Замкнутый запоминающий элемент

Авторы патента:


 

О П И С А Н И Е I67679

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт, свидетельства №

Заявлено 28.1.1963 (№ 816174/26-24)

" присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 18.I.1965. Бюллетень ¹ 2

Дата опубликования описания 25.II.1965

Кл. 42гп, 14

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР,ЧПК 6 061.

УДK.Автор изобретения

В. И. Абакумова л

ij

Заявитель

ЗАМКНУТЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Подписная группа № 174

Известны замкнутые запоминающие элементы, выполненные в виде тонкой магнитной пленки, нанесенной на цилиндрическую подложку из диэлектрика.

Описываемый запоминающий элемент отличается от известных тем, что магнитная пленка имеет ось легкого намагничивания, проходящую под углом к средней магнитной линии элемента. При этом увеличиваются амплитуда выходного сигнала, скорость чтения и облегчается отбраковка элементов.

На чертеже изображен описываемый элемент.

На наружную поверхность цилиндрической диэлектрической подложки 1, например, из стекла, нанесена тонкая магнитная пленка 2.

Ось 3 легкого намагничивания направлена под углом а к средней магнитной линии 4 элемента. Направление оси легкого намагничивания зависит от величины действующих при нанесении тонкой магнитной пленки двух магнитных полей: поля по окружности цилиндра подложки и поля по длине этого

5 цилиндра. Для перемагничпвания элемент имеет осевую токовую обмотку 5. Выходной сигнал снимается с выходной обмотки 6.

Предмет изобретения

10 Замкнутый запоминающий элемент, выполненный в виде тонкой магнитной пленки, нанесенной на цилиндрическую диэлектрическую подложку, отличаюи1ийся тем, что, с целью повышения амплитуды сигнала, скоро15 сти чтения и возможности поэлементной отбраковки, указанная пленка имеет ось легкого намагничивания, проходящую под углом к средней магнитной линии указанного элемента.

167679

Составитель А. Соколов

Редактор П. Шлаин Техред А. А. Кудрявицкая Корректор T. С, Дрожжйна

Заказ 87/11 Тираж 900 Формат бум. 60><90 /з Объем 0,1 изд. л. Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений н открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Замкнутый запоминающий элемент Замкнутый запоминающий элемент 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх