Модель двухбазового диода

Союз Соеетских

Социалистических

Ресоублик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 42m, 14

21 ., 11/02

Заявлено 20.VI.1966 (№ 1084083/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 20.Х.1967. Бюллетень № 22

МПК 6 06f

Н 011

УД К 621.382.333,32. .001.572 (088.8) Комитет 00 делам изобретений и открытий при Совете Мииистрое

СССР

Дата опубликования описания 16.1.1968

Авторы изобретения

В. И. Русланов, А. К. Гребнев и А. И. Кривоносов

Заявитель

МОДЕЛЬ ДВУХБАЗОВОГО ДИОДА зой и коллектором транзистора 2 n — р — и-ти па, причем эмиттерным выводом моделируемо го прибора служит эмиттер фототранзисторз

1, первой базой — соединение базы фототран

5 зистора 1 и коллектора транзистора 2, а вто рой базой — эмиттер транзистора 2.

10 Применение фоточувствительного транзистора в качестве элемента модели двухбазовото диода.

Известны модели двухбазавых диодов, содержащие,два транзистора различного типа проводимости.

Предложенная модель отличается от из вестных тем, что в ней в качестве одного из элементов применен фоточувствительный транзистор.

Это позволяет расширить функциональные возможности модели.

На чертеже приведена схема модели, Коллектор и база фототранзистора 1 р — тт — р-типа соединены соопветственно с ба.

Предмет изобретения

204695

Составитель Ф. Б. Гулькд

Редактор И. С,. Грузова Техред Л. Я. Бриккер Корректоры: Е. Ф. Полионова и М. П. Ромашова

Заказ 3896/6 Тираж 535 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете М инистров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2