Рпрофюзная 1пдиптяо.ган:^...-^^,^g''-•at.ij.y'lif— , ..»

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Ссеетских

Социал исти ческин

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №.Ч. Кл. Н 01! 7/68

Заявлено 08.ЧИ.1968 (№ 1253966, 26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 191.1972. Бюллетень № 4

Дата опубликования описания 9.III.1972

КоМитет по делов изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УД K 621.328.2.002.54 (088.8) Авторы изобретения

И. М. Глазков, Я. И. Точицкий, В. И. Мальто, И. П. Крюк и С. Е. Федориненко

Заявитель

МИ КРОМАНИ ПУЛЯТОР

Изобретение относится к устройствам точной механики и может быть применено при производстве полупроводниковых приборов.

Известен микроманипулятор, содержащий корпус, координатно-поворотный узел, состоящий из жестко связанных между собой и установленных один на другом столиков и привода перемещения от микрометрических винтов или рычагов. Этот микроманипулятор не обеспечивает высокой точности перемещейия.

Целью изобретения является повышение точности перемещения при том же выполнении элементов микроманипулятора. Цель достигается тем, что в микроманипулятор введен третий столик, установленный над координатно-поворотным узлом и связанный с его осью поворота плоской пружинной пластиной.

Пластина имеет две прорези и закреплена средней частью на оси координатно-поворотного узла, а боковыми сторонами — на рабочем столе.

На чертеже показан предложенный микром анипулятор.

Микроманипулятор установлен на нижней плите 1, над которой жестко укреплена базовая плита 2 с перемещающимся по ней на шариках рабочим столом 8. К столу крепятся стойки 4, которые проходят через отверстие в плите 2. На стойках 4 установлено устройство орпентацпп 5 с полупроводниковой пластиной б. На плите 2 установлен фотошаблон 7.

На нижней плите 1 смонтированы направляющие 8, в которых перемещается столик 9.

На столике 9 в направляющих 10 закреплен столик 11, па котором с помощью радиальноупорных подишпников установлена ось 12, связанная со средней частью пружинной пластины 18, имеющей две прорези. Края пластины 13 через плиту 14 устройства ориентации скреплены с рабочим столом 8.

Перемещения столиков 9, 11 и оси 12 через

15 пластину 13 передаются рабочему столу 3.

При неточном изготовлении деталей и неаккуратной сборке перемещения столиков и поворот оси не параллельны плоскости перемещения рабочего стола 3. Вертикальная со20 ставляющая этих перемещений вызывает деформацию средней части пластины 13, при этом не возникает горизонтальных смещений прикрепленного к ней рабочего стола 8. Пластина 13 передает горизонтальные перемеще2S ния рабочему столу 3 от столиков 9, 11 и осп

12 и компенсирует непараллельность их перемещений. Рабочий стол 8 передвигается по плоскости плиты 2, благодаря чему пластина б перемещается параллельно нижней плоско30 сти фотошаблопа 7, прп этом сохраняется по326668

1аказ 519 17

Типография, пр, Сапунова, 2 стоянный зазор между полупроводниковой пластиной и фотошаблоном.

На нижней плите 1 установлен винт 15 с гайкой 1б, который упирается в мембрану 17 исполнительной камеры 18 объемной гидропередачи, закрепленной на столике 9. Исполнительная камера 18 соединена трубопроводом 19 с управляющей камерой 20, которая установлена на нижней плите 1 и заполнена практически несжимаемой жидкостью. В верхней части камеры 20 имеется сильфон 21, который упирается в микрометрический винт 22, вращающийся в неподвижной гайке 28. Перемещая винт 22, сжимают или освобождают сильфон 21. жидкость из сильфона 21 поступает в исполнительную камеру 18 и перемещает мембрану 17. Мембрана упирается в винт 15, неподвижный относительно нижней плиты 1 благодаря гайке 1б, поэтому перемещение мембраны 17 вызывает перемещение столика

9. В случае освобождения сильфона 21 пружина 24, которая осуществляет силовое замыкание столика 9 с плитой 1 и винтом 15, перемещает столик 9, и жидкость из исполнительной камеры 18 поступает в камеру 20.

Давление жидкости в камере 20 и усилие пружины 25 прижимает сильфоп 21 к винту

22. Благодаря тому что площадь поперечного сечения сильфона 21 значительно меньше пло5 щади мембраны 17, с помощью микрометрического винта 22 обеспечива1от весьма точные перемещения стола 9. Аналогичную конструкцию имеет привод столика 11. Перемещения столика 11 осуществляются винтом 2б, а поТО ворот вокруг оси 12 — винтом 27.

Предмет изобретения

Микроманипулятор, содержащий корпус, 15 координатно-поворотный узел, включающий два жестко связанных между собой и установленных один на другом столика и систему управления, отлича ои ийся тем, что, с целью повышения точности перемещений, он содер20 жит третий столик, установленный над координатно-поворотным узлом и связанный с его осью поворота плоской пружинной пластиной, которая имеет две прорези и закреплена своей средней частью на оси координатно-пово25 ротного узла, а боковыми сторонами — íà рабочем столе.

Составитель В. Гришин

Редактор Т. Орловская

Техред 3. Тараненко

Корректоры: A. Николаева и В. Петрова

Изд. ¹ 97 Тираж 448

Подписное

Ц11ИИПИ Комитета по делана изобретений и открыгий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Рпрофюзная 1пдиптяо.ган:^...-^^,^g-•at.ij.ylif— , ..» Рпрофюзная 1пдиптяо.ган:^...-^^,^g-•at.ij.ylif— , ..» 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх