Библиотека
ОП ИСАНИ Е
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Сова Советониа
CollHBBHCTHvGcKHX
Реооублии
Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”
М. Кл. С 11с 27/00
Заявлено 12.XI.1970 (№ 1490468/! 8-24) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет—
Котаитвт llo делам иаобретений и отнрытий ори Совете убиниотров
СССР! Опубликовано 20Л11.1973. Бюллетснь ¹ 1э
Дата опубликования описания 21Х1.1973
УДК 681.327.66 (088.8) Авторы изобретения
A. В. Богомолов, В, Л. Гимадов и В. Н. Распутный
БИБЛИОТЕКА
Заявитель
БЕСТРАНСФОРМАТОРНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫБОРКИ
КООРДИНАТНЫХ ШИН МАГНИТНОГО НАКОПИТЕЛЯ
Изобретение относится к вычислительной технике.
Известные бестрансформаторные устройства для выборки координатных шин ферритовых матриц МЗУ, содержащие управляемые дешифратором ключи выборки на токопередающем и токопринимающем транзисторах, характеризуются сложностью дешифраторов из-за большого числа входов управления у ключей выборки; большим потреблением энергии от источников питания, вызванным или фиксацией напряжения на коллекторах токопринимающих транзисторов, или высоким напряжением на коллекторах при отсутствии фиксации; сужением области устойчивой рабо ты при уменьшении токозадающего резистора.
Для уменьшения потребляемой мощности и повышения работы предлагаемое устройство содержит два генератора адресных токов, выходы которых подключены соответственно к эмиттерам токопередающих транзисторов каждой группы ключей выборки, базы транзисторов каждого ключа выборки объединены и через резистор соединены с выходами соответствующего дешифратора, а коллектор токопринимающего транзистора — с шиной нулевого потенциала.
На чертеже приведена электрическая схема предлагаемого бестрансформаторного устройства для выборки координатных шин магнитного накопителя.
Устройство содержит ключи 1 — 4 выборки, токопринимающнй 5 и токопередающий б транзисторы, резистор 7 ключа, дешифраторы 8 и 9, разделительные диоды 10, координатные шины 11, ферриты 12 матрицы магнитного накопителя, генератор 18 адресных токов, разделительные диоды 14, генератор 15 адресных токов.
Ключи выборки 1 — 4 выполнены каждый на токопринимающем 5 и токопередающем б транзисторах. Базы этих транзисторов объединены и через резистор 7 присоединены к выходам дешифраторов 8 и 9, с которых на ключи 1 — 4 подается управляющий сигнал, Коллекторы токопринимающих транзисторов
5 соединены с нулевой шиной. Коллекторы токопередающих транзисторов б ключей выборки 1 и 2 связаны через разде. чительные диоды 10 с началами (концами) шин 11 матрицы с ферритами 12, а их эмиттеры объединены и подключены к генератору адресного тока 18. Коллекторы токопередающих транзисторов б ключей выборки 3 и 4 связаны с концами (началами) шин 11 матрицы с ферритами 12, а их эмпттеры объединены и подключены к генератору адресных токов 15.
Устройство работает следующим образом.
Предположим, что на объединенные базы
374664
Корректор Е. Михеева
Редактор Т. Иванова
Составитель В. Михеев
Заказ 246/905 Изд. № 341 Тираж 576 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Тип. Харьк. фнл. пред. «Патент» транзисторов ключей 2 и 4 с дешифраторов
8 и 9 через резистор 7 подана «1» (положительный потенциал), а на базы транзисторов ключей 1 .и 8 — «0» (нулевой потенциал).
При выбранной комбинации управляющих потенциалов транзисторы ключей 2 и 4 закрыты. Ключи 1 и 8 подготовлены к пропусканию токов генераторов адресных токов 18 и 15. Транзисторы б этих ключей передают ток генераторов 18 и 15 во внешние цепи (разделительные диоды, координатные шины), а транзисторы 5 — принимают ток из внешних цепей.
Ток генератора 18, например, при записи идет по цепи: эмиттер-коллектор токопередающего транзистора б ключа выборки 1— разделительный диод 10 — верхняя координатная шина ферритовой матрицы — разделительный диод 14 — эмиттер — коллектор токопринимающего транзистора 5 ключа выборки 8. Транзистор б при пропускании через него тока стремится войти в насыщение.
Однако при этом резко увеличивается его базовый ток и, благодаря относительно большому сопротивлению (по сравнению с внешними цепями) резистора 7 напряжение на базе транзистора б начинает «следить» за напряжением на его коллекторе и автоматически изменяется настолько, что токопередающий транзистор б находится на грани насыщения, а ток его коллектора приблизительно равен току эмиттера. Непооре дстве нная передача тока из токопередающего транзистора в токопринимающий одного и того же выбранного ключа при пр опускании через него тока исключается благодаря смещению перехода эмиттер-база токопринимающего транзистора в обратном направлении падением напряжения на разделительных диодах.
Ток .генератора 15, например, при считывании, проходит по цепи эмиттер-коллектор токопередающего транзистора б ключа 8— разделительный диод 14 — верхняя координатная шина ферритовой матрицы — разделительный диод 10 — эмиттер-коллектор токопринимающего транзистора 5 ключа 1.
Таким образом, при указанной выше комбинации управляющих потенциалов дешифраторов 8 и 9 генератор 18 задает ток через верхнюю координатную шину ферритовой матрицы в одном направлении, а генератор
15 — в другом.
Выборка других координатных шин осуществляется при других комбинациях управляющих потенциалов на выходах дешифраторов. Так, например, нижняя координатная шина ферритовой матрицы выбирается при подаче «1» на входы ключей 1 и 8, а на входы ключей 2 и 4 — «0», 20 Предмет изобретения
Бестрансформаторное устройство для выборки координатных шин магнитного накопителя, содержащее два дешифратора и две
25 группы ключей, выборки, каждый из которых состоит из токопередающего и токопринимающего транзисторов, эмиттеры которых через разделительные диоды соединены соответственно с началами и концами координатных шин, отличающееся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности и повышения надежности работы устройства, оно содержит два генератора адресных токов, выходы которых подключены соответственно к эмиттерам токопередающих транзисторов каждой группы ключей выборки, базы транзисторов каждого ключа выборки объединены и через резистор соединены с выходами соответствующего дешифратора, а коллектор
4о токопринимающего транзистора — с шиной нулевого потенциала.

