Резистор объемного типа
"- -%ca
ОП ИСАЯ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
347807
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 29.1Х.1970 (¹ 1478093/26-9) М. Кл. Н Olc 7/00 с присоединением заявки №
Приоритет
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 621.317.8(088.8) Опубликовано 10Х!!1.1972. Бюллетень № 24
Дата опубликования описания I.IX.1972
Авторы изобретения
Г. Г, Рудовол, В. T. Павлов и Л. Г. Власов
Заявитель
РЕЗИ СТОР ОБЪЕМНОГО ТИ ПА
А т В,", С, где х=0,1 — 0,9; A,v — металл подгруппы титана четвертой группы периодической системы элементов Менделеева; Вт, — металл подгруппы ванадия пятой группы.
Такая тугоплавкая композиция способна при пропусканпи тока выдерживать высокие температуры и при этом не менять своих характеристик в течение длительного времени эксплуатации.
Для получения заданного низкого ТК сопротивления приведены следующие примерные составы резистивного карбида (в вес. %):
20
30
Изобретение относится к радиодеталестроению и может быть использовано при производстве непроволочных резисторов.
Известные резисторы объемного типа на основе сложного карбида обладают большим температурным коэффициентом сопротивления и имеют низкую устойчивость к дестабилизирующим факторам.
Предлагаемый резистор не имеет этих недостатков и отличается от известных тем, что в качестве токопроводящей фазы использован сложный карбид металлов IV u V групп периодической системы.
Компоненты токопроводящей фазы взяты в следующих количественных соотношениях (вес. %):
Металл IV группы 1 — 94
Металл V группы 1 — 94
Углерод общ. 4 — 25
Углерод своб. 0,01 — 2,5
Для расширения температурного интервала работы резистора до 200 — 250 С, увеличения мощности рассеивания при уменьшении габаритов, повышения механической прочносги и стабильности, а также для расширения диапазона номиналов в сторону низких значений в состав предлагаемого низкоомного объемного резистора наряду со связующим материалом (например, алюмо-силикатно-борно-бариевого состава стекло) входит сложный карбид типа пример 1
Ti 10 — 80
V 10 — 80
Собщ 4 — 15
Ссвоб до 1 пример 4
Zr 18 — 90
V 10 — 70
Соощ 4 — 15
Ссвоб дО 1 пример 7
Н1 25 — 90
V 10 — 60
Собщ 4 — 15
Ссвоо до 1 пример 2
Ti 10 — 70
ХЬ 10 — 90
Соощ 4 — 15
Cñàî6 до 1 пример 5
Zr 10 — 80
МЬ 10 — 80
Соощ 4 — 15
Ссвоб дО 1 пример 8
Hf 20 — 90
ХЬ 10 — 70
Собщ 4 — 15
Ссвоб дО пример 3
Ti 10 — 60
Та 15 — 90
Собщ 4 — 15
Ссвоб до 1 пример 6
Хг 10 — 65
Та 20 — 90
Собщ 4 — 15
Ссвоб дО 1 пример 9
Hf 10 — 90
Та 10 — 90
Соощ 4 — 15
Cñàî6 до 1
347807
Составитель Ю. Еркин
Корректор А. Васильева
Техред Л. Богданова
Редактор Т. Иванова
Заказ 287 1/1 Изд. № 1198 Тираж 406 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/б
Типография, пр. Сапунова, 2
Карбидный резистор изготовлен в габаритах резистора СПΠ— 0,5 вт методом горячего прессования при 900 С в слабо восстановительной среде. Связующим материалом служит высокобариевое алюмо-силикатно-борно-бариевое стекло с добавками модифицирующих окислов.
Предмет изобретения
1. Резистор объемного типа на основе сложного карбида, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к дестабилизирующим факторам и снижения температурного коэффициента сопротивления, в качестве токопроводящей фазы использован сложный карбид металлов IV u V групп периодической системы.
5 2. Резистор по п. 1, отличающийся тем, чго компоненты токопроводя щей фазы взяты в следующих количественных соотношениях (вес %)
Металл IV группы 1 — 94
10 Металл Ъ группы 1 — 94
Углерод общ, 4 — 25
Углерод своб. 0,01 — 2,5
