Способ получения покрытий путем испарения в вакуумейли^^.^^- - ':?rv',' b^i^v^^*'^]::'^;-.

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства М

Заявлено 12.1.1970 (№ 1394744/22-1) с присоединением заявки М

Приоритет

Опубликовано 21.!Х.1972. Бюллетень ¹ 28

Дата опубликования описания 9.Х.1972

М. Кл. С 23с 13/00

Комитет по делам изобретений и открытий прн Совете Министров

СССР

УДК 621.793.14(088 8) Авторы изобретения

Ф. Д. Путиловский, Р. Х. Сайфуллин, И. С. Смышляев, В. С. Титов, С. К. Хуснутдинова, М. Г. Шакиров и И. Г. Шнейдер

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЙ

ПУТЕМ ИСПАРЕНИЯ В ВАКУУМЕ

Изобретение относится к области нанесения покрытий путем испарения материалов в вакууме, в частности к способам нанесения покрытий на выпуклые поверхности сферически . и полусферических деталей.

Известен способ нанесения покрытий путем испарения в вакууме на вращающиеся сфсрические поверхности. Однако этот способ связан с целым РядОм технологических п 1

Предлагаемый способ повышает равномерность наносимых покрытий. Это достигаегся тем, что источник испарения располагают от нормали, .проходящей через его центр, на р",сстоянии, равном 2 — 2,5 диаметра сферы (полусферы), от оси, параллельной нормали и проходящей через центр сферы (полусферы) в точке, удаленной на 2,5 — 3 диаметра от центра сферы (полусферы), и процесс ведут при вращении полусферы вокруг оси параллельной нормали, а сферы — вокруг двух взаимно перпендикулярных осей, одна из которых параллельна нормали.

Равномерные покрытия на сферических или полусферических поверхностях получают путем испарения материалов в вакууме при расположении источника испарения на нормали, проходящей через его центр на расстоянии, равном 2 — 2,5 диаметра сферы (полусферы), от оси, napaллельной нор»aли и проходящей через центр сферы (полусферы) в точке, удаленной па 2,5 — 3 диаметра от центра покрываемой сферы (полусферы), при вращении последней, причем, полусферу вращают вокруг оси, пара 17c 1bnой nормали, п сферу вокруг двух взаимно перпендикулярных осей, одна из которых параллельна нормали, 10 При осуществлении способа может быть использован любой тип испаритсльного устройства. Полусферу располагают так, чтобы ось, проходящая через центр полусферы и ее вершину, была параллельна нормали к повер:15 постному источнику испарения. Центр источника испарения располагают на расстоянии от указанной оси, равном 2 — 2,5 диаметра и расстояние 1 22,5 — 3 диаметра от центра сферы.

Полусферу вращают вокруг оси, проходящей

20 через ее центр и вершину, Для напыления покрытий на сферу расположение источника испарения не изменяют, но в процессе напыления сферу вращают вокруг еще одной помимо вышеуказанной для вращения полусферы, до25 полнительной оси, лежащей в плоскости, перпендикулярной нормали к поверхностному источнику.

Равномерность наносимых покрытий колеблется в пределах +12% для сферы и w20%

30 для полусферы.

351929

Предмет изобретения

Составитель Е. Кубасова

Техред Л. Евдоиов

Редактор О. Филиппова

Корректор Т. Гревцова

Заказ 3452iI7 Изд. № 1333 Тира>к 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Способ получения покрытий путем испарения в вакууме на,вращающихся сферических или полусферических выпуклых поверхностях, отличающийся тем, что, с целью повышения равномерности покрытий, источник испарения располагают на нормали, проходящей через

его центр, на расстоянии, равном 2 — 2,5 диаметра сферы (полусферы), от оси, параллельной нормали и проходящей через центр сферы (полусферы) в точке, удаленной на 2,5 — 3 диаметра от центра сферы (полусферы), и

5 процесс осуществляют при вращении полусферы вокруг оси параллельной нормали, а сферы — вокруг двух взаимно перпендикулярных осей, одна из которых параллельна нормали.

Способ получения покрытий путем испарения в вакуумейли^^.^^- - :?rv, b^i^v^^*^]::^;-. Способ получения покрытий путем испарения в вакуумейли^^.^^- - :?rv, b^i^v^^*^]::^;-. 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии и оборудованию для получения эпитаксиальных структур кремния методом осаждения из газовой фазы

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для получения газофазным методом высокодисперсных и ультрадисперсных порошков металлов и сплавов, а также для нанесения металлических покрытий в вакууме на металлические и неметаллические изделия, предназначенные для использования в микроэлектронике, химической технологии и других отраслях промышленности

Изобретение относится к устройствам для получения газофазным методом порошков металлов и сплавов, а также для нанесения покрытий

Изобретение относится к защитному элементу для защищенной от подделки бумаги, банкнот, удостоверений личности или иных аналогичных документов, к защищенной от подделки бумаге и ценному документу с таким защитным элементом, а также способу их изготовления

Изобретение относится к области металлургии, а именно к испарителям для металлов, и может быть использовано для изготовления металлических порошков и нанесения покрытий на различные поверхности

Изобретение относится к испарителю для металлов и сплавов и может найти применение в порошковой металлургии для получения высокодисперсных и ультрадисперсных металлов и сплавов

Изобретение относится к технике получения пленок в вакууме, в частности к устройству для вакуумного напыления пленок, и может быть использовано для эпитаксиального выращивания слоев при изготовлении полупроводниковых приборов, устройств интегральной оптики, при нанесении функциональных покрытий из металлов и кремния и т.п

Изобретение относится к устройству для вакуумного парового осаждения слоя на подложку путем облучения материала напыления

Изобретение относится к вакуумному нанесению слоев и может быть использовано для термического нанесения полимерных пленок из газовой фазы

Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к устройствам для нанесения покрытий в вакууме
Наверх