Многопараметровый многоустойчивый элемент
ОП ИСАНИЕ изоьеетev ilS
Н АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое 0Т авт. свидетельства №вЂ”
М. Кл. Н 03k 3/29
Заявлено 30.1 т/.1971 (№ 1652531/26-9) с присоединением заявки №вЂ”
Комитет по делам изобретеиий и открытий при Совете Министров
СССР
Приоритет— ДК 681.727.67(088.8) Опубликовано 20.ill,1973. Бюллетень № 15
Дата опубликования описания 31 V.1973
Авторы изобретения
В. А, Ильин, П. H. Димитраки и С. Н. Димитраки
Заявитель
МНОГОПАРАМЕТРОВЪ|Й МНОГОУСТОЙЧИВЫЙ ЭЛЕМЕНТ
Изобретение относится к автоматике и может быть использовано в качестве элемента устройств автоматики и счетно-вычислительной техники.
Известный многопараметровый многоустойчивый элемент, содержащий мостовую времязадающую цепь и регенеративный ключ на транзисторах разного типа проводимости, имеет узкие функциональные возможности и низкую точность и быстродействие.
Цель изобретения — расширение функциональных возможностей и повышение точности и быстродействия элемента.
Для этого в одно из плеч мостовой времязадающей цепи включен зарядный транзистор, база и эмиттер которого соединены непосредственно и через резистор соответственно с коллектором и базой дополнительного многоэмиттерного транзистора, каждый эмиттер которого через диод соединен с источником питания и через дозирующий конденсатор с входными клеммами всего устройства, а общая точка соединения эмиттера зарядного транзистора и резистора в цепи базы многоэмиттерного транзистора подключена к источнику питания.
На фиг. 1 представлена принципиальная электрическая схема предложенного элемента; на фиг. 2 — график импульсов напряжения, подаваемых на дозирующие конденсаторы; на фиг. 3 — график напряжения на накопительном конденсаторе.
Входные дозирующие конденсаторы 1 — -4 включены в соответствующие эмиттеры многоэмиттерного транзистора 5, база которого подсоединена к источнику питания через резистор 6. Каждый эмиттер транзистора 5 соединен с источником питания через диоды 7—
10. Плечи моста образованы зарядным тран10 зистором 11, накопительным конденсатором
12 и делителем, составленным нз резисторов
18 и 14. В качестве нуль-органа использован регенеративньш ключ на транзисторах 15 и
16 разного типа проводимости. Резистор 17 служит для уменьшения времени выхода транзисторов 15 и 16 из насыщения.
В исходном состоянии транзисторы 15 и 16 закрыты напряжением смещения, поступающим с делителя из резисторов 18 и 14, транзисторы 5 и 11 заперты напряжением источника питания, конденсатор 12 разряжен. При поступлении на один из входов (на конденсаторы
1 — 4) соответствующей информации (см. фиг. 2) многоэмиттерньш транзистор 5 и транзистор 11 отпираются, конденсатор 12 заряжается через транзистор 11. Время, в течение которого заряжается конденсатор 12, определяется длительностью входного тактового импульса (см. фиг. 2,а). На фиг. 2 (б, в, г) показаны импульсы, поступающие соответствен374713
Предмет изобретения
Фйа 2
Составитель Ю. Еркин
Техред Л. Грачева
Редактор Е. Кравцова
Корректоры 3. Тарасова и Е. Талалаева
Заказ 243/895 Изд. ¹ 339 Тираж 780 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, 5Ê-35, Раушскаи наб., д. 4/Ь
Тип Хdðьк. фи I. пред. «Патент% но на конденсаторы 2, 8 и 4. На фиг. 3 пунктирная прямая д соответствует опорному напряжению на резисторе 14, а кривая е — напряжению на накопительном конденсаторе 12.
Многопараметровый многоустойчивый элемент, содержащий мостовую времязадающую цепь и регенеративный ключ на транзисторах разного типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей . повышения точности и быстродействия элемента, в одно из плеч мостовой времязадающей цепи включен зарядный транзистор, база и эмиттер которого соединены непосредственно и через резистор соответственно с коллектором и базой дополнительного многоэмиттер ного транзистора, каждый эмиттер которого через диод соединен с источником питания и через дозирующий конденсатор — с входными клеммами всего устройства, а общая точка соединения эмиттера зарядного транзистора и резистора в цепи базы многоэмиттерного транзистора подключена к источнику питания,

