Мультивибратор
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
3379I2
Сова Советскит
Соииалистическил
Реслублик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 28.Х1!.1970 (№ 1611852!26-9) М. Кл. Н ОЗК 3/281 с присоединением заявки №
Приоритет
Комитет ло делам ивобретеиий и открытий ори Совете Ыииистров
СССР
УДК 621.373.52(088.8) Опубликовано 05Х.1972. Бюллетень № 15
Дата опубликования списания 6Х1.1972
Автор изобретения
С. Д. Шпота
Минский радиотехнический институт
Заявитель
МУЛЬТИ ВИБРАТОР
Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано при проектировании различных устройств для генерирования периодических прямоугольных импульсов.
Известен мультивибратор на транзисторах с коллекторно-базовыми емкостными связями, содержащий д ва дополнителыных транзистора того же типа проводимости и один времязадающий резистор, подсоединенный к базам основных транзисторов посредством полупроводниковых диодов.
Однако такое устройство не позволяет максимально использовать частотные свойства пранзисторов, а уменьшение солро тивле ния рремязадающего резистора может привести к одновременному попаданию транзисторов в режим насыщения.
Цель изобретения — повышение быстродействия и надежности работы устройства.
Для того в .предлагаемом мультивибраторе времязадающий резистор подсоединен к соответствующему полюсу источника питания через коллекторно-эмиттерные переходы дополнительных транзисторов, базы которых соединены с коллекторами основных транзисторов.
На чертеже представлена,принципиалыная электрическая схема предл агаемого устройства.
Мультивибратор содержит основные транзисторы I,и 2, включенные по схеме с общим эмиттером, коллекторные резисторы 8 и 4 и один времязадающий резистор 5, конденсато5 ры б и 7, полупроводниковые диоды 8 и 9 и дополнительные транзисторы 10 u Il. Резистор 5 подсоединен к базам транзисторов 1 и
2 через диоды 9 и 8, а к соответствующему полюсу источника 12 питания — через коллек10 торно-эмиттерные,переходы тр анзисторов 10 и 11, базы которых соединены с коллекторами транзисторов 1 и 2.
Мультивибратор работает в автоколебательном режиме и имеет два квазиустойчивых со15 стояния. В одном из них транзисторы 1 и 11 находятся в открытом состоянии, а транзисторы 2 и 10 — в закрытом. При этом конденсатор б разряжается через диод 8, резистор 5, выходное сопротивление открытого
20 транзистора 11, источник 12 и эмиттер †коллектор насыщенного транзистора 1.
В течение, времени разряда конденсатора 6 диод 9 и транзистор 10 находятся в запертом состоянии, а транзистор 1 — в насыщении под
25 действием тока заряда конденсатора 7. По мере разряда конденсатора 6 потенциал база — эмиттер транзистора 2 .понижается и, как только он станет равным потенциалу отпирания, транзистор 2 открывается, а конден30 сатор 6 вновь начинает заряжаться. К этому
337912
Предмет изобретения
Составитель А. Багян
Корректор Л. Царькова
Редактор T. Иванова
Техред 3. Тараненко
Заказ 1638/4 Изд. № 711 Тираж 448 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изопретеннй и открытий нрп Совете Министров СССР
Москва, К-З5, Раушская наб., д. 4, 5
Типография, пр. Сапунова, 2 времени конденсатор 7 зарядится, ток в базу транзистора 1 прекратится, и он закрывается.
Конденсатор 7 начинает разряжаться через диод 9, резистор 5, выходное сопротивление открытого транзистора 10, источника 12 и эмиттер —,коллектор насыщенного тр анзистора 2. Далее процесс периодически повторяется.
Благодаря наличию транзисторов 10 и 11 при подключении источника 12 питания к схеме транзисторы 1 и 2 мультивибратора не могут одновременно попасть в режим насыщения от тока, протекающего через времязадающий резистор 5, так как ток не |потечет при равенстве потенциалов коллекторов нулю. Это позволяет значительно снизить величину сопротивления резистора 5, не уменьшая емкостей времязадающих конденсаторов б .и 7, получая таким образом высокую крутизну переднего фронта выходных импульсов,при высокой частоте автоколебаний в режиме мягкого само возбуждения.
Применение вместо диодов в качестве отключающих времязадающих (элементов резистора 5 транзисторов 10 и 11) позволяет стабилизировать ток разряда конденсаторов б и 7 и увеличить диапазон изменения нагрузочных резисторов 8 и 4.
5 Все это способствует повышению быстродействия и надежности работы мультивибратор а.
Мультивибратор на транзисторах с коллекторно-базовыми емкостными связями, содержащий два дополнительных транзистора того же типа проводимости и один .времязадающий
15 резистор, подсоединенный к базам основных транзисторов посредством полупроводниковых диодов, отличающийся тем, что, с целью ,повышения быстродействия и надежности работы, времязадающий резистор подсоединен к
20 соответствующему полюсу источника питания через коллекторно-эмиттерные переходы дополнительных тра нзисторов, базы которых соединены с коллекторами основных транзисторов.

