Йсесоюзная fl'lts^i't-^l ,tf'y"m4!:'^ui а ил i va i ,.u (i- a4tntiirta>&

 

ОПИСЛНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соеетоких Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

М. Кл. Н 03k 5/00

Заявлено 09.I I I.1971 (№ 1638650/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Комитет по делан маобретений н открытий лри Совете Министров

СССР

УДК 621.373.43(088.8) Опубликовано 13.XII.1972. Бюллетень № 2 за 1973 r.

Дата опубликования описания 29.1.1973

Автор изобретения

В. М. Гребенюк

Объединенный институт ядерных исследований

Заявитель

УСТРОЙСТВО ВЫДЕЛЕНИЯ НУЛЕВОГО УРОВНЯ ВХОДНОГО

СИГНАЛА

Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано в устройствах формирования импульсов от детекторов ядерного излучения.

Известно устройство выделения нулевого уровня входного сигнала, содержащее двухкаскадный дифференциальный транзисторный усилитель входного сигнала.

Целью изобретения является повышение точности работы устройства при сохранении высокого быстродействия. Это достигается тем, что в коллекторную цепь второго транзистора первого каскада включен туннельный диод, а коллектор второго транзистора второго каскада подключен к базе второго транзистора первого каскада.

На чертеже изображена принципиальная схема устройства.

Оно содержит двухкаскадный дифференциальный транзисторный усилитель входного сигнала, первый каскад которого выполнен на транзисторах 1 и 2, а второй каскад — на транзисторах 8 и 4, переменные резисторы 5 и б, и туннельный диод 7. Вход транзисторного усилителя входного сигнала соединен с базой транзистора 1, коллектор транзистора 2 подключен к базе транзистора 8. Туннельный диод 7 включен в коллекторную цепь транзистора 2 первого каскада, а коллектор транзистора 4 второго каскада подключен к базе транзистора 2 первого каскада. Порог срабатывания туннельного диода 7 регулируется переменным резистором 5, порог сброса — переменным резистором б.

В исходном состоянии транзисторы 1, 2 и 3 открыты, транзистор 4 — закрыт. Рабочая

10 точка ту.п.ельного диода 7 смещена на диффузионную ветвь вольтамперной характеристики.

При поступлении входного сигнала и нарастании амплитуды его отрицательной части, часть тока, протекающего через транзистор 2, ответ15 вляется в транзистор 1, а рабочая точка туннельного диода спускается по диффузионной ветви характеристики. При достижении током через туннельный диод значения I»„«., последний переключается на туннельную ветвь вольт20 амперной характеристики. Состояние второго каскада изменяется: транзистор 3 закрывается, транзистор 4 открывается и на его коллекторе возникает отрицательный сигнал, амплитуда которого зависит от величины сопрогив25 ления резистора б и тока, протекающего через эмиттерное сопротивление второго каскада. При приложении отрицательного сигнала к базе транзистора 2, часть тока из транзистора 1 ответвляется в транзистор 2, изменяя по30 рог сброса туннельного диода.

362442

Предмет изобретения

Состави гель Г. Ч елей

Редактор Л. Струве

Корректор Е. Усова

Техред Т. Миронова

Заказ 67(18 Изд. л1 1065 Тираж 403 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открьпий при Совете Министров СССР

Москва, iK-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

При уменьшении амплитуды отрицательной части входного сигнала ток, протекающий через транзистор 1, ответвляется в транзистор 2, увеличивая ток, протекающий через туннельный диод, и с достижением величины 1гяаис., последний переключается па диффузионную ветвь вольтамперной характеристики. При этом второй каскад возвращается в исходное состояние, и момент возвращения в это состояние несет информацию о достижении входным сигналом нулевого уровня. Соответствие момента переключения туннельного диода на диффузионную ветвь характеристики моменту прохождения входным сигналом нулевого уровня обеспечивается регулировкой сопротивления переменного резистора б.

Устройство выделения нулевого уровня входного сигнала, содержащее двухкаскадный

5 дифференциальный транзисторный усилитель входного сигнала, вход которого соединен с базой одного из транзисторов первого каскада, а коллектор второго транзистора первого каскада подключен к базе транзистора второ10 го каскада, отличающееся тем, что, с целью повышения точности работы при сохранении высокого быстродействия, в коллекторную цепь второго транзистора первого каскада включен туннельный диод, а коллектор второго транl5 зистора второго каскада подключен к базе второго транзистора первого каскада.

Йсесоюзная fllts^it-^l ,tfym4!:^ui а ил i va i ,.u (i- a4tntiirta>& Йсесоюзная fllts^it-^l ,tfym4!:^ui а ил i va i ,.u (i- a4tntiirta>& 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к импульсной технике, а именно к устройствам обработки сигналов, и может быть использовано в схемах допускового контроля
Наверх