Патент ссср 154722

Авторы патента:


 

Класс G 06f; 42m, 14ОЗ № !54722

СССР -Ll4 ÝÇÈКЯ

ИАТЕИТН0. 10 тгхнеегскжа 1i 6 МФТЕКA

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа М 174

В. К. Баскаков

МАГНИТНОЕ ПЛЕНОЧНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Заивлено 13 ноноря 1961 г. за М 761290!26-24 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Б1оллетене изобретений и товарных знаков» М 10 за 1963 г.

Известнь! магнитные запоминающие устройства, в которых запись и чтение информации прои. ходят при совместном воздействии на магнитный элемент постоянного и СВЧ полей. Однако в этих устройствах наличие близкорасположенных высокочастотных контуров увеличивает уровень помех в системе и усложняет выделение полезного сигнала.

Предлагаемое магнитное пленочное запоминающее устройство позволяет повысить падеж«ость работы и использовать явления феррол агнитного резонанса. Для этого ферромагнитный элемент помещен в

СВЧ поле на пересечениях системы адресных шин.

Конструктивная схема описываемого устройства показана на чертеже.

На металлическую основу 1 наносится изолирующий слой, затем феррох!агнетик 2 — ферромагнитная пленка в форме дисков, снова изолирующий слой (не показан), систегаа проводников 3, 4 и 5 (причем, 4 и 5 являются направленными ответвителями), образующих с плоскостью основы 1 несимметричные ленточные волноводы. Ферроз!агнитпые элементы 2 находятся под волноводами 3, подво.шцими и ним

СВЧ поле, кооме того, над кс!жд1>1ъ! э.!смен! Ох! 2 положены две шины например, над элементом 2 — шины 6 и 7), по кîTорым токами

II и 1а B элементе создаегся резоHансное постоянное поле H „которое и обусловливает сущестгование ферромагнитного резонанса только в i элементе. Волноводы питаюгся от генератора 8 СВЧ поля. Режим бегущей волны в волноводах обеспечивается выоором нагрузки 3 (поглотителя) . В режи !е aarIIOH ypoHpllb мощности СВЧ Iio i ll до1жен быть достаточным для перемагничивания i диска.

Ло 154722

СВЧ . P рушения информации уровень мощности

При считывании без аз ш поля понижается до некоторого предеча. 3, апись,и считывание информации осуществляют подачей токов I, и I в и 2 соответствующие суви и н,а.н их СВЧ . через формирователи выборки пои одновременном возд "Л оздейполя, исгользуя явление ферромагнитног са — увеличение амплит го резонанлитуды колебаний относительно постоянного маги тного поля в результате поглощения энергии СВЧ поля. П и считывании постоянное поле п. икла ыв а р . д вается в направлении, противоположпом его направлению при записи.

Выделение считываемого сигнала происходи . одвт в направленных ответвителях 4 и 5 с детекторными секциями 10 и 11. С ляет сигнал п опо р порциональныи подающей мощности мину. . инус поглощенная энергия при ферромагнитном резонансе: P — ЛР. С на гн „п тсе а екция 11 выдеси ропорциональный падающей мощности P . И гналов легко выделить полезный сигнал. з этих дв х

У.

Поскольку энергия СВЧ пол

1оля поглощается только в выбранном

i-том элементе, то никакой г

" другой элемент не будет вносить помеху полезный сигнал. г: меху в

Предмет изобретения

Магнитное п е пленочное запоминающее устройство, отлич ающеес я тем, что, с целью повыш ения надежности работы и использо вания явления ферромагнитного тцен в резонанса, ферромагнитный элемент по. в СВЧ поле на пересечениях системы адресных шин. п меСоставитель А. Хохлов

Редактор С. Л. Богатырева Техред Т. П. Курилко К Л. М. орректор . . Комарова

Подп. к пгч, 29jX — 63 r, Лак. 2780717

Форма г бум. 70 Q 108

1б О бъем 0,18 изд. л.

ЦНИИПИ Г с

Тираж 725 Цена 4 коп.

И Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Патент ссср 154722 Патент ссср 154722 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх