Способ настройки 5''силителя на туннельном диоде

 

аАтигбу-Тсxl .

ОП 1 СЖЙИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Соеетских

Сачиалистнческих

Республик

К АВТСРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВх

"- .:; .!симос От авт. свидетельства ¹

3а3!п;-"в.,л7сно 26.711.1967 (ЛЬ 11758г05 26-25) :, r ) .; †. !) ;,- .: 1 5 2 ) с 11 1) 1! с 0 c н с и! I с:c 3 3 я в к! ¹вЂ”

Коиитет по делая г1;) !!о р1! тс)— изосретеккй и открытий при Сосете тоинистров

ССС5

Prl1v0 7!I!c3) 3 3:1О 1 3.Ъ, 1 971 . 5!07." сl! ь, хс 1 F;

3Т11 Опх бл11 КОВ3:l .151 (.!1!101111И51 — Ч. 1 11.

Авторы изобретения

Е. Е. Осипов и Д. В. Кручинин

Московский Орден;1 Ленина энергетическии институт

3. !явитель

С»О; ОБ НАСТРОЙКИ УС11ЛИТЕЛЯ НА ЛхННЕЛЬНОМ ДИОДЕ

Изоб)!остенH oT:Ioc!

ИЗ!Весгн!з1c clkocooû наст; ) Оики у!силиT37 р 1; 11" туннельных диодах основаны на подаче на гуннельный диод усили!ваемого переменного сигнала, на!пряжения к)мещения и дополна!тельного низкочастотного сипнала, !позволя!Ощего координировать рабочую точку !на вольтамперной характерикстике туннельного диода относительно какой-либо ее характерной точки. Наиболее целесообразно в качестве характерной точки выбирать точку о)ерегиба пад!!ющсго учасгка вольтамперной характери;тик;!.

Согласно одному из известных способов, для определения положения точки перегиба туннельный диод подключают к одному из !Iлс:I сбалансированного низкочастогного моста. !10дают на этот мост допол!Нитс.7ьиос н!!3!ко13стотное напряжение и изменяют смещен;!с диоде, фи!осируя точку перегиба в.х!03!с!!! максимального разба73Hca моста. Проверку ус:iлителя на устойчивость,»poH31)ozIIT, набл!од!!5! характер из м с е1! и я, ) 3 3 0 аl л а н с а х О с т 51 11 !) 11 11 3МЕНЕНИИ С31ЕЩЕНИЯ (OTC! ТСТВИС ОК3.1КОВ, )k!30!!ланса и единственный максиму)l указы 3;liol;l;l

У С Т О и I I I 13 O C T b Г С ! Л И Т C;I 51 . 1 ге- 3 К" Х ТСГЭ C!Hoi О!! ЯВ 751!О Г. Ч 070 .;.3"ть провс;)к! у илителя на устойчивость

НЕВЫСОКВЯ ТОЧНОСТЬ У становк:I 11100:IС!! ТОЧИ:l с.,!ещсния 1,,вследств е недосг; т0: ой то:I:lîcòH

5 и!I!pocTQTbl фиксации точки с1ерсгиба) .

Целью изобрсте!iия .являегся упрощение прозсркп усил;!те.7я !на устои гнвосгь и повышение точности установки рабочей тохкк!! см"щения на туннельном диоде акутем !повышения

1О точности .фиксации положения точки Icðåãèáo падающего участка,вольтамперной характеристики этого диода.

Для этого производят и"!дикацию в цепи смеще!Ния T) ííå 7ü:Ioãо диода выотрям 7снной соста,вляющей тока, !поя!В.7яющс17!ся !Вслсдс TIIIIc детектирования эт.!м диодом ьходного хперсмснного сигна Iа усилите7я. Затс)1, измсklÿ5I смещение на диоде, наблюда1от 33 харакктером изменения эгой cocT3вляющсй и фик!Сиру!от

2о точку перегиба по моменту п)рохож!дения !вы.,;)Яз!.7сннотй! Оста!Вля10щей чспсЗ и) лъ !со сменой знака. Отсутствие скачков вьопрямлеklHoi составляющей и наличие единственной точки смсщення, при прохождении через которую

25 выпрямленная составляющая проходит черсз нуль со сменой знака, указывают на устойчиВость настраиваемого усилителя.

Упрощение настроики достигается благод;:)5! го);у. ITQ нс требуется Illoäê7!o÷3òü к тун0 !! "Л Ь:i 0 5! \ Д!10Д) ДО!10, IНИТЕ 7bHbI Y ) СТ;)0!ICT13

303598

П lp с !д !м с т л 3 О б р с и е ill и я

Состав:?тсоь Л. Пирожников

Тсхрсд Е. Борисова Корр си о;? В. И. Жос?удев !

Редактор T. 3. Ораовскаи

11зд. ¹ 721 Заказ 3873 Тираж 480 Подписное

Ц!11!ИЛИ Комитета ио дез!?5! изобрете:?ий и открытий ир;! Совете Мг?е?астров СССР

Москва, К-35, Раушская иаб., д. 4/5

00„13c1;?B5I i:I;iзграф!l?I Костромского уираваеи:.>я IIO ие ?ати,С Л 3 П;? IUI PP > CO3, I сl ЛСЛРОВ3 ННОГО МОСТ3) И П ОД 1-!

53ТЬ Нсl Т>СПНСЛЫ1ЫИ ДИОД ДОПОЛ:1ИТСЛЪНЫХ> ! тромс входноГО сигнала ? силитсл51, с?11>!13> 70в (!Ирл извосгиом способе — — низкочаc.oTíûji С5!гнал). Кроме того, настройка упрощается непо- 5

C ?СДСТВЕННОЙ ?, Стано>ВКОЙ T O>IКЛ СМСШЕПИЯ, ПРИ

li o T o j? oil ъ с и л и т с л ь 0 0 л агд 3 с т 51 11!к с1гм 3 л ь 11 ы м длнат!л 1есклм,1!1!1ла?зоном. Эта точка фи сиРУСтСЯ В >МОМСПт МаКСИМаЛЬНОй ВСЛИ>1И!НЫ ВЫлрямленлого тока при у?велисчении комсщения за 10 !!pcicлы точки !перегиба (!при известном сдособс та!Ну!0 точку можно !Найти лишь расчетным л тсм) .

ТОЧНОСТЬ фИКCclllHii iOЧКИ сЛЕрСГЛба ПОВЫш с! с l:Я Oл сl Гoil clP51 томУ, что 5! стоД н>, 1b-! ИД11- 15

b el!I! I II OT1IOC11 ВСЯ 1" 11сl ИООЛЕЕ TOЧНЫ >I ЗIСТОД3 М измерений, Исследо вания !показывают> ITo т ÎЧЛО ТЬ !РИ ?ссс? II È Л 10ЧI" И !ПЕ1? Cf ÈÎсl ПРСДЛОЖСII лым опособом ла трл порядка превышает точl i C i."I 1> ф?И С сl 1,1i Л ЭТО Й ТО>1К и 113!1CCТ>11>1 Уl CI I 0 CO 20 !

?Ом. (!51 рсализацлл прсдложе:!ного способа НсЛОЛЬЗУ!OT С13НДаРтИЫй СТЕНД Нс?СТРО11!К1! УСИЛИтслсй li3 туп!!сльных диода.;. в !который !!!!зодяг

j? сlЗДС. 1;1ТСЛЬН1>111 !СОНДСНСсlTO,"? И ЛСР CКЛIО I сlт!.Лb 25 для л:!дi! I(3llии оконечной частью стенда вы;!р5вмлслло?! Составляющей тока H .Испи смсшсll H51 1 т ll icë ÍÈÎÃÎ;1110 Д3 H3 cTP cl и Всi c!IÎÃО C слл?!1СЛЯ.

С!пособ !поясняс гся черте ком. CTcíä co;Icjiжлт Гонер атОр 1 1зхОДНОГО зlод > THpoçсl!" НОГО сигнала, усилитель 2,!i3 туннельном >диоде, блок, 3 !подачи смещсния на туннсльный диод, детектор 4, инд!и!кагор 5 сигнала частоты модуля!цил (видес!усилитель), осциллограф 6, со- 35 противление 7 смещения туннельного диода, ра?зделительны!1 .конденсатор 8, !пере!ключатель 9.

С помощью стон?да усилитель настраивают сл еду1ощ и,м обр азом. 40

На гуннельный диод с генератора 1 подают модулированный с!зпнал и с блока 8 — напряжение смещения.

Подключают индикатор 5 с помощью переключателя 9 1к емкости 8 и, изменяя смещение на ZHopc, наблюдают си?гнал на экране осциллографа 6. Точку перегиба падающего участ?ка вольтам,перной хара1ктсрпстики фн?ксиру1от !IIQ моменту !прохождения набл1одаемо! о сигнала через нулысо,-сменой знака.

ПОСЛЕ ЭТОГО уетаиаВЛИ!Ва?От рабсв1у10 TO IÊó смещения относительно найденной точки перегиба. Затем подключают инди àòîð 5 к дете!ктору 4 и !подстраивают усилитель 2 на требуемую всличичину усиления, произведя индикацию выпрямленного детектором 4 выходного

СИГН 3Л cl > СИЛ ИТЕЛЯ.

Снова, подключают индикатор 5 !к емкости 8 и, плавно изменяя смешение на диоде, наблюдают сигнал па экране осциллографа. Плавное, без окачков, изме?!ение этого сигнала и

ЛаЛЛЧИЕ ЕДИНСтВЕННОй ТО>ТКИ СМЕШЕ Н1!Я, !СО!В!Падающей с точкой, наЙ?денной ранее, при лрохо?ксдении чсрез которую сигнал проходит чеj?e3 нуль со сменой знака (фазы), указывают

lI3 1стойчи!вость усилителя.

Пре>длаll ас>мblй 0;10соо можcг примcлЯT1>ся з лаборатор!Ных условиях для исследования усилителей 113 туллсльных?IHîä3., в промышленности прл настройке усилителей и !в полевых условиях >для проверки работоспособности усилителей. Он пригоден также для настройки некоторых других устройств на тунисльнь1х диодах, например генераторов.

Способ настройки услл. !геля llcl туннельном диоде путем подачи на туннсльный диод мощности !переменного сигнала и на?пряжения смещения, отличающийся тем, что, с целью у!прощения настройки и повышения точности установки рабочей точки смещения 113 туннельном диоде относительно точки перегиба чадающсго участка вольтам!перной характеристики этого диода, производят и?ндикацию,в цепи смещения туннельного диода выпрямленной составляющей тока, изменяют смещение и фиксиру.ют точ!ку ?перегиба по моменту,прохождеilHH этой соста!вляюшей через нуль со смелой

3113 K3

Способ настройки 5силителя на туннельном диоде Способ настройки 5силителя на туннельном диоде 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх