Схема формирования сигнала дискретного фотодатчика

ОЛИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соеетскик

Ссциалистическик

Республик

Зависимое от авт, свидетельства ¹

Кл. 74Ь, 8/05

Заявлено 16.111.1965 (№ 946702/26-24) с присоединением заявки ¹

Приоритет

МПК б 08с

УДК 621.3.083.8(088.8) Комитет по делам изобретеиий и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано ЗОХ11.1966. Бюллетень № 16

Дата опубликования описания 29.1Х.1966

Автор изобретения

В. П. Феоктистов

Заявитель

СХЕМА ФОРМИРОВАНИЯ СИГНАЛА ДИСКРЕТНОГО

ФОТОДА1 Ч И КА

Известны схемы формирования сигналов дискретных фотодатчиков для систем автоматики и вычислительной техники, состоящие из фотоэлемента и иключе»»ого последовательно с ним линейного сопротивления.

Предложенная схема формирования отличается от известных тем, что она содержит нелинейное сопротивление, например коллекторно-эмиттерный переход полупроводникового триода с постоянным смещением на базе или туннельный диод, включенное последовательно с фотоэлементом. Это позволяет повысить отношение амплитуды полезного выходного сигнал а к помехе.

На фиг. 1 представлена схема формирования сигнала дискретного фотодатчика; на фиг. 2 — характеристики.

Схема состоит из фотоэлемента 1 и последовательно включенного с ним коллекторноэмиттерного перехода транзистора 2 с постоянным смещением на базе. Съем полезного сигнала осуществляется в точке 3.

Работу схемы иллюстрируют характеристики, помещенные на фиг. 2, здесь: прямые 4 и б — нагрузочные характеристики фотосопротивления соответственно в освещенном и неосвещенном состояниях, Кривая о — вольтамперная характеристика триода, которая пересекается с нагрузочными характеристиками 4 и 5 в точках а и b. Проекция этих точек на ось ординат образует отрезок а b, который характеризует величину полезного сигнала на выходе схемы. Если вместо триода в схему формирования сигнала дискретного фотодат5 чика включить тупнельный диод 7, то величина полезного сигнала на выходе схемы еще более возрастет и будет характеризоваться отрезком с ci, образованным проекцией точек пересечения вольтамперной характеристики д

10 треше.;ьпого диода 7 с нагрузочными характеристиками фотосопротивления 4 и 5 на ось ординат. г1а фиг. 2 для сравнения помещена вольтамперная характерист,1ка 9 линейного сопро15 тивленпя, которое включается обычно последовательно с фотоэлементом в известных схемах.

11роводя аналогичное построение, нетрудно уоедиться в том, что в этом случае величина полезного сигнала на выходе схемы будет

20 меньше, чем в описанных случаях, и характеризоваться отрезком е f .

Схема формирования сигнала дискретного фотодатчика может быть использована при проектировании преобразователей двоичного

25 сигнала для систем автоматики и вычислительной техники.

Предмет изобретения

Схема формирования сигнала дискретного

30 фотодатчика, состоящая из фотоэлемента и

185243

c а е д иг.2

Фиг, 1

Составитель А. Иванова

Техред Г. Е. Петровская Корректоры: В. В. Крылов и Т. В. Полякова

Редактор И, С. Коган

Заказ 2726/17 Тираж 950 Формат бум. 60+90 /з Объем 0,13 изд. л, Подписное

ЦНИ14ПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 сопротивления, отличающаяся тем, что, с целью повышения отношения амплитуды полезного сигнала к помехе, она содержит нелинейное сопротивление, например коллекторно4 эмиттерный переход полупроводникового триода с постоянным смещением на базе или туннельный диод, включенное последовательно с фотоэлементом.