Мультивибратор
23I604
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Ф, Зависимое от авт. свидетельства ¹
Кл. 21Я1, 36/02
Заявлено 15.VI1.1967 (№ 1172528/26-9) с присоединением заявки №
МПК H 03k
Приоритет
Опубликовано 28.Х1.1968. Бюллетень ¹ 36
Дата опубликования описания 26.III.1969
Комитет по делам изобретений H открытий при Совете Министров
СССР
УДК 621.373.431.1 (088.8) Автор изобретения
Г. В. Петров
Заявитель
МУЛ ЬТИ В И БРАТОР
Известный мультивибратор, выполненный а двух транзисторах с коллекторными связями, коллекторные резисторы которых и времязадающие цепочки выполнены в виде двух многослойных RC-структур, имеет относительно малую скважность выходных импульсов.
В описываемом мультивибраторе увеличение скважности выходных импульсов достигнуто тем, что структуры с распределенными параметрами выполнены ступенчатыми, одна из этих структур, имеющая малое сопротивление на единицу длины со стороны входных зажимов, подключена этими за>кимами к коллектору первого и базе второго транзисторов, а вторая структура с высоким сопротивлением на единицу длины со стороны входных зажимов подключена этими за>кимами к базе первого и коллектору второго транзисторов.
На чертеже изобра>кена схема описываемого мультивибратора.
Мультивибратор выполнен на двух транзисторах 1 и 2 и двух ступенчатых неоднородных многослойных структурах 8 и 4. Структуры 8 и 4 выполнены в виде двух резистивных пленок, разделенных между собой диэлектрической пленкой.
Структура >, имеющая малое сопротивление на единицу длины со стороны входных зажимов, подключена этими зажимами к коллектору транзистора 1 и базе транзистора 2, а структура 4 с высоким сопротивлением на единицу длины подключена этими зажимами к оазе транзllсTОря 1 11 к Kоллсктоp / транзистора 2.
Описанный мультивибратор обеспечивает получение выходных импульсов со скважностью порядка 20.
Предмет изобретения ,1 1ультивибратор на двух транзисторах с коллекторно-базовыми связями, коллекториые резисторы которы. и времязадающие цспочкп
15 выполнены в виде днуx многослойных RCструктур с распределенными параметрами, ог.1ича>ои ийсл тем, что, с целью увеличения скважности выходнь1х импульсов, структуры с распредсленнь1ми параметрами выполнены
20 ступенчатыми, одна из этих структур, имеющая малое сопротивление на единицу длины со стороны входных зажимов, подключена этими зажима ми K коллектору первого 11 базе второго транзисторов, а вторая структура с
25 высоким сопротивлением на единицу длины со стороны входных зажимов подключена этими зяжих1ами к Оязе первого и Ko;lлеl тору второго транзисторов.
23!004
Составитель Н. Давыдов
Редактор Б. С. Нанкина Текред Л. В. Куклина Корректор Л. В. Наделяева
Заказ 371/2 Тираж 530 Подписное
ЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр. Сапунова, 2
