Способ присоединения монокристаллических пластин кремния к инородным подложкам
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ;
Союз Советскнх
Соцнавнстнческнх
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61} Дополнительное к авт. свид-ву— (22) 3аявлено 040269 (2Ц 1305098/26-25 (51) N. Ka.
H 0l b 7/34 с присоединением заявки ¹Государственный комнтет
СССР н о делам нзобретенн и н открытнй (23) Приоритет " (53) УДК 621.382 ° .002(088.8) Опубликовано 2501.79 Б|оллетеиь ¹ 3
Дата опубликования описания 250179
P2) Авторы изобретения
Э.А.Клименко, А.В.Ржанов, Л.Н.Александров и A.Ã.Êëèìåíêo (71) Заявитель
Институт физики попупроводников Сибирского отделения AH СССР (54) СНОСОВ ПРИСОЕДИНЕНИЯ ИОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ
ПЛАСТИН КРЕМНИЯ К ИНОРОДНЫМ ПОДЛОЖКАМ
Изобретение относится к области полупроводниковой технологии, в частности к технологии изготовления монокристаллических слоев полупроводников на различных инородных подложках. 5
В известных способах эпитаксиального наращивания монокристаллических слоев иа инородных монокристаллических подложках к электроннолучевой перекристаллизации и реотаксиального О наращивания на инородных поликристаллических подложках .имеют место ограниченность выбора подложек и наличие в слоях больших механических напряжений вследствие значительного различия в коэффициентах термического расширения, а также несоответствия параметров решетки материалов слоя ло и под жки, Цель изобретения - разработка способа присоединения монокристалличес- ких пластин к инородным подложкам, по которому не происходило бы заметного изменения электрофизнческих и струк- Ф турных свойств присоединяемых к подложкам монокристаллических пластин.
Это достигается введением между монокристаллической пластиной и подложкой промежуточного слоя из материала, имеющего меньшую температуру плавления,-чем температура плавления материала пластины, и способного об- . разовывать с материалом пластины непрерывную систему равновесных твердых растворов. В результате прочно соеди- няются подложка с промежуточным слоем при расплавлении последнего, а также промежуточный слой с монокристаллической пластиной при температурах, при которых материал пластины еще относительно мало химически активен.
Примером реализации предлагаемого способа может служить присоединение пластины кремния к подложке из муллитовой керамики посредством промежуточного слоя из германия. На пластину кремния наносят слой германия, сверху накладывают плоскую керамическую подложку и в вакууме 10
10 мм.рт.ст. разогревают до 9371420 С, т.е. в диапазоне температур, соответствующих образованию равновесных растворрв системы германий-крем"ний. Скорость нагрева составляет нв более 15 град/мин. При этом между плас- иной кремния и подложкой образуется жидкий слой равновесного раствора сис ний. Затем
348132
Составитель М.Ленешкина
ТехредО.Андрейко Корректор M.Демчик, Редактор Т.Колодцева
Заказ 7857/1 Тираж 92 L Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета СССР .по делам изобретений и открытий
11.3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5
Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная, 4 снижают температуру со скоростью не более 15 град/мин, в результате чего жидкий слой раствора германий-кремний кристаллизуется в виде монокристалла, а кремневая пластинка оказывается прочно соединенной с инородной подложкой.
Нанесение слоя германий производят либо путем его напыления в вакууме, либо наложением тонкой (30-40 мкм) пластинки германия на пластину кремния.
Формула изобретения
Способ присоединения монокристаллических пластин кремния к инородным подложкам посредством монокристаллических прослоек равновесных твердых растворов вещества присоединяемого б кристалла, отличающийся тем, что, с целью сохранения свойств и структуры монокристаллических пластин в области их контакта с подложЭ-кой, в качестве прослойки используют германйй; близкий По своим свойствам к присоединяемому кремнию,
