Формирователь импульсов

Авторы патента:

H03K3/315 - Импульсная техника (измерение импульсных характеристик G01R; механические счетчики с электрическим входом G06M; устройства для накопления /хранения/ информации вообще G11; устройства хранения и выборки информации в электрических аналоговых запоминающих устройствах G11C 27/02; конструкция переключателей для генерации импульсов путем замыкания и размыкания контактов, например с использованием подвижных магнитов, H01H; статическое преобразование электрической энергии H02M;генерирование колебаний с помощью схем, содержащих активные элементы, работающие в некоммутационном режиме, H03B; импульсная модуляция колебаний синусоидальной формы H03C;H04L ; схемы дискриминаторов с подсчетом импульсов H03D;

H03K3/26 - Импульсная техника (измерение импульсных характеристик G01R; механические счетчики с электрическим входом G06M; устройства для накопления /хранения/ информации вообще G11; устройства хранения и выборки информации в электрических аналоговых запоминающих устройствах G11C 27/02; конструкция переключателей для генерации импульсов путем замыкания и размыкания контактов, например с использованием подвижных магнитов, H01H; статическое преобразование электрической энергии H02M;генерирование колебаний с помощью схем, содержащих активные элементы, работающие в некоммутационном режиме, H03B; импульсная модуляция колебаний синусоидальной формы H03C;H04L ; схемы дискриминаторов с подсчетом импульсов H03D;

О Л И С А Н И Е l904I3

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт свидетельства ¹

Кл. 21а1, 36/04

Заявле о 29.XII.1965 (№ 1045773/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 29.XII.1966. Бюллетень № 2

МПК Н 03k

УДК 62!.374.3(088.8) Номитет по цепам ивобрвтений и открытий ври Совете Министров

СССР

Дата опубликования описания 31.1.1967

ФОРМ И РО ВАТЕЛ Ь ИМ ПУЛ ЬСОВ

Предмет из об р ете и и я

Известны формирователи импульсов, содержащие два транзистора и два туннельных диода.

Предлагаемый формирователь отличается тем, что в эмиттер формирующего транзистора включен зашунтированный сопротивлением туннельный диод, анод которого через диод подключен к базе транзистора обратнои . связи, а коллектор этого транзистора так же через диод соединен с базой формирующего транзистора. Это позволяет повысить стабильность параметров формирующего импульса.

На черте>ке изображена схема предлагаемого формирователя импульсов.

Оп состоит из двух транзисторов вЂ” формирующего 1 и обратной связи 2 и двух тунпе IbFIh1x диода 8 и 4. Причем пиковый ток туннельного диода 4 превышает пиковый ток тунис, чьпого диода й.

В исходном состоянии по цепи (резистор 5, диод б, туннгльный диод 8 и туннельный диод 4, шунтированный резистором 7) протекает ток смещения, меньший пикового тока туннельного диода 3 и одновременно меньший тока впадины суммарной вольт-амперной характеристики туннельного диода 4 и резистора 7. Рабочие точки обоих диодов находятся на восходящей туннельной ветви, и оба транзистора закрыты.

При подаче на вход формирователя импульса тока положительной полярности такой амплитуды, чтобы сумма входного тока и тока смещения превышала пиковый ток туннельного диода 8, последний переключается и в базу формирующего транзистора поступает импульс тока. Ток в коллекторной цепи формирующего транзистора начинает возрастать, а следовательно, и ток в эмитте1о ре транзистора, равный сумме базового и коллекторного токов, также увеличивается.

При достижении эмиттерным током величины пикового тока туннельного диода 4 диод переключается и открывает транзистор обратной связи, переводя его в область насыщения. Открываясь, транзистор переключает на себя ток, ранее протекавший через диод б в базу формирующего транзистора. Диод б запирается, и ток в базу транзистора прекращается, вследствие чего формируется спад импульса.

Время восстановления схемы определяется временем насыщения транзистора обратной связи.

Фор мирователь импульсов, содержащий формирующий транзистор, два туннельных

30 диода и транзистор в цепи обратной связи, 190413

Составитель IO. Большов

Техред Л. Бриккер

Корректоры: О. Б. Тюрина и С. М. Белугина

Редактор В. Дербинов

Заказ 12/9 Тираж 535 Подписное

JIHIINfIH Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров импульса, в эмиттер формирующего транзистора включен зашунтированный сопротивлением туннельный диод, анод которого через диод подключен к базе транзистора обратной связи, а коллектор этого транзистора через диод соединен с базой формирующего транзистора.