Низкочастотный мультивибратор

Описдние изоьеятиния к лвтовскомь свидитильствь

Свез Соеетоких

Социалистичеоких

Реопублик о п« ыУ Я пуф» g ъ Й

py,$ $9% t би".хлебо. Ч + е-Зависимое от авт, свидетельства №

Заявлено 3!.Ч.1966 (№ 1079384/26-9) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 22.ХН.196Р. Бюллетень № 2

Дата опубликования описания 25.1Х.1969

Кл. 21а>, 36/02

МПК Н 03k

УДК 621.373.431.1 (088.8) Комитет по делам иаоеретеиий и открытий при Совете ааиииетрое

СССР

Автор изобретения

А. В. Ярыгин

Заявитель

НИЗКОЧАСТОТНЫЙ МУЛЬТИ ВИБРАТОР

Последовательно .с сопротивлениями 11 и 12 нагрузки эмиттерных повторителей включены туннельные диоды 18 и 14, соединяющиеся через ограничительные сопротивления 15 и 1б с базами противолежащих транзисторов 1 и

2. К эмиттерам повторителей 7 и 8 через сопротивления 8 и 4, емкости 5 и б и коммутирующие диоды 17 и 18 подключен выход 19 внешнего генератора импульсов.

10 Работа,мультивибратора происходит следующим образом. Допустим, что транзистор 1 открыт, транзистор 7 закрыт, диод 9 находится в проводящем состоянии. Соответственно транзисторы 8 и 2 и диод 10 находятся в

15 противоположных состояниях. Через диоды

17 и 18 проходит импульсный ток, но величина его недостаточна чтобы переключить рабочую точку .на диффузионную ветвь вольтамперной характеристики, Кроме того, ввиду

20 низкого динамического сопротивления диода на туннельной ветви прохождение импульса от внешнего источника на базу транзистора 2 со стороны диода 18 практически исключено, Рабочая точка диода 14 находится .на диффу25 зионной ветви, напряжение на нем максимально и обеспечивает режим насыщения транзистора 1.

Формирование, плоской части импульсов происходит так же, как и .в обычном мульти30 вибраторе. Процесс опрокидывания отличаетВ известных транзисторных мультивибраторах, содержащих эмиттерные повторители, для получения импульсов большой длительности применяют электролитические конденсаторы, температурная и временная нестабильность параметров которых очень велика.

Предлагаемый низкочастотный мультивибратор позволяет исключить указанный недостаток и отличается от известных тем, что последовательно с сопротивлениями нагрузки эмиттерных повторителей включены туннельные диоды, которые через ограничительные сопротивления перекрестно подключены к базам транзисторов мультивибратора, Выход внешнего генератора импульсов, через дифференцирующую цепь и коммутирующие диоды подключен к эмиттерным электродам эмиттерных повторителей. Указанное отличие позволяет увеличить верхний предел зремязадающего сопротивления и обеспечивает получение импульсов большой длительности.

Принципиальная схема мультив ибратора представлена на чертеже.

Мультивибратор собран на транзисторах

1 и 2. Времязадающими элементами являются сопротивления 8 и 4 и емкости 5 и б. Эти емкости подключены:к коллекторам транзисторов 1 и 2 через эмиттерные повторители 7 и 8. Диоды 9 и 10 уменьшают влияние температурного дрейфа обратного тока коллектора.

Взамен ранее изданного

207252

207252

Предмет изобретения

Составитель Л. Рубинчик

Текред Л. К. Малова

Корректоры: В. Чеснокова и Л. Корогод

Редактор Е. Хаскелис

Заказ 2153/2 Тираж 530 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобр.тепий и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типографии, пр. Сапунова, 2 ся тем, что в нем участвуют вторая цепь обратной связи: туннельный д1иод 18, ограничительное сопротивление 15 и туннельныи диод

14, сопротивление 1б. Толчком для начала лавинообразного процесса служит импульс от внешнего источника напряжения, появляющийся на базе закрытого транзистора 2, когда емкость 5 разрядиться настолько, что диод 10 начнет проводить ток. Верхний предел времязадающих сопротивлений 8 и 4 ограничивается обратным током диодов 9 и 10. Так для диодов типа Д-223 дрейф обратного тока в диапазоне температур от 0 до +40 Ñ и напряжений в несколько вольт не превышает

10 ва. Если считать, что этот ток не должен составлять более 1 — 2>/о оот т ррааззрряяддннооггоо, то ве"Ъличина сопротивлений 8 и 4 может быть выбрана в области единиц мегом, т. е. на два порядка больше, чем в обычной схеме мультивибратора.

Низкочастотный мультивибратор на транзисторах, в котором времязадающие емкости подключены к коллекторам транзисторов через эмиттерные повторители, а последовательно с базами транзисторов включены полупроводниковые диоды, отличающийся тем, что, с целью увеличения верхнего предела времязаl0 дающего сопротивления, последовательно с сопротивлениями нагрузки эмиттерных IIQB Торителей включены туннельные диоды, которые через ограничительные сопротивления перекрестно подключены к базам транзисторов

15 мультивибратора, а к эмиттерным электродам эмиттерных повторителей через дифференцирующую цепь и коммутирующие диоды подключен выход в нешнего генератора импульсов.