Патент ссср 250554
250554
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Свез Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Кл. 42s, 1/06
Заявлено 05,VII.1967 (№ 1170687/18-10) с присоединением заявки ¹
Приоритет
Опубликовано 12Х111.1969. Бюллетень № 26
Дата опубликования описания 1б.1.1970
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
МПК В 06b
УДК 534.232 (088.8) Авторы изобретения
Ю. В. Гуляев, С. H. Иванов, Г. Д. Мансфельд, В. В. Проклов
Б. А. Станковский и Б. Г. Степанов
-il:
Институт радиотехники и радиоэлектроники АН СССР
Заявитель
i,к
УЛЬТРАЗВУКОВОЙ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ
Предмет изобретения
Предлагаемый преобразователь может найти применение в ультразвуковых линиях задержки, усилителях ультразвука.
Известные преобразователи такого рода, содержащие |резонатор и кристалл пьезополуправодника, использующие слой, обед пенный носителями заряда, не обеспечивают получения ультраз|вуковых колебаний сверхвысоких частот.
В предложенном преобразователе кристалл пьезополупроводника связан с центральной
>килой резонатора тонкой диэлектрической прослойкой, например слюдой, а к центральной жиле и кристаллу присоединен регулируемый источник напряжения.
Такое выполнение преобразователя позволяет получить ультразвуковые колебания сверхвысоких ча стот.
На чертеже показа и описываемый преобразователь.
В емкостном зазоре проходного резонатора
1 расположена торцовая поверхность пьезополупроводника 2, в котором необходимо возбудить ультразвуковые колебания. Кристалл пьезополупроводника изолирован от центральной жилы резонатора 1 диэлектрической прослойкой >,,например слюдой. Связь резонатора с волноводом 4 осуществляется через щель 5 связи. На поверхности пьезополупроводника имеется слой, обедненный носи. гелями заряда. СВЧ-мощность, поступающая в резонатор, приводит к появлению переменного электрического поля в зазоре резонатора. Это поле распределяется между воздуш5 ным зазором и полупроводником. В последнем оно локализуется в обедненном слое, поскольку электрическое сопротивление этого слоя значительно превосходит сопротивление объема полупроводника. Ультразвуковая:вол1о на, возникающая на поверхности в обедненном слое вследствие обратного пьезоэлектрического эффекта, распространяется от поверхности внутрь кристалла. При использовании данного преобразователя в качестве приемно15 го падающая на обедненный слой ультразвуковая волна создает переменное элекгрическое поле в зазоре резонатора вследствие прямого пьезоэффекта, которое по волноводу
4 поступает в регистрирующее устройство.
20 Между кристаллом и керном резонатора прикладывается также электрическое напряжение от источника б. Изменением этого напря>кения можно варьировать вследствие эффекта поля толщину обедненного слоя, т. е. резонансную частоту преобразователя, Ультразвуковой высокочастотный преобра30 зователь, содержащий резонатор и кристалл
250554
Составитель И. А. Догаева
Редактор С. И. Хейфиц Техред T. П. Курилко
Корректоры: М. Коробова и А. Абрамова
Заказ 3638/6 Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4 5
Типография, пр. Сапунова, 2 пьезополупроводника, и спользующий слой, обедненный носителями заряда, отличающийся тем, что, с целью, получения ультразвуковых колебаний сверхвысоких част от, в нем кристалл пьезополупроводника связан с центральной жилой резонатора тонкой диэлектрической прослойкой, на пример слюдой, а к центральной жиле резонатора к кристаллу при соединен регули|руемый источник,напряже5 ния.
