Запоминающее устройство2 .

Авторы патента:

G11C11/14 - тонкопленочных

О И И С, А Н И Е 336896

Союз Советских

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

g ПАТЕНТУ

Зависимый от патента №вЂ”

Ч Кз 6 )!с 11/14

Заявлено 02.Х.1967 (№ 1186947/18-24)

Приоритет 07.Х.1966, ¹ 79140, Франция

Комитет по делам изобретеиий и открытий при Совете Мииистрав

СССР

Опубликовано 21.)V.)972. Бюллетень ¹ 14

УДК, 68).327.66(088.8) Дата опубликования описания 14.VI.1972

Автор изобретения

Иностранец

Яан Вален (франция) Иностранное предприятие

«Сосьете д Електроник э д Отомасьон» (Франция) Заявитель

ЗАПОМИ НАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к области запоминающих устройств.

Известно запоминающее устройство (ЗУ), содержащее тонкие пленки из анизотропного магнитного материала, размещенные межд" ортогональными словарными и разрядными проводниками, пластину из мягкого магнитного материала с бороздками, расположенными ортогонально словарным проводникам, причем в каждую из бороздок помещен разрядный проводник.

Недостатком известного ЗУ является значительное взаимное влияние запоминающих элементов, образованных участками тонки.;. пленок, расположенными в перекрестиях словарных и разрядных проводников, что приводит к снижению надежности известного ЗУ.

Описываемое ЗУ отличается от известного тем, что в нем тонкие пленки выполнены в форме лент из магнитного материала, ось легкого намагничивания которого ориентирована вдоль длины лент, словарные проводники выполнены в форме лент из немагнитного проводящего материала и размещены на лентах из магнитного материала, Указанные отличия позволяют повысить надежность устройства.

В описываемом устройстве целесообразно выбирать отношение расстояния между бороздками пластины из мягкого магнитного материала к ширине каждой бороздки равным

3/2, а отношение ширины каждой бороздки к расстоянию между лентами вЂ” равным 1/3, что позволяет упростить устройство.

На чертеже изображен общий вид накопителя предложенного ЗУ, причем пластина из мягкого магнитного материала показана отделенной от остальней его части (для большей наглядности).

В накопитель ЗУ входят металлическая немагнитная подложка 1, покрытая изолирующим немагнитным слоем 2, на который нанесены ленты 8 из магнитного материала, ось легкого намагничивания которого ориентирована вдоль лент. Ленты 3 могут быть изготовлены, например, из сплава никеля и железа, в о отношении 4: 1, толщиной, например, 1000 4.

Каждая лента покрыта металлическим проводящим слоем 4, служащим в качестве словарного проводника. Этот слой может быть мед. ным и иметь толщину около 5 мк. На описанную выше структуру накладывается пластина б из мягкого магнитного материала. Разрядные проводники б размещены в бороздках 7 пластины б, например, вклеены в них. Запоминающие элементы 8 образованы участками лент.8, расположенными в перекрестиях словарных 4 и разрядных б проводников.

Процессы записи, хранения и считывания

336896

Предмет изобретения

Составитель В. Рудаков

Редактор Б. Нанкина Техред Е. Борисова Корректор А Царькова

Заказ 218/979 Тира г 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-85, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Галатеи г» информации в описанном ЗУ аналогичны гем же процессам в известных ЗУ.

1. Запоминающее устройство, содержащее тонкие пленки из анизотропного магнитного материала, размещенные между ортогональными словарными и разрядными проводниками, пластину из мягкого магнитного материала с бороздками, расположенными ортогонально словарным проводникам, пр ичем в каждую из бороздок помещен разрядный проводник, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности устройства, тонкие пленки выполнены в форме лент из магнитного материала, ось легкого намагничивания которого ориентирована вдоль .длины лент, словарные проводники выполнены в форме лент из немагнитного проводящего материала и размещены на лентах из магнитного материала.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, 10 что, с целью упрощения устройства, отношение расстояния между бороздками пластины из мягкого магнитного материала к ширине каждой бороздки выбрано равным 3/2, а отношение ширины каждой бороздки к расстоянию между лентами выбрано равным 1/3.

Матрица запоминающего устройства // 329576

Матрица запоминающего устройства // 326640

Матрица запоминающего устройства // 318994

Тонкопленочный элемент памяти // 308459

Запоминающее устройство // 306501

Матрица магнитной намяти // 305508

Способ изготовления матриц запоминающих устройств'всесоюзная // 304627

Плл i(natehtho-m^ii^e кдя!_би5лиотена•• ~^^^^* i 11 ^_ // 299872

Запоминающее устройство // 299871

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)