденсатора и схемы его разряда, отличающий25 ся тем, что, с целью сокращения времени установки коэффициента деления, повышения надежности при обеспечении возможности гибридно-пленочного исполнения, в нем транзистор компаратора подключен базой к накопительному конденсатору емкостной накопительной ячейки, эмиттером — к конденсатору источника напряжения компарации, а коллектором — к базе входного транзистора одновибратора схемы сброса, причем параллельно выходному транзистору одновибратора подключен дополнительный транзистор, база которого соединена с шиной импульсов установки.

15 пряжения на конденсаторе 8 не прекращается после срабатывания компаратора 8. Благодаря этому через открытый компаратор происходит заряд конденсатора 5 перепадом напряжения, превышающим величину одной ступеньки, являющейся источником подзарядч конденсатора 5 в установившемся режиме.

Увеличение этого перепада, дополнительно усиленного по току транзистором 10, резко сокращает время подзаряда конденсатора 5 до величины, соответствующей требуемому уровню опорного напряжения. Тем самым рез ко сокращается время установления требуемого коэффициента деления.

Предмет изобретения

37475!

Составитель Г. Челей

Техред Л, Грачева

Корректор Е. Сапунова

Редактор Г. Иванова

Тип, Харьк. фил. пред. «Патент»

Заказ 250/900 Изд. № 351 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5