Стабилизатор напряжения для гибридной пленочнойсхемб!
26 2I92
ОП ИСАН И Е
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Соав Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 15.Ч.1968 (№ 1239392/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 26.1.1970. Бюллетень № 6
Дата опубликования описания З.Ч1.1970
Кл. 21а, 35/14
ЫПК Н 02m
УДК 621.316.722.1(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Автор изобретения
В. И. Дьячков
Рязанский радиотехнический институт
Заявитель
СТАБИЛИЗАТОР НАПРЯЖЕНИЯ ДЛЯ ГИБРИДНОЙ ПЛЕНОЧНОЙ
СХЕМЫ
Изобретение относится к стабилизаторам напряжения, выполненным на гибридных пленочных схемах, где важны малые габариты, вес, а также простое схемотехническое решение отдельных микросхем, входящих в устройство.
Известные стабилизаторы на пряжений, собранные на опорных диодах, включенных в обратном направлении,:имеют высокий потенциал стабилизации для применения в пленочных гибридных микросхемах, где, как правило, требуются стабильные напряжения величиной 0,5 — 2 в. При включении кремниевых диодов в прямом направлении в качестве стабилизаторов напряжения стабильность получаемого напряжения очень низка. Кроме того, такие стабилизаторы сложны, Целью изобретения является получение двух стабилизированных напряжений, упрощение конструкции и уменьшение габаритов устройства, в котором коллектор и эмиттер кремниевого транзистора подключены через токоограничительные резисторы к источнику питания, при этом р — и-переходы транзистора включены в прямом направлении.
На фиг. 1 и 2 изображены принципиальные схемы стабилизаторов напряжений, выполненных на кремниевых транзисторах разной проводимости.
Стабилизатор напряжений состоит из маломощного кремниевого транзистора 1 и двух ре5 зисторов 2 и 3, ограничивающих токи 1 и 1з через переходы транзистора. Эмиттер и коллектор транзистора подключены через резисторы к минусу или плюсу источника питания (в зависимости or типа проводимости транзисто1р ра), а база подключается соответственно к плюсу или минусу источника питания 4.
При значительном изменении напряжения источника пигания стабилизированные напря15 жения изменяются очень незначительно, так как вольт-амперные характеристики р — n-переходов кремниевого транзистора достаточно крутые. Например, при изменении напряжения источника питания от 9 до 1,5 в стабилизиро20 ванные напряжения для стабилизатора напряжений, собранного на кремниевом транзисторе
2Т307Б, изменялись менее чем на 0,1 в от своего номинального значения (0,68 — 0,65 в) при токах через р — n-переходы, равных 0,5 л а. При
2S этом коэффициент усиления резонансного усилителя практически не изменялся.
Схема стабилизатора напряжений, выполненная на кремниевых транзисторах, позволяет использовать стабилизатор в гибридных плеЗр ночных микросхемах.
262192
Предмет изобретения
Ucm
9 iг i cm
Ф г.Г
Составитель Э. Фридолина
Техред Л. Я. Левина Корректор А. М. Глазова
Редактор Вирко
Заказ 1297)2 Тираж 500 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССР
Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Стабилизатор напряжения для гибридной пленочной схемы, выполненный на кремниевом транзисторе. птлачаюшийся тем, что, с целью получения двух стабилизированных напряжений, эмиттер и коллектор транзистора подключены через токоограничительные резисторы к источнику питания, при этом р — n-переходы
5 включены в прямом направлении.
