Способ изготовления полупроводниковых приборов

323057

Оп ИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 05.т 1.1969 (№ 1336187/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 09.ll.1972. Бюллетень № 7

Дата опубликованпя описания 7.IV.1972

М. Кл, Н 01/ 7/64

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 62 1.328.001.3 (088.8) Авторы изобретения

В. С. Галков и Н. И. Фейгинов

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Изобретение относится к электронной технике.

Известны способы изготовления полупроводниковых приборов, при которых последовательно проводят следующие операции (после получения функциональных элементов на полупроводниковой пластине): зондовые измерения параметров приборов с маркировкой негодных, разделение пластины на отдельные кристаллы, разбраковку и сборку прибора в корпусе путем монтажа кристалла на ножке и присоединения внутренних выводов. В некоторых случаях при резке пластин на кристаллы их приклеивают к пластине-спутнику и после разделения отсоединяют. Иногда при сборке приборов применяют беспроволочные методы, не требующие крепления кристаллов к ножке, заключающиеся в присоединении балочных выводов непосредственно к кристаллу.

К недостаткам известных способов относятся необходимость в маркировке негодных прп боров, ручной разбраковке и для автоматизации процесса — в оптико-электронных устройствах для совмещения кристалла с базовыми элементами корпуса.

Предлагаемый способ позволяет упростить технологический процесс и сохранить ориентацию кристаллов по отношению к базовым элементам корпуса для автоматизации процесса сборки вплоть до момента выполнения этой операции. Он отличается тем, что полупроводниковую пластину, предварительно закрепленную после пслучення на ней функциональных элементов на пластине-спутнике, сначала разделяют на кристаллы, а затем производят зондовый контроль параметров, отделяют применением местного подогрева годные кристаллы и прикрепляют их к корпусам приборов или отделяют и удаляют негодные кри1Q сталлы, а годные, ориентированные на пластине-спутнике, передают на сборочную операцию, где отделяют крис;аллы от пластиныспутника и прикрепляют 1х к корпусам приборов или, в случае сборки с применением ба1 лочных выводов, поочередно прпваривают к кристаллам группы балочных выводов и отделяют кристаллы от пластины-спутника после приварки выводов.

На фиг. 1 показана операция разделения

20 полупроводниковой пластины на кристаллы; на фиг. 2 — операция зондового контроля параметров, при которой происходят также отделение годных кристаллов и перенос их для крепления к корпусу пли отделение и удале25 ние негодных кристаллов; на фиг. 3 — операция приварки к годным кристаллам балочных выводов при беспроволочной сборке приборов.

Закрепив полупроводниковую пластину 1 с функциональными элементами на держателе30 спутнике 2 (фиг. 1) легкоплавким клеем или

323057 примораживанием, разделяют ее на кристаллы без нарушения ориентации с помощью устройства 8 (резца скрайберного станка, пилы или диска установки разрезки). Для этой операции может применяться и травление.

Далее прп последовательном перемеще пги пластины на шаг расположения кристаллов 4 контролируют их параметры зондами 5 (фиг. 2), Годные кристаллы поочередно, по мере измерения, отделяют от держателя-спутника 2 устройством 6, применяя местный подогрев пх до температуры плавления крепящего состава с помощью устройства 7, которое может представлять собой трубку для подачи горячего газа либо нагретый стержень (в частном случае устройства 6 и 7 могут быть совмещены), устанавливают па корпусе

8 прибора и припанвают илп приклеивают.

При неодинаковой производительности зопдового и сборочного устройств, невысоком проценте выхода годных кристаллов ня пласгипе или при сборке кристаллов путем крепления балочных выводов целесообразно удалять негодные кристаллы, При этом годные кристаллы передают ня держателе-спутнике на сборочную установку, где держатель-спутник с кристаллами орпенгируют в соответствии с кинематикой движения устройства 6, после чего последовательно отделяют кристаллы от пластины-спутника и прикрепляют к корпусам, а при сборке с балочными выводами — ориентируют по от юшепшо к плате

9 (фиг. 3) и поочередно прпваривают к кристаллам группы балочных выводов, отделяя кристаллы от держателя-спутника после приварки выводов. При сборке дополнительно перемещают пластину па шаг расположения кристаллов, подают корпуса 8 в рабочую зону и перемещают плату 9 на шаг расположения групп выводов.

Выборочное отделение от пластины-спутника годных или негодных кристаллов по мере измерения параметров не требует маркировки негодных кристаллов и разбраковки, а бла

5 годаря тому, что взаимное расположение годных кристаллов определено закреплением их на держателе-спутнике, огпадает необходи мость в дополнительных манипуляциях для ориентации каждого кристалла. Кроме того, 10 кристаллы, передаваемые па сборку, базируют по структурам па них, я не по граням, причем правильность базировании контролируют зондами, что создает условия для высокоточного расположения кристаллов по отношеник>

15 к базовым элементам корпуса, способствуя автоматизации процесса, Описываемый способ может применяться также в тех случаях, когда необходима классификация кристаллов по параметрам. При

20 этом, измеряя параметры кристаллов, их от. деляют и переносят каждый кр сталл, в зависимости от его характеристик, в соответст. вующую емкость.

25 Предмет изобретения

Способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий получение функциональных элементов па полупроводниковой пластине, зондовый контроль параметров, закрепление полупроводниковой пластины ня держателе-спутнике, разделение на кристаллы, съем кристаллов с держателя-спутника н их крепление к ножке прибора плп к выво55 дам, отлачаюншйся тем, что, с целью упрощения процесса изготовления приборов, зондовый контроль параметров функциональных элементов проводят после разделения пластины на кристаллы, я съем годных кристаллов с

40 держателя-спутника осуществляют выборочно.

323057

Составитель В. Гришин

Техред Е. Борисова

Редактор Б. Федотов

Корректор О. Тюрина

Заказ 888(3 Изд. № 351 Тпрагк 448 Подписное

ЦНИИПИ Комптета по делаги изобретений и открытий при Совете Министров СССР

M0cKA÷, Ж-Ç5, Раушская наб., д. 4 5

Типография, пр. Сапунова, 2