Способ измерения толщииы крупногабаритных неферромагнитных изделий
352II4
ОП ИСА НИ Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Советскня
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства _#_o.Ч. Кл. G 01Ь 7/06
Заявлено 23.XI I.!969 (№ 1387353/25-28) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 21.IX.1972. Бюллетень М 28
Дата опубликования описания 26.1Х.1972
Коиитет по делаю изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УД К 621.317:531.717.11 (088.8) Автор изобретения
В. Г. Брандорф
Заявитель
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ КРУПНОГАБАРИТНЫХ
НЕФЕРРОМАГНИТНЫХ ИЗДЕЛИЙ
Предмет изобретения
Изобретение относится к неразрушающему контролю материалов и может быть использовано при измерении толщины крупногабаритных объектов.
Известен способ измерения толщины крупногабаритных неферромагнитных изделий, заключающийся в том, что создают магнитное поле излучателем, например кольцевой рамкой с током, который располагают на одной поверхности контролируемого изделия и измеряют это поле преобразователем параметра поля в электрический сигнал, например индукционным, который устанавливают на другой поверхности контролируемого изделия.
Однако при реализации этого способа возможна методическая погрешность из-за несоосности излучателя и преобразователя, расположенных с противоположных сторон контролируемого изделия.
Цель изобретения — повышение точности измерения. Достигается опа тем, что создают компенсирующее магнитное поле дополнительным излучателем и жестко связывают его с преобразователем параметра поля, фиксируют этим преобразователем нулевое результирующее значение магнитных полей при максимальном значении измеряемой толщины, измеряют индикатором линейных размеров расстояние между преобразователем параметра поля и ближайшей поверхностью контролируемого изделия, вычитают это расстояние из максимального значения измеряемой толщины и получают значение толщины контролируемого изделия.
На чертеже представлен вариант устройства для реализации предлагаемого способа.
Устройство содержит излучатель 1, преобразователь 2, расположенные с противоположных сторон контролируемого изделия 3 и излучатель 4 компенсирующего поля, жестко связанный с преооразователем 2.
Толщина изделия измеряется следующим образом.
1-Iакладывают преобразователь 2 íà поверхность контролируемого изделия, ориентируют его до соосного относительно излучателя 1 положения, преобразователем 2 фиксируют нулевое результирующее значение магнитных полей при расстоянии его от излучателя 1, соотвстствующем максимально возможной толщине контролируемого изделия, и перемещают до момента, когда сигнал с выхода преобразователя будет равен нулю, Измеряют любым индикатором линейныx величин расстояние до ближайшей поверхности изделия и вычитают его из значения максима Ibно возможной толщины.
30 Способ измерения толщины крупногабаритHbIx неферромагнитных изделий, заключаю352114
Составитель А. Духанин
Техред Л. Богданова
Корректор В. Жолудева
Редактор В. Дибобес
Заказ 3222/15 Изд. № 1342 Тираж 406 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Я(-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 щийся в том, что создают магнитное поле излучателем, например кольцевой рамкой с током, который располагают на одной поверхности контролируемого изделия, и измеряют это поле преобразователем параметра поля в электрический сигнал, например индукционным, который устанавливают на другой поверхности контролируемого изделия, отличаюи4ийся тем, что, с целью повышения точности измерения, создают компенсирующее магнитное поле дополнительным излучателем и жестко связывают его с преобразователем параметра поля, фиксируют этим преобразователем пулевое результирующее значение магнитных полей при максимальном значении измеряемой толщины, измеряют индикатором линейных размеров расстояние между преобразователем параметра поля и ближайшей поверхностью контролируемого изделия, вычитают это расстояние из максимального значения измеряемой толщины и получают значение толщины контролируемого изделия.
