Многофазный мультивибратор на транзисторах
ОПИСАН ИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
I859 59
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 23ЛЪ .1964 (№ 896693(26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 12.1Х.1966. Бюллетень № 18
Кл. 21ат, 36/02
МП1(Н 03k
УД1(621.373.431.1 (088.8) Комитет па делам иссбретеиий и OTKpbiTHA при Совете Министров
СССР
Дата опубликования описания 19.Х.1966
Авторы изобретения
В, И. Белицкий
Заявитель
МНОГОФАЗНЫЙ МУЛЬТИВИБРАТОР HA ТРАНЗИСТОРАХ
Известны схемы многофазных мультивибраторов на транзисторах, в которых термостабилизация режима работы осуществляется с помощью дополнительных сопротивлений, включаемых между базой транзистора и незаземленным полюсом источника питания, а также включением диодов в цепь базы. Однако эффективность термостабилизации в этих схемах ограничивается условием надежного запирания транзисторов, не участвующих в формировании выходного импульса.
Предложенное устройство отличается от известных тем, что кроме диодов, включенных в базовую цепь каждого транзистора, в общеэмиттерную цепь многофазного мультивибратора включен диод, зашунтированный емкостью. Этот диод должен быть выполнен из того же материала, что и транзистор. Применение диодов в указанной комбинации обеспечивает компенсацию воздействия обратных токов на длительность генерируемых импульсов, и защищает эмиттерные переходы транзисторов от обратного пробоя.
На чертеже изображена принципиальная схема многофазного мультивибратора, содержащая транзисторы 1, 2, 8, в базовые цепи которых включены диоды 4, б, б, а в общеэмиттерную цепь — диод 7, зашунтированный конденсатором 8.
Протекание неуправляемых температурных токов по цепям многофазного мультивибратора обычно приводит к появлению на базе и эмиттере отпирающегося транзистора дополнительных смещений Е„-, и Е„„, укорачивающих длительность генерируемых импуль"ов. Если же в общеэмиттерную цепь последовательно с сопротивлением 9 (R,) включить диод 7, на эмиттере возникает смещение неЕ„„,а
Е„„= gl,. (R, R„), (1) где Л вЂ” число каскадов схемы;
Ii — неуправляемый ток i-ro эмиттерного
15 перехода;
R, — обратное сопротивление диода 7.
Так как Яд,)) R, и с ростом температуры уменьшается, величина Е „„в диапазоне температур меняется незначительно.
20 При включении диода 7 нарушаются некоторые соотношения в схеме многофаз ного мультивибратора. Для устранения этого недостатка необходимо диод 7 зашунтировать емкостью достаточной величины. Тогда по пе25 ременному току цепь, состоящая из диода 7 и емкости 8, на работу схемы не влияет, а по постоянному току играет роль автоматического смещения.
Для уменьшения влияния обратного тока на величину смещения на базе Е „, в цепь
185959 (2) Предмет изобретения
Составитель С. Машенко
Техред Т. П. Курилко
Редакзор Н. С. Коган
Корректоры: С. Н. Соколова и Т. В. Полякова
Заказ 3041/5 Тираж 950 Формат бум. ЬО (90 /з Объем 0,16 изд. л. Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр, Сапунова, 2 базы последовательно с сопротивлениями 10, 11, 12 (R;,) включены диоды 4, 5 и б. Дополнительное смещение на базе определяется соотношением: где 1», — обратный ток через базу транзистора;
Лап — обратное сопротивление диода 4, 5 или б.
Если выбрать диоды так, что R <)) Яп, то при изменениях температуры величина Е,„, будет меняться незначительно.
Анализ соотношений (1) и (2) показывает, что при соответствующем выборе параметров предлагаемой схемы нестабильность многофазного мультивибратора, обусловленную колебаниями неуправляемых токов, можно уменьшить до нескольких процентов.
Включение диодов 4, 5 и б в базовую цепь транзистора позволяет предохранить схему от обратимых пробоев эмиттерных р — n-переходов, свойственных многофазным транзи5 сторным мультивибраторам.
Многофазный мультивибратор на транзи10 сторах с повышенной термостабильностью с диодами, включенными в базовую цепь каждого транзистора, отличающийся тем, что, в целях компенсации воздействия обратных токов на длительность генерируемых импульсов
15 и защиты от обратного пробоя эмиттерных переходов, в общеэмиттерную цепь включен полупроводниковый диод, зашунтированный емкостью, выполненный из того же полупроводникового материала, что и транзисторы.
